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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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三星電廠爆炸，對(duì)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)有何影響？

一般半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)備都配有UPS（Uninterruptible Power Supply），即不間斷電源。供電的閃斷對(duì)機(jī)器影響不大，最多也只會(huì)造成部...

2016-06-19 標(biāo)簽：NAND 三星電子存儲(chǔ)芯片 1.3k 0

NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)將再次上漲6%

市場(chǎng)主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品，本周（6月7日）eMMC/eMCP價(jià)格維持平穩(wěn)走勢(shì)，240GB/480GB TLC SSD價(jià)格有所下滑。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 半導(dǎo)體芯片 976 0

武漢新芯可能2018年量產(chǎn)48層NAND

紅色供應(yīng)鏈來勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在存儲(chǔ)器搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

2016-05-10 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器武漢新芯 1.5k 0

武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。

2016-03-22 標(biāo)簽：NAND 半導(dǎo)體芯片武漢新芯 3.8k 0

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部

被東芝（Toshiba）視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Me...

2015-12-22 標(biāo)簽：東芝 NAND 存儲(chǔ)器 914 0

東芝傳分拆 NAND Flash 事業(yè)，以便上市籌資、代工強(qiáng)化收益

被東芝（Toshiba）視為營運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND 型快閃記憶體（Flash M...

2015-12-19 標(biāo)簽：東芝 NAND 700 0

英特爾大連廠攻NAND 市場(chǎng)恐供過于求

全球半導(dǎo)體龍頭英特爾宣布，旗下位于大陸大連的12寸晶圓廠將由原本生產(chǎn)電腦晶片組，轉(zhuǎn)為制造儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash），總投資金額達(dá)55億美元...

2015-10-22 標(biāo)簽：英特爾 NAND 785 0

四強(qiáng)投資動(dòng)作暗潮洶涌欲爭奪3D NAND市場(chǎng)

包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有...

2015-10-09 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè) 1k 0

聯(lián)發(fā)科2710萬美元收購存儲(chǔ)器商常憶科技

聯(lián)發(fā)科技表示，收購常憶科技主要木器是要強(qiáng)化存儲(chǔ)相關(guān)專利(IP)人才，并不會(huì)介入存儲(chǔ)市場(chǎng)，未來將是DRAM或NAND Flash存儲(chǔ)廠商合作。

2015-08-17 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 DRAM NAND 1.1k 0

速度是NAND千倍！新型非揮發(fā)性存的儲(chǔ)器已量產(chǎn)

英特爾（Intel）與美光科技（Micron）日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint，該種記憶體號(hào)稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來...

2015-07-30 標(biāo)簽：英特爾 NAND 存儲(chǔ)器 1.4k 0

慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案

在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporatio...

2014-12-23 標(biāo)簽：SATA NAND SSD 1.6k 0

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式...

2014-05-04 標(biāo)簽：東芝閃存 NAND 1.7k 0

新一代存儲(chǔ)器？十年后再說吧！

　很少人會(huì)想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場(chǎng)IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快...

2014-04-11 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 V-NAND 3.1k 0

云儲(chǔ)存崛起　移動(dòng)設(shè)備NAND存儲(chǔ)器萎縮加劇

NAND Flash存儲(chǔ)器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲(chǔ)存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)...

2013-11-26 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器云儲(chǔ)存 1.8k 0

NAND Flash合約價(jià)恐走跌本季仍供過于求

SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈，NAND Flash本季仍供過于求、價(jià)格也將恢復(fù)走跌情勢(shì)！受到大陸十一長假銷售情況疲軟，研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集...

2013-10-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 海力士 1.1k 1

IDC：2013年半導(dǎo)體營收將達(dá)3200億美元

7月31日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，由于智能手機(jī)與平板電腦需求依舊強(qiáng)勁，IDC調(diào)高今年全球半導(dǎo)體營收評(píng)估，并預(yù)期2014年將進(jìn)一步增長。

2013-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 744 0

Gartner：2012-2017年硬盤市場(chǎng)收入將逐年攀升

Gartner近日發(fā)布了2012~2017年硬盤發(fā)貨量報(bào)告，報(bào)告預(yù)測(cè)2017年搭載NAND閃存的混合硬盤出貨量將是現(xiàn)在的163倍。但是分析報(bào)告并沒有明確...

2013-07-10 標(biāo)簽：NAND 大容量硬盤 HDD 1.3k 0

2013無線領(lǐng)域的NOR閃存營收將持續(xù)下滑

據(jù)IHS公司的閃存動(dòng)態(tài)簡報(bào)，2013年無線領(lǐng)域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一，盡管NOR在嵌入領(lǐng)域的用量仍然保持很大。

2013-06-26 標(biāo)簽：PCM NOR閃存 NAND 1.7k 0

NAND閃存現(xiàn)曙光，今年?duì)I收有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡報(bào)，由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大，NAND閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。

2013-06-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 932 0

Intel企業(yè)級(jí)S3500系列SSD，攪動(dòng)云計(jì)算市場(chǎng)

Intel公司近日發(fā)布了一組可以將數(shù)據(jù)中心移到全SSD存儲(chǔ)模型的固態(tài)硬盤，宣稱其能改善云計(jì)算環(huán)境、數(shù)據(jù)中心虛擬化、虛擬主機(jī)以及讀密集型應(yīng)用的性能。

2013-06-21 標(biāo)簽：NAND SSD Intel公司 1.6k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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