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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時(shí)可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開關(guān)器件 1.3k 0
認(rèn)識(shí)到這種情況的嚴(yán)重性,標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、行業(yè)團(tuán)體和政府機(jī)構(gòu)制定了新能源指南。這些指南通常采用引用效率曲線的形式,這些曲線規(guī)定了所有運(yùn)行負(fù)載(從 20% 到滿負(fù)...
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開關(guān)過程的波形。
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
高可靠性驅(qū)動(dòng)器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲(chǔ)能行業(yè)持續(xù)火熱迎來高速發(fā)展期。儲(chǔ)能變流器是儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對(duì)提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
2023-07-28 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器asicIGBT 1.3k 0
RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào),傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的...
2023-02-09 標(biāo)簽:IGBT 1.3k 0
探索 onsemi FAD1110 - F085:高性能點(diǎn)火門驅(qū)動(dòng) IC 的卓越表現(xiàn)
在電子工程師的設(shè)計(jì)領(lǐng)域中,點(diǎn)火門驅(qū)動(dòng) IC 的性能對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 公司的 FAD...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 1.3k 0
氣候變化和社會(huì)對(duì)環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動(dòng)力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計(jì)具有較低體積、較高發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動(dòng)汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動(dòng)汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
UCC27524A 具有 5V UVLO、使能和負(fù)輸入電壓處理能力的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524A 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A 是 UCC27...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.2k 0
截至2023 年6月末,全國充電樁保有量為665.2萬臺(tái),同比增加 69.8%。其中,公共充電樁占比 32.3%,私人充電樁占比 67.7%。近年來車樁...
2023-08-29 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 1.2k 0
UCC27517A 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27517A 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC27517A...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.2k 0
工業(yè)縫紉機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT怎么選擇?
工業(yè)縫紉機(jī)在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)是工業(yè)縫紉機(jī)系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計(jì)以及電子元器件的優(yōu)化來提升產(chǎn)品性能是非常重要的。
2023-02-12 標(biāo)簽:UPS電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1.2k 0
低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快,海外市場(chǎng)會(huì)多一些,包括這幾年崛起的終端客戶,比如德業(yè)和錦浪。
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1.2k 0
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