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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納,特別是電動(dòng)汽車,以應(yīng)對(duì)開發(fā)高效率和高功率器件所...
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特...
高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
Wolfspeed參考設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)人員提供了良好的起點(diǎn)
除了提供詳細(xì)的參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用注釋、模擬和 PLECS/LTSpice 模型(可點(diǎn)擊此處訪問 Wolfspeed 網(wǎng)站上的文檔庫查找)外,Wolfspee...
2023-05-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCLTspice 1.4k 0
三相全橋SiC MOSFET模塊,為車載空調(diào)壓縮機(jī)提供創(chuàng)新解決方案
1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu),以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能,展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢(shì)...
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 標(biāo)簽:二極管SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路 1.4k 0
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixa...
功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...
【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四:寬禁帶材料測(cè)試
隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
SiC FET在固態(tài)斷路器應(yīng)用中的沖擊電流處理能力
固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機(jī)械斷路器具有多種優(yōu)勢(shì)?;趯拵?WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應(yīng)用中擴(kuò)大其...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.4k 0
面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下,對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率(...
碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來超級(jí)結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開...
使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同,因而電氣特征也不同。補(bǔ)充說明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET,因其高耐壓且可降低...
有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...
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