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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗證試驗
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型,對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Valida...
為音頻放大器選擇合適的帶內(nèi)部或外部揚(yáng)聲器
選擇合適的放大器總會涉及在系統(tǒng)類型、成本和性能之間做出權(quán)衡。設(shè)備性能包括音頻性能、熱性能和功能設(shè)置。在這篇博文中,我們將討論如何指定系統(tǒng)額定功率以及如何...
詳解運(yùn)放的偏置電流Ib與失調(diào)電流Ios
我們前面說過,理想運(yùn)放的同相端和反相端的輸入電流為0,所以才有“虛斷”的說法,但是實(shí)際運(yùn)放的輸入管腳都會流入或流出少量的電流,并且經(jīng)常同相端的電流和反相...
半導(dǎo)體世界可能會有一個新的參與者,它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。
2018-11-20 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6.5k 0
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
通過軟件設(shè)計0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件并進(jìn)行仿真實(shí)驗
近年來全球范圍內(nèi)出現(xiàn)了新一輪的太空探索熱潮,世界各主要航天大國相繼出臺了一系列雄心勃勃的航天發(fā)展規(guī)劃??臻g技術(shù)的迅猛發(fā)展,使各種電子設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于人...
MOS管的快速開啟和關(guān)閉(MOS管驅(qū)動電路設(shè)計)
MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響...
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/分類/應(yīng)用
MOS管是一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,也稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。它是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)中各種電路...
目前市場運(yùn)放種類繁多,面對不同的使用條件和環(huán)境,是否都能選擇一樣的運(yùn)放呢?沒關(guān)系,這是很多電子工程師都會困惑的問題,接下來為你揭開運(yùn)放選型的神秘面紗
2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管運(yùn)算放大器 6.5k 0
這種類型的放大器只有一部分信號周期內(nèi)的輸出晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),通常用于需要高效率但可以容忍較高失真的應(yīng)用,例如射頻傳輸。
LLC電路的ZVS零電壓開通十分重要,如果能夠保證ZVS,則無論是開關(guān)管的損耗,還是開關(guān)管的DS電壓應(yīng)力,都能夠得到比較好的效果。全球30A的開發(fā)過程證...
900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求
新品登場
2017-09-20 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體Mesh 6.5k 0
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