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半導體工藝制程在進入32nm以下的節(jié)點后，每一步都歷盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術已經無法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來了全新的GAA工藝；而5nm之后的時代，全新GAA技術有望延續(xù)現(xiàn)有半導體技術路線的壽命。

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TSMC A14 第二代 GAA 工藝解讀

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2nm突圍，背面供電技術的首個戰(zhàn)場

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2024-06-13 標簽：半導體 AI 人工智能 1.7k 0

美國或將進一步收緊技術對華出口

據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國政府正考慮深化對華出口管制措施，旨在阻礙中國獲取先進的全柵場效應晶體管（GAA）技術及高帶寬存儲器（HBM）技術...

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三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

據(jù)外媒報道，三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。

2024-05-08 標簽：三星電子 SoC芯片 EDA軟件 1.4k 0

Q1半導體設備廠商財報，GAA和HBM成為最大增長點

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）作為整個半導體行業(yè)的上游，半導體設備廠商的財報向來反映了芯片生產制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導體設備大廠們紛紛公布了今年...

2024-05-02 標簽：應用材料 ASML 季度財報 5k 0

三星半導體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

2024-03-06 標簽：場效應晶體管三星半導體人工智能芯片 2.1k 0

三星與Arm攜手，運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續(xù)推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供電電壓，增強...

2024-02-22 標簽：AI芯片 GAA 三星 1.4k 0

Arm和三星電子將合作開發(fā)2nm制程

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2024-02-21 標簽：arm 三星電子晶圓 2k 0

三星 1.4 納米工藝細節(jié)浮出水面

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3D時代值得關注的趨勢

2023-11-24 標簽：DRAM 晶體管場效應晶體管 1.1k 0

三星為新客戶代工3nm服務器芯片：GAA結構，SiP封裝

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2023-10-12 標簽：加速器晶體管 GAA 1.6k 0

應用材料CEO：關注中國廠商發(fā)展，看好先進制程機遇

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次時代EUV光刻已箭在弦上！

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三星3nm GAA商業(yè)量產已經開始，首個客戶是中國礦機芯片公司

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