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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術(shù)

熱成像正在成為主流嗎？

事實(shí)上，用于移動(dòng)設(shè)備的熱感相機(jī)附件正變得越來(lái)越流行，而且非常實(shí)惠，一些加固型手機(jī)甚至集成了這些附件。熱成像器開始滲透智能家居有了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，用不了多久，...

2023-11-23 標(biāo)簽：傳感器 CMOS 熱成像 2k 0

2納米芯片的背面供電技術(shù)分析

在英特爾簡(jiǎn)化的工藝流程中（見圖 5），該工藝首先制造出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。

2024-02-28 標(biāo)簽：CMOS 英特爾直流電阻 2k 0

影響CMOS逆變器功耗的因素

CMOS逆變器的功耗是一個(gè)復(fù)雜但關(guān)鍵的話題，它涉及到CMOS技術(shù)的基本工作原理、電路結(jié)構(gòu)以及在不同操作條件下的能耗表現(xiàn)。

2024-09-12 標(biāo)簽：CMOS 逆變器晶體管 2k 0

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、D型鎖存器

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng)“ADALM2000實(shí)驗(yàn)：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能”中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使...

2023-07-10 標(biāo)簽：CMOS 邏輯電路鎖存器 2k 0

HMC284AMS8GE非反射開關(guān)SMT介紹

HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE為低成本SPDT開關(guān)，采用8引腳基極接地MSOP封裝。

2022-11-07 標(biāo)簽：CMOS msop 直流電壓 2k 0

借助虛擬工藝加速CMOS工藝優(yōu)化

我們不斷向先進(jìn)的CMOS的微縮和新存儲(chǔ)技術(shù)的轉(zhuǎn)型，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如，在3D NAND內(nèi)存中，容量的擴(kuò)展通過(guò)垂直堆棧層數(shù)的增加來(lái)實(shí)現(xiàn)，...

2023-01-06 標(biāo)簽：CMOS DRAM 虛擬工藝 2k 0

如何選擇模擬開關(guān)？

模擬開關(guān)回路可以實(shí)現(xiàn)較高的關(guān)斷阻抗，一般是兆歐姆以上的關(guān)斷阻抗，這是模擬開關(guān)的作用之一。

2023-06-26 標(biāo)簽：CMOS 模擬開關(guān)電源電壓 1.9k 0

機(jī)器視覺應(yīng)用系統(tǒng)包括哪些硬件？

機(jī)器視覺系統(tǒng)對(duì)測(cè)試環(huán)境要求比較高，涉及到攝像頭，光源，待測(cè)目標(biāo) 位置擺放等問題，原則是需要提供一套穩(wěn)定，高質(zhì)量的圖像。測(cè)試環(huán)境可能還需要專業(yè)的機(jī)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)...

2023-09-20 標(biāo)簽：CMOS 圖像處理攝像機(jī) 1.9k 0

如何精準(zhǔn)提取MOSFET溝道遷移率

溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 半導(dǎo)體 1.9k 0

從材料等9大方面全新認(rèn)識(shí)圖像傳感器

典型圖像傳感器的核心是CCD單元（charge-coupled device，電荷耦合器件）或標(biāo)準(zhǔn)CMOS單元（complementary meta-o...

2022-08-16 標(biāo)簽：CMOS 圖像傳感器壓力傳感器 1.9k 0

LTC2387驅(qū)動(dòng)器：用于成像的驅(qū)動(dòng)器

這適用于標(biāo)稱值為0-3V單端或差分信號(hào)，來(lái)自CCD、CMOS圖像傳感器或其他類似信號(hào)源。如圖所示，信噪比為88dB。使用AD8008代替U1，并進(jìn)行一些...

2023-01-05 標(biāo)簽：傳感器 CMOS 驅(qū)動(dòng)器 1.9k 0

全硅延遲線的設(shè)計(jì)考慮因素

討論了重要的功能和參數(shù)差異，使電子設(shè)計(jì)人員能夠概述和理解硅延遲塊技術(shù)，以簡(jiǎn)化與需要或已經(jīng)使用延遲塊技術(shù)的新設(shè)計(jì)和現(xiàn)有設(shè)計(jì)的集成。

2023-02-07 標(biāo)簽：CMOS 比較器逆變器 1.9k 0

2023年工業(yè)視覺缺陷檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)分享

表面缺陷檢測(cè)任務(wù)是指通過(guò)對(duì)產(chǎn)品表面進(jìn)行仔細(xì)的檢查和評(píng)估，以發(fā)現(xiàn)和識(shí)別任何不符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)或設(shè)計(jì)要求的表面缺陷。這項(xiàng)任務(wù)的目的是確保產(chǎn)品的外觀質(zhì)量和功能性滿...

2024-02-21 標(biāo)簽：CMOS gpu NPU 1.9k 0

2032年的FPGA：ACM FPGA 2012年度研討

通過(guò)總結(jié)最佳工程，第20屆FPGA國(guó)際研討會(huì)將回顧可編程器件過(guò)去20年的歷史，總結(jié)出趨勢(shì)線。專家們將從三個(gè)主要領(lǐng)域?yàn)镕PGA未來(lái)勾畫出草圖：工藝技術(shù)、體...

2013-01-15 標(biāo)簽：FPGA CMOS 3D 1.9k 0

關(guān)于硬件設(shè)計(jì)，你應(yīng)該知道的幾個(gè)事實(shí)！

本文從問答的形式詳細(xì)解決了關(guān)于硬件設(shè)計(jì)會(huì)遇到的幾個(gè)問題。電阻電容的封裝形式如何選擇，有沒有什么原則等等。

2016-01-21 標(biāo)簽：CMOS TTL 硬件設(shè)計(jì) 1.9k 1

怎樣去制作一種高性能自旋軌道矩MRAM器件呢

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器，具有高讀寫速度、高續(xù)航能力、長(zhǎng)存儲(chǔ)時(shí)間和低功耗等特點(diǎn)。

2022-10-18 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 MRAM 1.9k 0

基于線性反饋移位寄存器實(shí)現(xiàn)CMOS電路的低功耗設(shè)計(jì)

另外，在系統(tǒng)工作模式下，應(yīng)用于給定電路的連續(xù)功能輸入矢量具有重要的相關(guān)性，而由LFSR產(chǎn)生的連續(xù)測(cè)試模式之間的相關(guān)性很低。因此，在自測(cè)試期間會(huì)增加電路中...

2020-08-11 標(biāo)簽：電源 cmos 寄存器 1.9k 0

互連層RC延遲的降低方法

隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來(lái)的 RC耦合寄生效應(yīng)迅速增長(zhǎng)，影響了器件的速度。圖2.3比較了不同技術(shù)...

2025-05-23 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 工藝 1.9k 0

什么是飛行時(shí)間，3D成像機(jī)器人視覺3D成像方法比較

在經(jīng)典的TOF測(cè)量方法中，探測(cè)器系統(tǒng)在發(fā)射光脈沖的同時(shí)啟動(dòng)探測(cè)接收單元進(jìn)行計(jì)時(shí)，當(dāng)探測(cè)器接收到目標(biāo)發(fā)出的光回波時(shí)，探測(cè)器直接存儲(chǔ)往返時(shí)間。

2023-03-15 標(biāo)簽：CMOS 工業(yè)機(jī)器人機(jī)器人視覺 1.9k 0

功率Mos管損壞主要原因

過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的...

2022-08-17 標(biāo)簽：CMOS MOS管控制器電路 1.9k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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