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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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DRAM的技術(shù)研發(fā)趨勢

在2023年2月在國際學會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。

2023-10-29 標簽：半導體 DRAM 晶體管 3.2k 0

DRAM先進制程進展如何？

美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能（AI）訓練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（I...

2023-10-26 標簽：DRAM 數(shù)據(jù)庫美光 1.7k 0

SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM與高通完成性能驗證

完成與高通最新移動處理器的兼容性驗證，正式開始向客戶提供產(chǎn)品 "將通過加強與高通的合作，實現(xiàn)智能手機發(fā)展為AI時代的核心應用。" 韓國首爾2023年10...

2023-10-25 標簽：高通 DRAM SK海力士 1.9k 0

三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

　SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計，由于DDR5需...

2023-10-24 標簽：DRAM NAND 服務器 964 0

BBCube3D以混合3D方法實現(xiàn)異構(gòu)集成

日本東京工業(yè)大學（Tokyo Tech）的研究人員開發(fā)了一種用于處理單元（processing units）和內(nèi)存堆疊的創(chuàng)新三維集成技術(shù)，可以實現(xiàn)目前“...

2023-10-23 標簽：半導體 DRAM 異構(gòu)集成 1.8k 0

單芯片超過 100Gb，三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準備1...

2023-10-23 標簽：芯片 dram 三星電子 1.9k 0

第四季度DRAM和NAND全面漲價，成本上漲約30%

從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲，這已經(jīng)導致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。

2023-10-17 標簽：閃存 DRAM NAND 2.4k 0

芯片庫存調(diào)整，接近尾聲

野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說，半導體業(yè)這波庫存調(diào)整周期從去年中開始，現(xiàn)在可能已經(jīng)進入尾聲，晶片景氣循環(huán)可能轉(zhuǎn)為上行，時間點在明年初...

2023-10-16 標簽：半導體 DRAM NAND 1.2k 0

內(nèi)存、閃存全面漲價！1TB、12/16GB大內(nèi)存手機且買且珍惜

隨之而來的影響，即從今年四季度開始，存儲元器件成本上漲所帶來的影響將逐漸傳導至消費端，筆記本電腦、手機等終端產(chǎn)品可能面臨漲價局面。

2023-10-16 標簽：閃存 DRAM 供應鏈 1.7k 0

韓國NAND閃存芯片出口額恢復增長

據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業(yè)界的另一個支柱——3.3...

2023-10-16 標簽：閃存 DRAM NAND 1k 0

季漲約3~8%，DRAM合約價大幅回升！

據(jù)TrendForce的研究顯示，第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM，預計第4季的合約價將季漲幅約在3%到8%之間。...

2023-10-16 標簽：DRAM 存儲服務器 1.2k 0

美光利用1β工藝技術(shù)提供高速7,200 MT/s DDR5內(nèi)存

隨著數(shù)據(jù)中心工作負載所需cpu核心數(shù)量的增加，對更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加，克服了“內(nèi)存墻”問題，優(yōu)化了總擁有費用。美光公司的 1β DDR5 DRA...

2023-10-13 標簽：DRAM cpu 人工智能 1.7k 0

從單片SoC向異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速

關(guān)于異構(gòu)集成和高級封裝的任何討論的一個良好起點是商定的術(shù)語。異構(gòu)集成一詞最常見的用途可能是高帶寬內(nèi)存 (HBM) 與某種 GPU/NPU/CPU 或所有...

2023-10-12 標簽：DRAM 封裝 soc 2k 0

三星利潤，預計下滑80%

這一逆轉(zhuǎn)是因為，在內(nèi)存芯片價格跌至谷底并沒有像一些人預測的那樣快回升后，傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。

2023-10-11 標簽：DRAM NAND 晶圓廠 1.3k 0

面向電信和邊緣應用的新一代EPYC處理器Siena

Hot Chips 2023大會上，AMD展示了一系列新產(chǎn)品，包括備受期待的AMD EPYC Genoa、Genoa-X和Bergamo CPU。

2023-10-11 標簽：處理器 amd DRAM 1.9k 0

NAND Flash四季度漲幅預計10%以上

三星內(nèi)部認為當前NAND Flash供應價格過低，計劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格，漲幅預計在10%以上。

2023-10-10 標簽：DRAM Nand 存儲芯片 2.1k 0

先進封裝，在此一舉

此時先進封裝開始嶄露頭角，以蘋果和臺積電為代表，開啟了一場新的革命，其主要分為兩大類，一種是基于XY平面延伸的先進封裝技術(shù)，主要通過RDL進行信號的延伸...

2023-10-10 標簽：處理器 DRAM 封裝 2.4k 0

美國同意三星向其中國工廠提供設備

10月9日，韓國半導體業(yè)傳來好消息，美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導體設備，而且無需其它許可；美方的這一決定即日起生效。三...

2023-10-10 標簽：DRAM NAND 三星電子 1.2k 0

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...

2023-10-10 標簽：DRAM ERP HBM 1.8k 0

DRAM ，終于迎來了春天

在芯片供應過剩、需求低迷的情況下，DRAM芯片現(xiàn)貨價格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量，導致芯片庫存資...

2023-10-09 標簽：DRAM 三星電子存儲芯片 1.5k 0

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