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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作為開(kāi)關(guān)。如IGCT其耐壓可達(dá)6.5kV,通斷電流可達(dá)4000A。但在輸電系統(tǒng)中,其電壓電...
2024-04-16 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT配電系統(tǒng) 2.1k 0
研究IGBT器件的開(kāi)關(guān)及特性對(duì)實(shí)現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義,IGBT DC Link主回路的寄生電感會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)特性。本文研究IGB...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)...
不間斷電源的產(chǎn)品會(huì)有不同的標(biāo)準(zhǔn),常見(jiàn)會(huì)有GB 4943-2011、IEC 62040-1:2017、UL1778 4th Edition、EN 6204...
2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT不間斷電源快恢復(fù)二極管 2.1k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如變頻器、電源、電動(dòng)汽車等。IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,需要通過(guò)散熱...
車用 IGBT 模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過(guò)嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 ...
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對(duì)功率電平和開(kāi)關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
2025-08-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電子系統(tǒng)IGBT 2.1k 0
整流器(轉(zhuǎn)換器)是變頻器主電源中的三個(gè)主要部分之一。輸入的交流電通過(guò)轉(zhuǎn)換器部分,被整流為直流電壓。轉(zhuǎn)換器部分由二極管、可控硅整流器組成或者連接全波橋的絕...
2023-09-21 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器整流器 2k 0
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開(kāi)關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器在12V...
深入解析NCx57090y, NCx57091y:高性能IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器
在電力電子領(lǐng)域,IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一下安森...
2025-12-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2k 0
如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢?
IGBT廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,其可靠性一直都是制造商和用戶重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。
碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(1)
IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)...
igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱方式
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-...
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