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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL產(chǎn)品介紹
國(guó)產(chǎn)IGBT單管新品,采用飛虹半導(dǎo)體第七代場(chǎng)截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計(jì),能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。使產(chǎn)品具...
伺服系統(tǒng)破局點(diǎn):如何實(shí)現(xiàn)工業(yè)機(jī)器人的小型化
磁電式編碼器使用磁場(chǎng)感應(yīng)元器件代替碼盤(pán),因此可以在提高精度的同時(shí)保證體積相對(duì)較小。但是磁電編碼器價(jià)格比較昂貴,目前僅在精度要求、工況要求相對(duì)較高的領(lǐng)域適...
2022-09-08 標(biāo)簽:IGBT光電編碼器工業(yè)機(jī)器人 2.6k 0
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享,有興趣的朋...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會(huì)同時(shí)向x方向和z方向擴(kuò)散,那么在角落位置就會(huì)形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...
?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革
碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái),汽車行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅(SiC)應(yīng)用的增長(zhǎng), 也...
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 2.6k 0
600V/15A三相全橋驅(qū)動(dòng)智能功率模塊-DPM15C60DG1概述
DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊,內(nèi)置 IGBT 及其柵驅(qū)動(dòng)芯片,可用于無(wú)刷直流電機(jī)、永磁無(wú)刷電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過(guò)理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。
一堆壞了的AXV300系統(tǒng)模塊(2個(gè)電源模塊SM24080-BX、2個(gè)伺服模塊21020、2個(gè)伺服模塊10413、另外1個(gè)ADV200、1個(gè)XVY)
功率因數(shù)校正電路的開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個(gè)boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個(gè)重...
這是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但...
TMS320F28P650DK實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 2.6k 0
變頻驅(qū)動(dòng)器VFD/IGBT逆變器的過(guò)壓保護(hù)6KV介紹
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
2023-03-30 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 2.6k 0
變頻器的制動(dòng)單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎?
通過(guò)制動(dòng)單元外接制動(dòng)電阻,該方式配合母線電壓檢測(cè)。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時(shí),電機(jī)繞組上的能量會(huì)通過(guò)逆變側(cè)的反并聯(lián)二極管倒灌入母線電容,此時(shí)母線電壓升高;當(dāng)高于設(shè)...
龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用
充電樁是指為電動(dòng)汽車提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車場(chǎng)等)和居民小...
2023-10-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 2.6k 0
將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
在此應(yīng)用中IGBT的總功率損耗包含導(dǎo)通損耗、導(dǎo)電損耗、關(guān)閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計(jì),而如果使用了零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS...
2013-12-18 標(biāo)簽:IGBT 2.6k 0
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無(wú)疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開(kāi)關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
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