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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.5k 0

追求盡善盡美–電動車中的SiC半導(dǎo)體

本文探討了SiC FET共源共柵結(jié)構(gòu)是如何提供最佳性能和一系列其他好處的。

2021-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電動車 SiC 1.5k 0

GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

2024-08-30 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.5k 0

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動的方法

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。

2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 SiC 1.5k 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.5k 0

半導(dǎo)體材料電磁特性測試方法

從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。

2025-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 參數(shù)分析儀 1.5k 0

如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性？

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

2024-04-07 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體功率器件 1.5k 0

如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

當(dāng)前，在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展，加上我國經(jīng)濟(jì)快速騰飛，能源需求量大幅上升，在這樣...

2024-10-08 標(biāo)簽：芯片封裝 IGBT 1.5k 0

了解柵極-源極電壓浪涌

由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 同步升壓 1.5k 0

分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測試解決方案

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 電力電子器件 SiC 1.5k 0

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動效率

工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?；趶?qiáng)大的電動機(jī)，用于連續(xù)運行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機(jī)，由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.5k 0

碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標(biāo)簽：SBD SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC FET的起源及其向完美開關(guān)的演變

當(dāng)然，（近乎）完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時間了，但我們在這里不是在談?wù)摍C(jī)械。現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān)，當(dāng)打開時沒有電阻，關(guān)閉時...

2022-08-03 標(biāo)簽：電源 FET SiC 1.5k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC肖特基勢壘二極管更新?lián)Q代步履不停

ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC　SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當(dāng)時業(yè)界最小...

2023-02-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1.5k 0

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...

2025-06-03 標(biāo)簽：IGBT SiC 芯片封裝 1.5k 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量方法

本文的關(guān)鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開關(guān)速度較快時，觀察到的波形會發(fā)生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 電壓測量 1.5k 0

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度（2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場強(qiáng)度（0.8×10...

2023-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.5k 0

碳化硅技術(shù)助力綠色環(huán)保替代方案進(jìn)入良性循環(huán)

大幅提高可再生能源（尤其是太陽能和風(fēng)能）的投資回報率（ROI），意味著需要提升儲能系統(tǒng)（ESS）的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不斷增長的電動汽車...

2023-05-19 標(biāo)簽：太陽能 SiC 可再生能源 1.5k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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