3E/HBM4有了新進(jìn)展,SK海力士的HBM4性能更強(qiáng)。同時(shí),DDR4的陸續(xù)減產(chǎn),更多資源投向了DDR5和HBM。 ? AI服務(wù)器帶動(dòng)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng) ? 戴爾科技發(fā)布2026財(cái)年第一財(cái)季(截
發(fā)表于 06-02 06:54
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據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子決定最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4,這批產(chǎn)品將用于英偉達(dá)下一代人工智能計(jì)算平臺(tái)“Vera Rubin”。英偉達(dá)有望在下月年度開發(fā)者大會(huì)(GTC)上首次公開搭載三星電子HBM4
發(fā)表于 02-11 10:27
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在積極配合這一客戶需求。從HMB4的加速量產(chǎn)、HBM4E演進(jìn)到邏輯裸芯片的定制化等HBM技術(shù)正在創(chuàng)新中發(fā)展。 ? HBM4 E的 基礎(chǔ)裸片
發(fā)表于 11-30 00:31
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2025年9月24日,美光在2025財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中確認(rèn),第四代高帶寬內(nèi)存(HBM4)將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨,2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)品傳輸速率突破
發(fā)表于 09-26 16:42
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的開發(fā),并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲(chǔ)廠商。 ? 據(jù)悉,SK
發(fā)表于 09-17 09:29
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HBM4 的開發(fā),并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系,這一消息猶如一顆重磅炸彈,在半導(dǎo)體行業(yè)乃至整個(gè)科技領(lǐng)域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速、寬帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮?DRAM 技術(shù),自誕生以來便備受矚目。其核心結(jié)構(gòu)是將多個(gè) DRAM
發(fā)表于 09-16 17:31
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傳臺(tái)積電先進(jìn)2nm芯片生產(chǎn)停用中國(guó)大陸設(shè)備 ? 業(yè)內(nèi)媒體報(bào)道,根據(jù)多位知情人士透露,臺(tái)
發(fā)表于 08-26 10:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)報(bào)道,有業(yè)內(nèi)人士透露,三星在上個(gè)月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品,目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測(cè)試,將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達(dá)最后的驗(yàn)證步驟,最早可能在11月或12月
發(fā)表于 08-23 00:28
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職期間試圖獲取與2納米芯片開發(fā)和生產(chǎn)相關(guān)的關(guān)鍵專有信息。 對(duì)此臺(tái)積電回應(yīng)稱,近期在例行監(jiān)控中“發(fā)現(xiàn)了未經(jīng)授權(quán)的活動(dòng),繼而察覺商業(yè)機(jī)密可能遭泄
發(fā)表于 08-06 09:34
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美國(guó)政府可能對(duì)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)芯片征收關(guān)稅的風(fēng)險(xiǎn)。然而,臺(tái)積電在回應(yīng) Tom's Hardware 詢問時(shí)明確表示,其在美國(guó)亞利桑那州的重大
發(fā)表于 07-08 11:29
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美國(guó)芯片供應(yīng)鏈尚未實(shí)現(xiàn)完全自給自足。新報(bào)告顯示,臺(tái)積電亞利桑那州工廠生產(chǎn)的芯片,因美國(guó)國(guó)內(nèi)缺乏優(yōu)
發(fā)表于 07-02 18:23
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隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長(zhǎng),高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。
發(fā)表于 06-18 09:41
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近日,Cadence(NASDAQ:CDNS)近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案,以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對(duì) SoC 日益增長(zhǎng)的內(nèi)存帶寬
發(fā)表于 05-26 10:45
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較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試
發(fā)表于 04-18 10:52
。改造完成后AP8 廠將是臺(tái)積電目前最大的先進(jìn)封裝廠,面積約是此前 AP5 廠的四倍,無塵室面積達(dá) 10 萬平方米。 臺(tái)積
發(fā)表于 04-07 17:48
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評(píng)論