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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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有的現(xiàn)場使用變頻器控制電機(jī)會出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓有幾十伏到200伏不等,在這里針對此故障的原因進(jìn)行理論的分析。我們都知道電動機(jī)的三相定子繞組流過電流產(chǎn)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動汽車動力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐
1. 每個IGBT有獨(dú)立的驅(qū)動器; 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián),兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連; 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流,但不同的IGBT...
傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運(yùn)行,IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 (FRD),如圖 1 所示。隨著 Rohm...
FCL的基本工作原理是通過快速改變電路的阻抗來限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 2.7k 0
STGWA30M65DF2AG汽車級IGBT深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽車級IGBT設(shè)計(jì)采用獲得專利的先進(jìn)溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelect...
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二...
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
如今市場上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說,絕緣柵雙極晶體管 (I...
高效節(jié)能電機(jī)與變頻節(jié)能電機(jī)工作原理
高效節(jié)能電機(jī)工作原理: 采用新型電機(jī)設(shè)計(jì)、新工藝及新材料,通過降低電磁能、熱能和機(jī)械能的損耗,提高輸出效率。
2023-01-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT節(jié)能電機(jī) 2.7k 0
通過IGBT簡化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外...
國內(nèi)龐大的市場基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險和國家產(chǎn)業(yè)升級共同推動了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 2.7k 0
在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個...
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì),不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個能量之和乘以開關(guān)頻率。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2.7k 0
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 標(biāo)簽:IGBT開關(guān)頻率 2.7k 0
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