完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:6745個(gè) 瀏覽:233932次 帖子:1154個(gè)
通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 6.9k 0
T型三電平拓?fù)浼軜?gòu)深入剖析與碳化硅MOSFET技術(shù)優(yōu)勢的全面研究報(bào)告
T型三電平拓?fù)浼軜?gòu)深入剖析與碳化硅MOSFET技術(shù)優(yōu)勢的全面研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷...
2025-12-07 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET功率半導(dǎo)體 6.9k 0
在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來考慮這種器件的一個(gè)簡化模型,以便對晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
在CCM圖騰柱PFC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)最高效率
采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中,最高效率和功率密度不僅是流行語,而且是...
基于555定時(shí)器的負(fù)電壓發(fā)生器電路圖 負(fù)電壓發(fā)生器的工作原理和應(yīng)用
負(fù)電壓發(fā)生器,顧名思義,是一種能夠產(chǎn)生負(fù)電壓的電子設(shè)備。在電子電路中,電壓的極性對于電路的功能和性能具有重要影響。雖然大多數(shù)電子設(shè)備主要使用正電壓,但在...
意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動(dòng)下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展
滿足日益增長的高能效和高功率性能需求,同時(shí)不斷降低成本和尺寸是當(dāng)今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 6.9k 0
風(fēng)力發(fā)電的逆變設(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過模擬電路...
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 6.9k 0
晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件,用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種,其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此,它也被稱為IGF...
產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來,MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電荷平衡 6.8k 0
美國佛羅里達(dá)大學(xué)、美國海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān),展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...
2018-12-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6.8k 0
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。
2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 6.8k 0
介紹 LTC7000 的特點(diǎn)性能與應(yīng)用
LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地...
2018-06-28 標(biāo)簽:mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器ltc7000 6.8k 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |