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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應用需求

碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境...

2023-05-19 標簽：二極管 MOSFET SiC 1.3k 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅動模塊

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2023-02-02 標簽：MOSFET 控制系統(tǒng)IGBT 1.3k 0

基于SiC MOSFET的T型三電平數(shù)據中心UPS高效設計方案

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2025-08-10 標簽：MOSFET UPS 數(shù)據中心 1.3k 0

25kW SiC直流快充設計指南

我們的目的不是討論控制理論，而是提供第一手詳細信息，介紹開發(fā)團隊所采取的控制硬件和軟件開發(fā)的有益方法，幫助加快固件開發(fā)和驗證過程。這些信息既適用于ARM...

2022-07-30 標簽：PFC SiC 快充 1.3k 0

浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅動熱管理效率?

提高電機驅動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關鍵。特斯拉已經使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1.3k 0

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前...

2023-02-13 標簽：二極管功率二極管 SiC 1.3k 0

新能源汽車高壓充電系統(tǒng)有哪些

截至2023 年6月末，全國充電樁保有量為665.2萬臺，同比增加 69.8%。其中，公共充電樁占比 32.3%，私人充電樁占比 67.7%。近年來車樁...

2023-08-29 標簽：動力電池新能源汽車 IGBT 1.2k 0

碳化硅上的氮化鎵還是硅上的氮化鎵？

SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...

2023-05-24 標簽：SiC GaN 5G 1.2k 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術在各種領域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應用范圍不斷擴大。在這一領域，碳化硅...

2023-12-26 標簽：半導體功率器件 SiC 1.2k 0

碳化硅在電動汽車的應用

汽車行業(yè)正在經歷從內燃機（ICE）汽車到電動汽車（EV）的前所未有的轉型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下，預計到45年，電動汽車將達到新車總銷量的...

2023-09-20 標簽：電動汽車 IGBT 晶體管 1.2k 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。

2024-03-19 標簽：功率轉換功率器件 SiC 1.2k 0

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 標簽：MOSFET SiC Rohm 1.2k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應用及發(fā)展

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等，在功率器件領域展...

2023-12-28 標簽：半導體功率器件 SiC 1.2k 0

橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時

2023-12-05 標簽：驅動器電壓柵極 1.2k 0

安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據中心的應用

如今，數(shù)據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。

2024-12-24 標簽：MOSFET 安森美 PFC 1.2k 0

在橋式結構中的注意事項：探頭的CMRR

在對橋式結構中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會...

2023-02-22 標簽：MOSFET 波形探頭 1.2k 0

SiC推動實現(xiàn)可再生的未來

隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來邁進，許多國家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電，轉而使用可再生能源。

2022-11-24 標簽：逆變器太陽能光伏 SiC 1.2k 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領域內的明星產品，它的出現(xiàn)預示著一次技術革命的悄然到來。

2024-04-26 標簽：逆變器功率器件 SiC 1.2k 0

如何設計 IGBT 和 SiC FET 驅動電路以防止誤觸發(fā)？

在設計IGBT或SiCFET橋接電路時，門驅動電路的正確設計與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對環(huán)境的關注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...

2024-11-05 標簽：IGBT 驅動電路 SiC 1.2k 0

基于碳化硅的解決方案實現(xiàn)公交車的電氣化

像任何其他電動汽車一樣，公共汽車必須克服里程焦慮，因為它們必須能夠在不需要充電的情況下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...

2023-05-24 標簽：電動汽車充電器 SiC 1.2k 0

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