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標(biāo)簽 > LDMOS
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...
2017-12-08 標(biāo)簽:ldmos 6.9萬 0
高功率寬帶放大器應(yīng)該如何設(shè)計?如何選取合適的寬帶放大器?
高功率寬帶放大器的設(shè)計是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作,工程師需要在多個相互對立的設(shè)計參數(shù)之間進行折中。對于一個放大器用戶來說,不論是初始投資還是以后的運行成本...
一種快速有效的寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計與實現(xiàn)
針對LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計, 提出了一種快速、有效的方法。采用多節(jié)并聯(lián)導(dǎo)納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后, 利用ADS軟件對匹配網(wǎng)絡(luò)的S...
LDMOS在ESD設(shè)計中的應(yīng)用設(shè)計思路
LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計思路。
LDMOS,全稱為Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(側(cè)向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體),是一...
高功率放大器(HPA)通常用于國防、航空航天和氣象雷達等,從早期的分立或集成RF功率晶體管開始,一直到現(xiàn)在,已經(jīng)有好幾種有源器件半導(dǎo)體技術(shù)用于放大脈沖和...
蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求,例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會將討論恩智浦針對不同應(yīng)用的不同射頻功率解決方案,包括PA的關(guān)健考慮點(從客戶...
RESURF原理應(yīng)用于SOI LDMOS晶體管立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標(biāo)簽:晶體管LDMOSRESURF 3.3k 0
TRIPLE RESURF結(jié)構(gòu)的LDMOS器件設(shè)計立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2017-11-02 標(biāo)簽:LDMOS 2.9k 0
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...
2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 1.1萬 0
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年,能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點,抓住5G基站建...
超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可達14dB以上,而雙極型晶體管在5~6dB
2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOS 4.7k 0
本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案,給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析,并利用BCD 高壓工藝,在cadence 環(huán)境下進行電...
5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場
來源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
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