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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計?

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眾所周知,我們使用的大部分電子元件都是直流環(huán)境且電源正接下工作的,但是一旦電源出現(xiàn)反接的情況就有可能損壞電子元件,使其不能正常工作。

2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 7k 0

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比鄰驅(qū)動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片,具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動芯片碳化硅 7k 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測試(1)

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2023-05-26 標(biāo)簽:三極管MOSFETNMOS 7k 0

詳細(xì)分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解

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2019-05-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS管 7k 0

就SPWM的幾點結(jié)論進(jìn)行解釋

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2023-07-10 標(biāo)簽:MOSFET永磁同步電機調(diào)制器 7k 0

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當(dāng)續(xù)流二極管正向?qū)〞r,輸出電流變化,二極管的正向壓降是恒定不變的,鍺管的壓降為0.3V,硅管的壓降為0.7V。

2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源續(xù)流二極管 7k 0

集成電路制造工藝有哪幾種?

早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ,不久之后,則以更易大規(guī)模集成的 **平面金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)工藝為主流** 。MOSFET由于...

2023-05-06 標(biāo)簽:集成電路CMOSMOSFET 7k 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

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2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 7k 0

單相全橋逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu)

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2024-05-24 標(biāo)簽:MOSFET逆變器開關(guān)管 7k 0

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2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 7k 0

三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

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2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機SiC 7k 0

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電源設(shè)計小貼士42:可替代集成MOSFET的分立器件

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2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6.9k 0

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2023-09-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 6.9k 0

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2020-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體 6.9k 0

淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

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通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。

2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 6.9k 0

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    靜電防護(hù)
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