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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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東芝新穎IGBT/MOSFET門驅動光電耦合器

東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率...

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臺灣茂矽聯(lián)手富鼎先進開發(fā)電動車高功率IGBT

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如何實現(xiàn)IR2110驅動電路的優(yōu)化設計

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2012-12-27 標簽：IGBT IR2110 功率器件 1.1萬 1

IGBT在應用中碰到的常見問題解決方法

隨著現(xiàn)代電力電子技術的高頻大功率化的發(fā)展，開關器件在應用中潛在的問題越來越凸出，開關過程引起的電壓、電流過沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可靠性。為...

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開關電源技術發(fā)展的十大關注點

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國際整流器公司IGBT技術平臺強攻工業(yè)市場

　國際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術平臺。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截...

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隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...

2012-11-26 標簽：IGBT 功率器件 Power MOSFET 1.4萬 0

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IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺

　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出新一代絕緣柵雙極型晶體管（I...

2012-11-17 標簽：IR IGBT 電源芯片 2k 0

英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級最佳效能　

　英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品，其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產(chǎn)品，英飛...

2012-11-16 標簽：英飛凌 IGBT 電源芯片 2.9k 1

安森美半導體擴充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容　

安森美半導體（ON Semiconductor）持續(xù)推動高性能工業(yè)積體電路（IC）方案的電源管理。最新元件提供高度強固性，應用于寬工作溫度範圍，性能突出...

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IGBT的一種驅動和過流保護電路的設計

絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET與GTR的復合器件，因此，它既具有MOSFE...

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IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor），它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復合電力電子器...

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2012-10-30 標簽：IGBT 2.9k 0

對IGBT驅動的理解

本文是對IGBT驅動的一些概念的理解

2012-10-24 標簽：IGBT IGBT驅動 5.7k 0

安森美半導體擴充高性能溝槽型場截止IGBT陣容

應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擴充NGBTxx系列1，20...

2012-10-24 標簽：太陽能安森美 IGBT 1.1k 0

英飛凌擴展第三代逆導IGBT產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份有限公司擴展其第叁代逆導（RC）軟切換絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型...

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IR 針對家電電機驅動器應用推出新型 IGBT

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱 IR）推出 IRGR4045DPbF 和...

2012-10-17 標簽：IGBT 電機驅動器電源芯片 1.3k 0

快捷半導體蟬聯(lián)伊頓亞太區(qū)最佳供應商獎

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2012-10-12 標簽：MOSFET IGBT 快捷半導體 1.2k 0

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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。

2012-10-11 標簽：MOSFET 德州儀器 TI 2.1k 1

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