IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出新一代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）技術(shù)平臺。全新第八代（Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應用提供卓越性能。

　　全新的Gen8設計可讓高性能Vce（on）降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“通過開發(fā)全新基準技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺，彰顯出IR在數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分之百變頻，以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境?！?/p>

　　新技術(shù)針對電機驅(qū)動應用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數(shù)分布較窄，在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個IGBT之時，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達到175°C的最高結(jié)溫。

　　潘大偉補充道：“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供卓越技術(shù)。該IGBT平臺憑借高性能Vce（on）、超卓的耐用性及一流的開關(guān)功能，使工業(yè)市場中的艱巨難題迎刃而解?！?/p>

　　欲了解更多信息，請瀏覽IR網(wǎng)站 www.irf.com。

　　產(chǎn)品規(guī)格

　　產(chǎn)品供應

　　IR Gen8 1200V IGBT平臺的樣本已開始提供給各大原始設備制造商（OEM）及原始設計制造商（ODM）合作伙伴。

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賽目科技亮相第八屆智能輔助駕駛大會

近日，北京賽目科技股份有限公司首席技術(shù)官楊強在2025第八屆智能輔助駕駛大會測試驗證專場發(fā)表主題演講，系統(tǒng)闡述了智能網(wǎng)聯(lián)汽車安全驗證策略與仿真工具鏈，為行業(yè)破解安全驗證難題提供了清晰路徑。

2025-07-24 17:49:01

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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用

近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

2025-07-16 14:08:23

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恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管，助力工業(yè)電源應用高效能量轉(zhuǎn)換

近日，知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長的工業(yè)電源應用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將

2025-07-15 09:58:39

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什么是零代碼平臺？

零代碼平臺是一種無需編寫傳統(tǒng)代碼，通過可視化拖拽、參數(shù)配置、邏輯連線即可快速搭建業(yè)務流程與應用系統(tǒng)的工具平臺。它將復雜的軟件開發(fā)過程轉(zhuǎn)化為 “搭積木” 式的操作，讓非技術(shù)人員（如業(yè)務人員、運營人員

2025-07-12 20:28:23

意法半導體高效大功率三相逆變器解決方案概述

1200V STGSH50M120D將采用半橋配置的二極管和IGBT集成在一個ACEPACK SMIT封裝中。該器件將M系列溝槽柵極場截止IGBT的穩(wěn)健性與頂部冷卻ACEPACK SMIT表面貼裝封裝出色的可靠性和散熱性能相結(jié)合。

2025-07-11 17:32:41

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Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J

2025-07-11 17:06:07

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揚杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊：高性能與可靠性的完美結(jié)合

的設計，成為工業(yè)逆變器、伺服驅(qū)動和不間斷電源等應用的理想選擇。本文將為您詳細介紹這款產(chǎn)品的關(guān)鍵特性和應用優(yōu)勢。產(chǎn)品概述 DGW40N120CTLQ是一款1200V/40A的IGBT分立器件，采用標準的TO-247封裝。該產(chǎn)品不僅集成了IGBT芯片，還內(nèi)置了快速軟恢復反并聯(lián)二極管（FWD），

2025-06-26 13:53:20

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揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊：高效能電力電子解決方案

極型晶體管（IGBT）和快速恢復二極管（FWD），適用于多種高功率應用場景，展現(xiàn)了揚杰電子在功率半導體領域的技術(shù)實力。產(chǎn)品概述 MG35P12E1A是一款電壓等級為1200V、額定電流35A的IGBT模塊，其設計兼顧了高效能與可靠性。模塊采用低電感封裝技術(shù)，具有低

2025-06-18 17:52:14

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Commvault邀您相約IMC 2025第八屆智造數(shù)字科技大會

在全球制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮中，IMC 2025第八屆智造數(shù)字科技大會將于2025年6月20日在北京盛大開幕。

2025-06-18 11:45:08

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新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強型1代M1H芯片、集成NTC

2025-06-10 17:06:21

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變頻器中IGBT爆炸原因有哪些？

。一、電氣應力超限 1. 過電壓沖擊 ●?開關(guān)瞬態(tài)過電壓：IGBT在關(guān)斷瞬間，線路寄生電感會因電流突變產(chǎn)生尖峰電壓（(L cdot di/dt)）。若緩沖電路（如RC吸收電路）設計不當或失效，電壓可能超過IGBT的額定耐壓值（如1200V器件承受1500V以上），導致絕

2025-06-09 09:32:58

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陸芯科技推出IGBT單管AU40N120T3A5

陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺，PitchSize 1.6um，TO247封裝。

2025-05-27 12:04:17

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格平科技推出1200W可編程開關(guān)電源

格平科技推出1200W可編程開關(guān)電源輸出電壓12V83.3A;15V80A;24V50A;30V40A;36V33.3A;48V25A;60V20A;400V3A

2025-05-20 09:51:12

新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的1200

2025-05-16 17:08:47

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聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

，聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。

2025-05-14 17:55:02

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納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規(guī)性。

2025-05-14 15:39:30

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新品 | EasyDUAL? 1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊

新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù)，電流等級涵蓋75A

2025-05-13 17:04:46

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基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等

2025-05-09 11:45:40

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SC1200IOT 思特威推出1200萬像素AI眼鏡應用CMOS圖像傳感器

近日，技術(shù)先進的CMOS圖像傳感器供應商思特威(SmartSens，股票代碼688213)，全新推出1200萬像素 AI眼鏡應用CMOS圖像傳感器—— SC1200IOT 。產(chǎn)品基于思特威先進

2025-05-08 18:15:00

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易控智駕亮相第八屆數(shù)字中國建設峰會

近日，第八屆數(shù)字中國建設峰會在福建省福州市完美落幕。本次峰會由國家發(fā)展改革委、國家數(shù)據(jù)局、工業(yè)和信息化部、福建省人民政府等聯(lián)合主辦，聚焦前沿技術(shù)與創(chuàng)新應用，為觀眾帶來一場科技與創(chuàng)新成果交融的數(shù)字盛宴。

2025-05-08 16:34:43

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AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，專為高功率應用能效優(yōu)化而生

（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)

2025-05-07 10:56:10

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易華錄亮相第八屆數(shù)字中國建設峰會

近日，第八屆數(shù)字中國建設峰會在福州開幕。中國電科以“乘數(shù)而上，以智致遠”為主題，通過“數(shù)字新技術(shù)、數(shù)據(jù)新裝備、數(shù)智新場景”三大板塊亮相峰會現(xiàn)場體驗區(qū)，全方位展示數(shù)字科技領域創(chuàng)新實力。

2025-05-06 16:44:36

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云天勵飛亮相第八屆數(shù)字中國建設峰會

近日，以“二十五載奮進路數(shù)字中國譜新篇——數(shù)智引領高質(zhì)量發(fā)展”為主題的第八屆數(shù)字中國建設峰會在福州開幕。

2025-05-06 16:37:23

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新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

2025-05-06 14:08:48

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龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發(fā)展的當下，如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設計能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。

2025-04-29 14:43:47

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SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理

近日，半導體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關(guān)速度、更低的導通與開關(guān)損耗，適用于

2025-04-25 11:39:28

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方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達到國際頭部領先水平。

2025-04-17 17:06:40

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新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器

2025-04-17 17:05:15

804

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設計，以滿足

2025-04-17 11:23:54

722

開關(guān)電源環(huán)路開關(guān)電源技術(shù)的十個關(guān)注點

只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓

2025-04-09 15:02:01

華大電子榮獲第八屆“IC創(chuàng)新獎”技術(shù)創(chuàng)新獎

近期，中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟正式公布第八屆“IC創(chuàng)新獎”獲獎名單。華大半導體旗下北京中電華大電子設計有限責任公司自主研發(fā)的CIU98M50安全芯片，榮獲第八屆“IC創(chuàng)新獎”——技術(shù)創(chuàng)新獎。這一獎項不僅是對企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的高度認可，更是對其在安全芯片領域產(chǎn)業(yè)化成果的有力肯定。

2025-04-03 17:27:33

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IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

（1.1 eV），高溫下本征載流子濃度呈指數(shù)級增長。當溫度從25°C升至175°C時，漏電流（如ICES）可從微安級升至毫安級（例如某IGBT在1200V下的漏電流從20μA升至50mA）。漏電流增大會導致靜態(tài)功耗（Pleakage=VCE×ICES）顯著上升，引發(fā)局部溫升，形成熱失控循環(huán)，最終

2025-03-31 12:12:08

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驅(qū)動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應用

隨著功率半導體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動芯片電流可達+/-2.3A

2025-03-24 17:43:40

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派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊內(nèi)置二極管提升高頻應用可靠性

派恩杰半導體上新；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內(nèi)置二極管提升高頻應用可靠性！

2025-03-24 10:11:32

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Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

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Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD

2025-03-20 11:18:11

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?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。

2025-03-19 14:31:28

1103

onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

近日，半導體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊，憑借卓越的能效

2025-03-18 11:34:56

857

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m

2025-03-15 18:56:32

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陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。

2025-03-11 16:17:25

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瞻芯電子推出1200V sic半橋1B封裝模塊

行業(yè)芯事行業(yè)資訊

電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-03-11 13:36:22

升壓器功率800kva 適用于掘進機現(xiàn)場電壓欠壓380V變1200V或1140V 可切換

380V，這與掘進機正常運轉(zhuǎn)所需的 1140V 或 1200V 電壓相差甚遠。此時，一款功率達 800kva，能夠?qū)?380V 欠壓升至 1140V 或 1200V 且可靈活切換的升壓器，成為解決掘進機電力難題的核心裝備。一、隧道掘進現(xiàn)場電力困境剖析在偏遠的隧道施工現(xiàn)場

2025-02-19 09:46:50

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隧道/掘進機低電壓380V升為1140V或1200V變壓器輸出2組電壓 IP54機箱

1200V 工作電壓存在巨大差距。此時，一款能夠?qū)?380V 低電壓升壓至 1140V 或 1200V，并可輸出 2 組電壓，配備 IP54 機箱的變壓器，成為解決隧道掘進機電力難題的關(guān)鍵設備。一、隧道施工中的電力困境在偏遠的隧道施工現(xiàn)場，電力從變電站傳輸至作業(yè)區(qū)域，距

2025-02-19 09:43:12

704

380V變1200V 1250V 1500V升壓變壓器掘進機遠距離電力適配專家

在大型隧道掘進工程中，掘進機的高效運轉(zhuǎn)是保障工程進度與質(zhì)量的關(guān)鍵。然而，遠距離輸電致使施工現(xiàn)場電壓常降至 380V，與掘進機所需的 1200V、1250V 甚至 1500V 工作電壓相差甚遠。此時

2025-02-19 09:39:47

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Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺

近日，碳化硅技術(shù)領域的全球領軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺。該平臺在設計之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應用帶來突破性的性能表現(xiàn)。作為碳化硅技術(shù)

2025-02-17 10:28:44

943

三星顯示推遲第八代OLED面板生產(chǎn)線安裝

據(jù)韓媒The Elec報道，三星顯示(Samsung Display)已決定推遲其第八代OLED面板生產(chǎn)線的安裝計劃。這一決定背后，是OLED iPad銷售表現(xiàn)不佳以及蘋果推遲發(fā)布OLED

2025-02-14 13:55:41

977

成都華微榮獲第八屆中國卓越IR“最佳年度新銳公司”

近日，“中國卓越IR年度評選”結(jié)果在“2025上市公司投資者關(guān)系創(chuàng)新峰會暨第八屆中國卓越IR頒獎盛典”上隆重揭曉。成都華微電子科技股份有限公司（以下簡稱“成都華微”）在該評選中榮膺“最佳年度新銳公司”。

2025-01-15 14:41:28

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EDA廠商概倫電子榮獲第八屆中國卓越IR評選“最佳資本市場溝通獎”

近日，上海概倫電子股份有限公司（688206.SH）在第八屆中國卓越IR評選中榮膺“最佳資本市場溝通獎”、“35 UNDER 35”等三大獎項。該獎項評選結(jié)果于2025年1月7日舉行的“路演中國

2025-01-09 19:12:08

1088

PCB嵌入式功率芯片封裝，從48V到1200V

我們也發(fā)現(xiàn)Schweizer在更早前其實就已經(jīng)推出了名為P2的封裝方案，這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發(fā)，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術(shù)，并應用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優(yōu)勢和應用 ? 根據(jù)

2025-01-07 09:06:13

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XD040Q120AM1S3國產(chǎn)IBGT管40A 1200V

深圳市三佛科技有限公司供應XD040Q120AM1S3國產(chǎn)IBGT管40A 1200V，原裝現(xiàn)貨 XD040Q120AM1S3 芯達茂XDM 40A 1200V

2025-01-06 11:46:25

已全部加載完成

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IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺

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