完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
文章:3326個 瀏覽:263413次 帖子:485個
浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計的朋友,經(jīng)常會遇到一個選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個?這兩個器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動...
2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.5k 0
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
去客戶工廠參觀交流,了解到他們用到了我們代理的芯控源的IGBT模塊AGM25T12W2T4,就想給大家講下關(guān)于IGBT的知識和這款產(chǎn)品!
2023-06-21 標(biāo)簽:英飛凌三極管場效應(yīng)管 2.5k 0
對于工程設(shè)計人員來講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計時,這些性能能夠發(fā)揮出來多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...
高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析
Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊,設(shè)計用于為I...
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 2.5k 0
?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動器總結(jié)
該UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MO...
變頻器的參數(shù)設(shè)定在調(diào)試過程中是十分重要的。由于參數(shù)設(shè)定不當(dāng),不能滿足生產(chǎn)的需要,導(dǎo)致起動、制動的失敗,或工作時常跳閘,嚴(yán)重時會燒毀功率模塊IGBT或整流...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點。然而,IGBT在長時間工作過程中,...
可能會出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和B...
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
2022-08-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 2.5k 0
TMS320F28P659SH-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計,包...
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結(jié)構(gòu)會隨著時間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個壽命周期內(nèi),會經(jīng)歷數(shù)萬至數(shù)百萬次的溫度循...
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機驅(qū)動應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
新能源汽車焊接材料五大失效風(fēng)險與應(yīng)對指南——從焊點看整車可靠性
本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機械失效(熱循環(huán)與振動導(dǎo)致焊點疲勞)、熱失效(高溫下焊點軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電...
針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅(qū)動器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |