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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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柵極誤導(dǎo)通的處理方法

使用評(píng)估電路來(lái)確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例，柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源...

2023-02-27 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器 SiC 1.7k 0

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。

2024-11-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 加工工藝 1.7k 0

SiC器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計(jì)?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設(shè)施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和其他關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。憑借先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，這些...

2023-10-10 標(biāo)簽：UPS 安森美不間斷電源 1.7k 0

淺談SiC晶體材料的主流生長(zhǎng)技術(shù)

在SiC晶體的擴(kuò)徑生長(zhǎng)上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費(fèi)的周期特別長(zhǎng)。

2024-03-04 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 1.7k 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器選型指南

電隔離式（GI）柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...

2024-11-11 標(biāo)簽：MOSFET 功率放大器安森美 1.7k 0

目前存在哪些與800V電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場(chǎng)對(duì)優(yōu)化設(shè)計(jì)、降低成本和提升車(chē)輛運(yùn)行效率的需求，并為產(chǎn)品測(cè)試提出了新的難題。

2024-02-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1.7k 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來(lái)的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件 SiC 1.7k 0

用SiC JFET技術(shù)徹底改變電路保護(hù)

20世紀(jì)中葉，住宅和工業(yè)電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了重大創(chuàng)新。其中最具影響力的進(jìn)展之一是從傳統(tǒng)的可更換保險(xiǎn)絲轉(zhuǎn)向微型斷路器(MCB)。雖然保險(xiǎn)絲提供了基本的保護(hù)，但在...

2024-07-24 標(biāo)簽：斷路器電路保護(hù)SiC 1.7k 0

TMS320F280033微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...

2025-09-30 標(biāo)簽：微控制器電力電子 SiC 1.7k 0

SiC模塊開(kāi)啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(chē)（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航能力。

2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器 IGBT 1.7k 0

在EV中使用第4代SiC MOSFET：裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試結(jié)果，按照油耗測(cè)試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真，確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 PFC 1.7k 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.7k 0

方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡(jiǎn)介

方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專(zhuān)為新能源車(chē)主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的高性能SiC MOS功率模塊，旨在提供...

2025-07-31 標(biāo)簽：芯片 MOS SiC 1.6k 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-02-03 標(biāo)簽：變頻器電力電子 SiC 1.6k 0

宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

汽車(chē)行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車(chē)載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向...

2022-11-25 標(biāo)簽：輻射 SiC DCDC 1.6k 0

橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC VDS 1.6k 0

在半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)

2023-12-07 標(biāo)簽：SiC 共源共柵米勒電容 1.6k 0

瑞能半導(dǎo)體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產(chǎn)品介紹

WeenPACK-B產(chǎn)品系列是一款專(zhuān)為逆變器與變流器設(shè)計(jì)的高效功率模塊，高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺(tái)，可覆蓋最大功率100kW的應(yīng)用場(chǎng)景。包括工...

2025-03-04 標(biāo)簽：逆變器 SiC 功率模塊 1.6k 0

功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 標(biāo)簽：熱阻功率器件 SiC 1.6k 0

PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過(guò)電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
UCD3138

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