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hbm

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hbm資訊

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK...

2024-07-28 標(biāo)簽:存儲HBMHBM3E 7.2k 0

芯片的HBM靜電都有哪些測試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒有差異

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2024-11-27 標(biāo)簽:芯片測試標(biāo)準(zhǔn)HBM 7.2k 0

今日看點(diǎn)丨歐盟正式對中國新能源車加征關(guān)稅;三星電子改組,新設(shè)HBM芯片獨(dú)立研發(fā)團(tuán)隊(duì)

1. 上汽仍為頂格受罰,歐盟正式對中國新能源車加征關(guān)稅 ? 7月4日報(bào)道稱,歐盟委員會決定對來自中國的電動汽車進(jìn)口征收臨時(shí)反補(bǔ)貼稅,其中,比亞迪為17....

2024-07-05 標(biāo)簽:三星電子新能源車HBM 6.6k 2

探究GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優(yōu)勢以及性能測試(上)

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1. 概述 隨著互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來,人類所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)發(fā)生了前所未有的、爆炸性的增長。IDC預(yù)測,全球數(shù)據(jù)總量將從2019年的45ZB增長到2025年的17...

2021-12-03 標(biāo)簽:fpga存儲器帶寬 6.6k 0

SK海力士:HBM貢獻(xiàn)半數(shù)利潤,年內(nèi)供應(yīng)LPDDR服務(wù)器模組

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士截至2025年6月30日的2025財(cái)年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示,公司2025財(cái)年第二季度營業(yè)收入為22.232萬億韓元,營業(yè)...

2025-08-07 標(biāo)簽:SK海力士HBM 6.5k 0

ChatGPT帶旺HBM存儲

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2023-02-15 標(biāo)簽:存儲HBMChatGPT 6.4k 0

不同于HBM,這種創(chuàng)新的堆疊式DRAM,功耗有望降低50%

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日消息,英特爾與軟銀集團(tuán)宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同開發(fā)具有劃時(shí)代意義的AI專用內(nèi)存芯片。這項(xiàng)合作將致力于突破當(dāng)前AI計(jì)算中的...

2025-06-04 標(biāo)簽:DRAMHBM 6.4k 0

全球首款HBM4量產(chǎn):2.5TB/s帶寬超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn),AI存儲邁入新紀(jì)元

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發(fā),并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達(dá)等核心客戶...

2025-09-17 標(biāo)簽:HBM 6.4k 0

AI需求引爆存儲市場,2024存儲市場趨勢如何?CFMS給出預(yù)測

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2024-03-21 標(biāo)簽:存儲HBMDDR5 6.3k 0

2025年CES展:英偉達(dá)CEO黃仁勛將發(fā)表演講并可能進(jìn)行HBM對談

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2025-01-06 標(biāo)簽:英偉達(dá)SK海力士HBM 6.1k 0

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局

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2024-07-23 標(biāo)簽:英偉達(dá)HBM三星 6k 0

GPU集成12顆HBM4,臺積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前消息,臺積電計(jì)劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW(晶圓上系統(tǒng))封裝技術(shù),該技術(shù)是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統(tǒng))...

2024-09-13 標(biāo)簽:臺積電gpuCoWoS 5.9k 0

氟化銅(CuF2)在金屬氟化物正極中的作用

由于其高理論電位(3.55 V)和高容量(528 mAh/g),氟化銅(CuF2)在所有金屬氟化物正極中具有最高的能量密度。然而,CuF2只能進(jìn)行不到5...

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繼HBM上車之后,移動HBM有望用在手機(jī)上

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2024-08-07 標(biāo)簽:HBM半導(dǎo)體設(shè)備chiplet 5.7k 0

又一家代工廠準(zhǔn)備上市,國產(chǎn)HBM真要來了?

來源:國芯網(wǎng),謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近日,武漢新芯集成電路股份有限公司(以下簡稱“武漢新芯”)在湖北證監(jiān)局披露IPO輔導(dǎo)備案報(bào)告,標(biāo)志著武漢...

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最新HBM3內(nèi)存技術(shù)速率可達(dá)8.4Gbps

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2021-09-06 標(biāo)簽:amdcpusoc 5.3k 0

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2023-12-25 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲 5.3k 0

擊碎摩爾定律!英偉達(dá)和AMD將一年一款新品,均提及HBM和先進(jìn)封裝

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2024-06-04 標(biāo)簽:amd摩爾定律英偉達(dá) 5.3k 0

不再是HBM,AI推理流行,HBF存儲的機(jī)會來了?

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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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