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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

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2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達(dá)600...

2025-07-28 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)芯片 2.2k 0

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IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,軍工航天領(lǐng)域的飛機(jī)、艦艇以及新能源...

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2024-10-29 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 2.1k 0

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該器件提供了一個(gè)完整的解決方案,用于通過電池輸入為閃光燈電容器充電,然后將電容器放電到氙氣閃光燈管。該器件具有集成基準(zhǔn)電壓源、電源開關(guān)、IGBT 驅(qū)動(dòng)器...

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東芝MCU在電磁爐中的應(yīng)用方案

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電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來工作的烹飪廚具,無需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢以及市場前景十分樂觀,但想要在競爭激烈的市場中占有更大的份額,...

2024-12-12 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 2.1k 0

IGBT式感應(yīng)加熱電源常見缺陷簡要分析

目前國內(nèi)大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結(jié)構(gòu)的感應(yīng)加熱電源,這種結(jié)構(gòu)的加熱電源能夠維持長時(shí)間高效工作,且安全性比較高,因此比較受到生產(chǎn)商和消費(fèi)群體的歡迎。

2016-03-18 標(biāo)簽:變壓器電源管理IGBT 2.1k 0

DSP里的PWM死區(qū)介紹

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PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電...

2023-05-24 標(biāo)簽:dspIGBT電子器件 2.1k 0

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當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多

2023-11-14 標(biāo)簽:三極管IGBT晶體管 2.1k 0

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2025-05-17 標(biāo)簽:IGBT隔離技術(shù)拉電流 2.1k 0

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近年來,光儲(chǔ)充和電動(dòng)汽車(EV)等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,導(dǎo)致了直流支撐(DC-Link)電容需求的急劇增長。簡而言之,DC-Link電容在電路中扮演著至...

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2023-09-19 標(biāo)簽:變頻器電動(dòng)機(jī)IGBT 2.1k 0

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。

2019-05-13 標(biāo)簽:汽車電子IGBTRohm 2.1k 0

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根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對流和輻射的形式),而大部分熱量通過...

2024-03-06 標(biāo)簽:散熱器散熱片IGBT 2.1k 0

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IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電磁兼容IGBT 2.1k 0

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2024-08-15 標(biāo)簽:二極管IGBT新潔能 2.1k 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。

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