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標(biāo)簽 > PSRAM
PSRAM,全稱Pseudo static random access memory。指的是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
PSRAM,全稱Pseudo static random access memory,主要應(yīng)用于手機(jī),電子詞典,掌上電腦,PDA,PMP,MP3/4,GPS接收器等消費(fèi)電子產(chǎn)品與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同。在容量上,有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。智能手機(jī)基本采用256MB以上的PSRAM,很多采用512MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對(duì)于要求有一定緩存容量的很多便攜式產(chǎn)品是一個(gè)理想的選擇。
APS6404L-SQRH-SN實(shí)現(xiàn)充電協(xié)議零延遲
愛普科技APS6404L-SQRH-SN是一款64Mb PSRAM,采用SOP-8封裝,支持1.8V電壓與工業(yè)級(jí)溫度范圍。其高帶寬和低功耗特性完美適配智...
AR/VR設(shè)備為何需要AP Memory愛普科技PSRAM
AP Memory 64Mb PSRAM APS6404L-SQH-SN以200MHz高帶寬與1.8V低電壓,為AR/VR穿戴設(shè)備提供高速顯示緩存。其工...
凱芯CascadeTeq CSS6404SU-L是一款64Mb QSPI pSRAM,采用串行接口實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸,工作電壓2.7-3.6V,時(shí)鐘頻率...
凱芯CSS12804SU-O 128Mbit pSRAM以2.1Gbps帶寬、1.8μA待機(jī)、3×3mm封裝重塑穿戴存儲(chǔ):實(shí)時(shí)緩存健康數(shù)據(jù),支撐AR與邊...
【AI技術(shù)支持】ESP32模組PSRAM的CS引腳上拉導(dǎo)致功耗上升處理
啟明云端/01你是否曾遇到過?在游戲機(jī)產(chǎn)品上,使用ESP32-WROOM-32E/ESP32-WROOM-32UE模組,ESP-IDF版本為IDFv5....
IAR下手動(dòng)拷貝自定義程序段到RAM中執(zhí)行的方法分享
在痞子衡舊文 《IAR下RT-Thread工程自定義函數(shù)段重定向失效分析》 里,我們知道 IAR 鏈接器處理自定義程序段重定向是有一些限制的,只要用戶重...
PSRAM的時(shí)序比較簡單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰驅(qū)動(dòng)的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延...
PSRAM避坑指南-關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)講解
以上分享了PSRAM接口一些關(guān)鍵的知識(shí)點(diǎn),大部分是容易理解錯(cuò)誤,且導(dǎo)致問題的點(diǎn),基本上理解這些點(diǎn)就能解決大部分問題了,作為入門參考也可以先看這篇,先有個(gè)...
APS6404L-SQN-ZR:助力智能設(shè)備性能翻倍
APS6404L-SQN-ZR 是一款64Mbit 的 PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),由 AP Memory 公司生產(chǎn)。它結(jié)合了 DRAM 的高密...
在內(nèi)存芯片領(lǐng)域,PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)作為一種結(jié)合了多種技術(shù)優(yōu)勢的存儲(chǔ)解決方案,正逐步在嵌入式系統(tǒng)、移動(dòng)設(shè)備及智能語音交互等場景中展現(xiàn)出其獨(dú)特價(jià)...
智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和端側(cè)AI應(yīng)用快速發(fā)展,PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,正成為越來越多嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選方案,如何選擇一個(gè)高性能、小尺寸與低功耗的psra...
PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢的存儲(chǔ)解決方案
PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的...
如何在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品應(yīng)用串行psram
PSRAM全稱為pseudo SRAM,一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議,給出地址,讀、寫命令,就可以實(shí)現(xiàn)存取,不同于DR...
2025-10-27 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)PSRAM 677 0
串行PSRAM比SRAM在應(yīng)用上的優(yōu)勢
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,如NAND、NOR Flash,數(shù)據(jù)在掉電后不會(huì)丟失。這類存儲(chǔ)器通常速度比較慢,可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
紫光國芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
近日,紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議...
S56404L 作為 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 芯片,針對(duì)傳統(tǒng)藍(lán)牙音頻設(shè)備在續(xù)航、延遲、空間等方面的瓶頸,通過多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)實(shí)現(xiàn)...
CSS6404L 在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用優(yōu)勢:低功耗高可靠的存儲(chǔ)革新與競品對(duì)比
CSS6404L 通過 “高集成度 + 低功耗 + 寬適應(yīng)” 的組合特性,在容量、功耗、性能及場景兼容性上全面超越同類競品,尤其在需要兼顧長續(xù)航、高速傳...
2025-06-06 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)PSRAM存儲(chǔ)芯片 691 0
國產(chǎn)高性能pSRAM選型指南:CSS6404LS-LI 64Mb QSPI偽靜態(tài)存儲(chǔ)器
CSS6404LS-LI憑借3.3V兼容性、工業(yè)級(jí)可靠性、133MHz QSPI突發(fā)性能及國產(chǎn)供應(yīng)鏈優(yōu)勢,成為替代ISSI/AP Memory等進(jìn)口pS...
2025-06-03 標(biāo)簽:PSRAM靜態(tài)存儲(chǔ)器QSPI 1.1k 0
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