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瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在...

2024-05-30 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM 1.7k 0

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備，意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品，進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。

2024-05-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸 SK海力士 HBM 1.2k 0

SK海力士力挫三星，穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位

值得注意的是，早年對(duì)HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達(dá)共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場(chǎng)反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。

2024-05-29 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM 三星 1k 0

SK海力士創(chuàng)新下一代HBM，融入計(jì)算與通信功能

SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代，開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，同時(shí)進(jìn)一...

2024-05-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SK海力士 HBM 1.3k 0

概倫電子宣布正式推出芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)ESDi

近日，概倫電子宣布正式推出芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)ESDi和功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM，并開始在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)廣泛推廣。

2024-05-28 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體電源芯片靜電防護(hù) 1.5k 0

三星回應(yīng)HBM芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試

三星電子近期宣布，其與全球多家合作伙伴在高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品的供應(yīng)測(cè)試上進(jìn)展順利。該公司表示，將繼續(xù)致力于提升所有產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，確保為客戶提供...

2024-05-28 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM 838 0

中國(guó)AI芯片和HBM市場(chǎng)的未來

　然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商，且已于今年...

2024-05-28 標(biāo)簽：NVIDIA SK海力士 HBM 1.9k 0

三星HBM研發(fā)受挫，英偉達(dá)測(cè)試未達(dá)預(yù)期，如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場(chǎng)需求？

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測(cè)試可能源于臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)，但在英偉達(dá)主導(dǎo)的HBM市場(chǎng)...

2024-05-27 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工 HBM 1.4k 0

劍指HBM及AI芯片，普萊信重磅發(fā)布Loong系列TCB先進(jìn)封裝設(shè)備

隨著Chat GPT的火爆，整個(gè)AI硬件市場(chǎng)迎來了奇點(diǎn)，除了GPU之外，HBM存儲(chǔ)也進(jìn)入了爆發(fā)式的增長(zhǎng)，根據(jù)TrendForce，2022年全球HBM容...

2024-05-27 標(biāo)簽：芯片封裝 AI 2k 0

三星否認(rèn)HBM芯片發(fā)熱問題，與全球合作伙伴開展測(cè)試

但三星電子發(fā)表聲明予以否認(rèn)，堅(jiān)稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測(cè)試工作，并持續(xù)與其他商業(yè)伙伴緊密合作，保證產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性。

2024-05-27 標(biāo)簽：芯片三星電子 HBM 878 0

三星電子：HBM芯片供貨測(cè)試正順利開展

三星電子近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品正在與全球多家合作伙伴進(jìn)行順利的供應(yīng)測(cè)試。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)努力與投入取得了積極成果。

2024-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子 HBM 1.1k 0

三星電子否認(rèn)HBM產(chǎn)品未達(dá)標(biāo)，多家合作公司保證質(zhì)量

針對(duì)媒體報(bào)道三星電子高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品未達(dá)英偉達(dá)品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的傳聞，三星予以明確否認(rèn)。該報(bào)道列舉了散熱及功耗等問題，并稱三星的HBM產(chǎn)品尚未經(jīng)過英偉達(dá)...

2024-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子英偉達(dá) 870 0

三星HBM芯片雖通過英偉達(dá)測(cè)試，仍存挑戰(zhàn)

對(duì)此，三星在聲明中回應(yīng)道，HBM為定制化內(nèi)存產(chǎn)品，需依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化流程。此外，他們正積極與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。對(duì)于具體客戶，三星并未作出評(píng)...

2024-05-24 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM 三星 1.6k 0

三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測(cè)試，與英偉達(dá)合作暫時(shí)擱淺

這是三星首次公開承認(rèn)未能通過英偉達(dá)測(cè)試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲(chǔ)產(chǎn)品，需“依據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化”，并強(qiáng)調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能...

2024-05-24 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM 三星 1.2k 0

三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測(cè)試

近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。

2024-05-24 標(biāo)簽：芯片三星電子 HBM 1.3k 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%

早在今年3月份，韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出，全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。

2024-05-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 1.2k 0

美光與客戶簽下2025年HBM訂單，HBM內(nèi)存預(yù)計(jì)擴(kuò)增50%

為了滿足HBM領(lǐng)域的旺盛需求，美光決定將本財(cái)年的資本支出預(yù)算由原計(jì)劃的75~80億美元調(diào)整為80億美元（約合人民幣579.2億元）。

2024-05-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器美光 HBM 1.4k 0

HBM投資增加，美光2024年資本支出預(yù)測(cè)上調(diào)至80億美元

美光科技適度調(diào)整了2024年的資本開支預(yù)估，加大對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）半導(dǎo)體生產(chǎn)線的投入力度，以迎合人工智能（AI）領(lǐng)域日益旺盛的需求。

2024-05-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體美光 HBM 1.1k 0

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤(rùn)高，故三星、SK海力士及美光國(guó)際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 HBM 1.4k 0

臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)劃使用其N12和...

2024-05-21 標(biāo)簽：臺(tái)積電 HBM HBM4 1.6k 0

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