電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過(guò)去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來(lái)了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車(chē)市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆，也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)
2025-01-05 05:53:00
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關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車(chē)與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17133 
為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)（UCIe）IP 解決方案，在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44163 
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日，深圳高光時(shí)刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01900 
2025年行至尾聲，智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)模混合設(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級(jí)電源管理方案，以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局，一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)，成為國(guó)產(chǎn)數(shù)?；旌螴C與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒！
2025-12-11 15:20:51377 AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動(dòng)功率電子革命，但真正的場(chǎng)景落地，離不開(kāi)
2025-12-04 15:34:17217 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表，憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性，正在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12699 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù)，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44351 
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中，對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開(kāi)發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:471489 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37874 
能效成為下一代汽車(chē)、工業(yè)及 AI 平臺(tái)的關(guān)鍵要求，我們正持續(xù)擴(kuò)展產(chǎn)品組合，提供系統(tǒng)級(jí)價(jià)值，助力客戶(hù)以更低能耗實(shí)現(xiàn)更優(yōu)性能。”
2025-11-06 10:49:02406 
第三季度公司總體產(chǎn)品組合新增 585,000 多種產(chǎn)品和近 100 家供應(yīng)商 美國(guó), 明尼蘇達(dá), 錫夫里弗福爾斯市 - 2025 年 10 月 28 日；全球領(lǐng)先的電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷(xiāo)商
2025-10-31 11:49:31368 
適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心400V與800V電源架構(gòu)的熱插拔控制器參考板，使開(kāi)發(fā)者能夠設(shè)計(jì)出可靠、穩(wěn)健且可擴(kuò)展的電力監(jiān)測(cè)和保護(hù)解決方案。 ? ? 英飛凌eFuse專(zhuān)為過(guò)流及其他電源故障防護(hù)設(shè)計(jì)，確?？煽亢透咝У碾娏?? 英飛凌通過(guò)擴(kuò)展其電源保護(hù)產(chǎn)品組合，滿(mǎn)足了當(dāng)前及未來(lái)高功率AI服務(wù)
2025-10-30 15:25:0364017 
NIST在2012年評(píng)選出了最終的算法并確定了新的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。Keccak算法由于其較強(qiáng)的安全性和優(yōu)秀的軟硬件實(shí)現(xiàn)性能，最終成為最新一代的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。2015年8月NIST發(fā)布了最終的SHA-3
2025-10-28 07:13:32
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:001276 在新能源汽車(chē)、5G通信和人工智能的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對(duì)封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號(hào)
2025-10-22 18:13:11243 
是德科技（NYSE: KEYS ）近日宣布推出EV2020B電動(dòng)汽車(chē)制造功能測(cè)試平臺(tái)以及EV2020BE電動(dòng)汽車(chē)供電設(shè)備（EVSE）制造功能測(cè)試平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)展其終端測(cè)試（EOL）產(chǎn)品組合。這兩款
2025-10-16 09:13:202051 10月14日，一加攜手京東方正式發(fā)布第三代東方屏。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏以8項(xiàng)技術(shù)突破刷新9項(xiàng)世界紀(jì)錄，在流暢度、顯示素質(zhì)、暗光顯示、護(hù)眼能力四大維度帶來(lái)引領(lǐng)行業(yè)
2025-10-15 09:15:02691 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43402 10月11日，一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶(hù)帶來(lái)更流暢絲滑的游戲體驗(yàn)，并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護(hù)眼方面實(shí)現(xiàn)突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32740 
搭載第三代無(wú)線(xiàn)SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
2025-10-09 15:57:3042382 基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22499 
型柵極驅(qū)動(dòng)器（BTD系列）和配套的電源管理芯片（BTP系列），明確圍繞第三代半導(dǎo)體——碳化硅（SiC）MOSFET驅(qū)動(dòng)的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進(jìn)行構(gòu)建 。這些產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開(kāi)關(guān)速度和高 ?dV/dt等特性帶來(lái)的挑戰(zhàn)。 該公司的策
2025-09-30 17:53:142833 
近日，先臨三維作為三維掃描行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)，憑借深厚的技術(shù)積累與持續(xù)的創(chuàng)新精神，成功推出了具有劃時(shí)代意義的FreeScan Omni無(wú)線(xiàn)一體式手持三維掃描測(cè)量?jī)x，引領(lǐng)了第三代無(wú)線(xiàn)掃描技術(shù)的新高度
2025-09-26 11:26:46407 
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:351740 
天線(xiàn)測(cè)量解決方案領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)icrowave Vision Group（MVG）宣布其憑借20 余年的實(shí)操經(jīng)驗(yàn)以及從數(shù)百次部署中獲得的深刻見(jiàn)解，正式推出全新 StarLab產(chǎn)品組合，包括六款專(zhuān)用
2025-09-18 11:57:15764 
?）陶瓷基板和銅基板，提升熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度。第三代 SiC MOSFET 技術(shù):XM3 系列采用 Wolfspeed 優(yōu)化的第三代 SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的平衡。集成保護(hù)功能
2025-09-11 09:48:08
英飛凌的全球授權(quán)代理商，供應(yīng)各種英飛凌解決方案。貿(mào)澤供應(yīng)近20,000種英飛凌元器件，其中超過(guò)10,000種有庫(kù)存且可立即發(fā)貨，通過(guò)豐富的英飛凌新品，幫助工程師將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 ? 英飛凌XENSIV
2025-09-08 15:21:00595 
的導(dǎo)通電阻和更高的開(kāi)關(guān)頻率，能夠有效提高功率密度、減小系統(tǒng)體積提升整體效率，并有助于降低系統(tǒng)散熱與成本。
2025-09-03 11:29:401034 蘿麗三代12通遙控器原理圖
2025-08-25 15:45:17
0 AEM作為第三代電解水制氫技術(shù)的核心組件，正成為全球綠氫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。
2025-08-08 14:36:10792 這張 IGBT 逆變控制板原理圖，把復(fù)雜變簡(jiǎn)單： 高頻逆變回路明明白白，IGBT 驅(qū)動(dòng)時(shí)序精準(zhǔn)標(biāo)注，電容儲(chǔ)能閉環(huán)控制鏈路清晰可見(jiàn)。從此，研發(fā)不用 “盲試”，維修告別 “猜故障”，生產(chǎn)少走技術(shù)彎路
2025-08-07 14:35:493 基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
近日，在第五屆全國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng) “智光儲(chǔ)能”）與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量?jī)?chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地，為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:141230 標(biāo)準(zhǔn)等方面進(jìn)行升級(jí)。 ? 下一代物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的新需求 ? 芯科科技無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)Dhiraj Sogani在接受采訪時(shí)表示，我們的第一代、第二代和第三代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)將繼續(xù)在市場(chǎng)上相輔相成。第二代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)功能強(qiáng)大且高效，是各種主流物聯(lián)網(wǎng)
2025-07-23 09:23:006096 近日，索尼(中國(guó))有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫(huà)幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號(hào)名：DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:211082 本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT：NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。
2025-07-17 09:20:291680 
西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克 2.5D/3D 集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。
2025-07-14 16:43:073059 BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
今日，在2025高通汽車(chē)技術(shù)與合作峰會(huì)上，高通技術(shù)公司攜手中國(guó)先進(jìn)車(chē)企和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，展示其驍龍數(shù)字底盤(pán)產(chǎn)品組合的發(fā)展勢(shì)頭和最新成果。驍龍數(shù)字底盤(pán)解決方案包括驍龍汽車(chē)平臺(tái)至尊版、面向駕駛輔助
2025-07-03 12:55:181237 愛(ài)立信近日推出革命性O(shè)SS/BSS產(chǎn)品組合，賦能運(yùn)營(yíng)商在AI意圖驅(qū)動(dòng)及自智網(wǎng)絡(luò)時(shí)代實(shí)現(xiàn)全方位創(chuàng)新突破！告別傳統(tǒng)模式，擁抱敏捷、智能服務(wù)的新時(shí)代。
2025-06-24 15:13:3715704 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，消息人士稱(chēng)，英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片，試圖重新奪回市場(chǎng)份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專(zhuān)用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案， 功率轉(zhuǎn)換效率超過(guò)98%，功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:2346470 
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57968 尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53497 
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展，可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
2025-06-11 09:59:401648 作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500 
繼X60和X100之后，進(jìn)迭時(shí)空正在基于開(kāi)源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性能提升75%以上，達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
Silicon Labs（芯科科技）第三代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì)，該系列產(chǎn)品升級(jí)了三大功能特性：可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能，因而得以全面滿(mǎn)足未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39926 的設(shè)計(jì)中，最常見(jiàn)的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路整合，這一設(shè)計(jì)能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN）的技術(shù)突破，在新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，集成第三代
2025-05-29 01:01:009042 
MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場(chǎng)景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開(kāi)關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢(shì) ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿(mǎn)足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飛凌的磁傳感器門(mén)類(lèi)再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346 
，這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲(chǔ)存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋(píng)果和三星是 TDK 的主要客戶(hù)，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極電池的推出，
2025-05-19 03:02:002928 與數(shù)據(jù)檢索的先進(jìn)技術(shù)，以滿(mǎn)足不斷演進(jìn)的市場(chǎng)需求。Microchip的數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)包含工作負(fù)載加速、電源管理、設(shè)備性能優(yōu)化與控制等全方位賦能技術(shù)組合，助力數(shù)據(jù)中心應(yīng)對(duì)當(dāng)今技術(shù)需求日益多變所帶來(lái)的可擴(kuò)展性、安全性與性能等方面的挑戰(zhàn)。
2025-05-17 11:24:081078 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器，進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍，同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:4353537 制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題，匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專(zhuān)家與企業(yè)代表。
作為專(zhuān)注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiCJFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有
2025-05-07 17:03:14629 
（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728 
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn)：開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683 
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
隨著新能源電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求，金升陽(yáng)推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985 
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)
2025-03-19 17:16:291165 。 ??本季度開(kāi)始，AYANEO、壹號(hào)方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續(xù)推出搭載全新驍龍G系列平臺(tái)的手持游戲設(shè)備。 今日，高通技術(shù)公司宣布推出其2025年的全新驍龍G系列游戲平臺(tái)組合，專(zhuān)為各類(lèi)玩家的手持游戲設(shè)備而打造。全新產(chǎn)品組合包括第三代驍龍G3、第二代驍
2025-03-18 09:15:202366 
? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開(kāi)。納微達(dá)斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“納微半導(dǎo)體”）憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043894 在光伏逆變器、車(chē)載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582463 
產(chǎn)品組合中的第一款設(shè)備，它將與Nordic現(xiàn)有的超低功耗技術(shù)無(wú)縫結(jié)合。Nordic 將其數(shù)十年的超低功耗無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)和硅設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)知識(shí)帶到 Wi-Fi 中。借助 Wi-Fi 6，我們?yōu)槲锫?lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來(lái)了更多優(yōu)勢(shì)
2025-03-10 15:42:21
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線(xiàn)，大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166275 
是德科技（Keysight Technologies, Inc.）推出六款新型模擬信號(hào)發(fā)生器、兩款矢量信號(hào)發(fā)生器、八款射頻合成器和三款信號(hào)源分析儀，進(jìn)一步擴(kuò)展了其射頻（RF）和微波儀器產(chǎn)品組合。這些
2025-03-04 14:45:29995 SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484 
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟擴(kuò)展了其工業(yè)和維護(hù)、維修和運(yùn)營(yíng) (MRO)?產(chǎn)品范圍，以確?？蛻?hù)能夠從行業(yè)領(lǐng)先的供應(yīng)商處獲得各種產(chǎn)品和解決方案。
2025-02-20 14:47:25794 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來(lái)在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗(yàn)的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011011 新思科技近日宣布，推出基于全新AMD Versal Premium VP1902自適應(yīng)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的HAPS原型驗(yàn)證系統(tǒng)，全新升級(jí)其業(yè)界領(lǐng)先的硬件輔助驗(yàn)證（HAV）產(chǎn)品組合。
2025-02-18 17:30:481088 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟大幅擴(kuò)充了 PUI Audio產(chǎn)品種類(lèi)。作為音頻、觸覺(jué)反饋及傳感器解決方案領(lǐng)域的全球創(chuàng)新者和供應(yīng)商，PUI Audio產(chǎn)品的加入進(jìn)一步豐富e絡(luò)盟的產(chǎn)品組合。新擴(kuò)展的產(chǎn)品線(xiàn)使客戶(hù)能夠獲得更廣泛的專(zhuān)業(yè)音頻組件。
2025-02-18 16:29:39870 
和ZeBu?仿真系統(tǒng)，全新升級(jí)其業(yè)界領(lǐng)先的硬件輔助驗(yàn)證（HAV）產(chǎn)品組合。全新一代HAPS-200原型驗(yàn)證系統(tǒng)和ZeBu仿真系統(tǒng)提供了改善的運(yùn)行性能、更快的編譯時(shí)間和更高的調(diào)試效率。兩者均基于全新的新思科
2025-02-18 16:00:32496 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司英飛凌宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，即成立一個(gè)新的業(yè)務(wù)部門(mén)——傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務(wù)部門(mén)。該部門(mén)將整合英飛凌當(dāng)前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)，旨在進(jìn)一步推動(dòng)公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。
2025-02-18 15:02:111154 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
近日，在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可，更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 近日，中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代，為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341 近日，全球知名的電子元器件分銷(xiāo)商DigiKey宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略決策，計(jì)劃在2025年大幅擴(kuò)展其產(chǎn)品組合，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。據(jù)悉，DigiKey將增加110萬(wàn)個(gè)新零件，并引入455家
2025-02-08 14:33:02877 在 ISE 2025 上，AMD 將展示其多樣化產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品組合支持多種 AV-over-IP、連接和視頻處理應(yīng)用，同時(shí)還支持基于 AI 的創(chuàng)新，以增強(qiáng)用戶(hù)體驗(yàn)。我們將與主要合作伙伴一道，在巴塞羅那 Fira Gran Via 的 5 號(hào)廳 B510 展臺(tái)展示我們的解決方案。
2025-02-06 11:13:131412 -ThinkCyte擴(kuò)展產(chǎn)品組合，推動(dòng)藥物發(fā)現(xiàn)和疾病研究創(chuàng)新。 東京2025年1月28日?/美通社/ -- 作為一家在新型人工智能（AI）細(xì)胞分析和分選儀器領(lǐng)域處于先鋒地位的生物技術(shù)公司
2025-02-05 15:44:44591 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）正在通過(guò)全新NEH71x0電源管理IC（PMIC）系列擴(kuò)展能源采集產(chǎn)品組合。新發(fā)布的先進(jìn)PMIC系列結(jié)合了卓越的性能、高性?xún)r(jià)比和多功能性，為低功耗應(yīng)用的可持續(xù)設(shè)計(jì)建立了新的標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-22 11:31:151073 上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線(xiàn)的IGBT5等?，F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212260 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車(chē)的核心部件中，車(chē)用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
IGBT高速雙包：IGBT 溝槽和場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)采用軟、快速恢復(fù)的反并聯(lián)二極管IKW50N60H3600V 第三代高速開(kāi)關(guān)系列 特點(diǎn)TRENCHSTOPTM 技術(shù)提供-極低振動(dòng)
2025-01-11 15:07:17
的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，戴爾科技不僅提升了產(chǎn)品的性能表現(xiàn)，還實(shí)現(xiàn)了更長(zhǎng)效的電池續(xù)航，確保用戶(hù)能夠隨時(shí)隨地高效工作。 此外，戴爾科技還積極引入了最新的芯片創(chuàng)新應(yīng)用，進(jìn)一步擴(kuò)展了其產(chǎn)品組合的多樣性和功能性。在軟件、管理和可持續(xù)發(fā)展方面，
2025-01-10 14:41:131032 外置天線(xiàn)YECT004W1A以及無(wú)源L波段、GNSS和銥星天線(xiàn)YFTA009E3AM，進(jìn)一步豐富了移遠(yuǎn)通信的模組天線(xiàn)產(chǎn)品組合。移遠(yuǎn)通信COO張棟表示：“隨著此次三
2025-01-09 17:34:441436 
全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在新能源汽車(chē)等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展的推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)，發(fā)展前景究竟如何？ 隨著全球科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51801 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110
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