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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Co...
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的,而電學(xué)特性,如V行政長官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi),由于在設(shè)備或模塊內(nèi)累積損壞
2023-03-13 標(biāo)簽:IGBT 1.1k 0
借助SpeedFit設(shè)計仿真軟件 縮短比較分析的時間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點,因此很多應(yīng)用都能從運用 SiC 器件中獲益。
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應(yīng)用研究
IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應(yīng)用研究 IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 1.1k 0
特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 1.1k 0
對于對稱IGBT結(jié)構(gòu),N基區(qū)寬度為200μm,通態(tài)集電極電流密度為100Acm-2,P+集電區(qū)/N基區(qū)結(jié)處空穴濃度(P0),計算得到空穴載流子密度。
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...
BLDC電機常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
基于onsemi EVBUM2897G-EVB評估板的雙脈沖測試技術(shù)詳解
onsemi EVBUM2897G-EVB評估板設(shè)計用于比較測量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...
UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...
對于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會...
2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1k 0
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