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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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深入探索研究SiC功率器件高效互連技術

本文采用的DTS（DieTopSystem）技術結合了芯片雙面銀燒結工藝與銅線鍵合工藝，此技術能夠避免直接在芯片上進行銅線鍵合時造成的芯片損傷。

2024-03-18 標簽：DTS 功率器件 SiC 1.4k 0

最大限度降低SiC FET的EMI的開關損耗

對高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速開關速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。

2023-02-21 標簽：MOSFET emi SiC 1.4k 0

利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉換...

2023-03-20 標簽：電源轉換器晶體管 1.4k 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-08 標簽：二極管 PND SBD 1.4k 0

AC/DC轉換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹

內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 標簽：轉換器 MOSFET 封裝 1.4k 0

AC/DC拓撲：SpeedFit示例

SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應用的六種不同的單相拓撲。這些拓撲為有源單相升壓模式電路，用于功率因數(shù)校正（PFC）應用。PFC 的...

2023-05-20 標簽：電源二極管 SiC 1.4k 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標簽：BGA SiC 芯片封裝 1.3k 0

通過轉移到SiC技術來獲得暖通空調更佳的SEER等級

由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021期間，天然氣價格上漲了47%。

2023-07-08 標簽：空調 Mouser SiC 1.3k 0

SiC產品和Si產品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特...

2023-07-18 標簽：變壓器 SBD SiC 1.3k 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例

2023-02-17 標簽：PCB MOSFET SiC 1.3k 0

基于SiC器件的電力電子變流器研究

2023-06-20 標簽：電力電子 SiC 變流器 1.3k 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業(yè)，因為它們的技術成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標簽：MOSFET 驅動器充電器 1.3k 0

TSSG法生長SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無熔點，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預測，只有在壓強高達1...

2025-04-18 標簽：晶體工藝 SiC 1.3k 0

TMS320F28P559SJ-Q1 實時微控制器技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包...

2025-04-14 標簽：微控制器電力電子器件 SiC 1.3k 0

基于SiC模塊的電動壓縮機設計

壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現(xiàn)車內外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶...

2024-11-14 標簽：電動汽車 MOSFET 壓縮機 1.3k 0

650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2022-08-01 標簽：英飛凌二極管 SiC 1.3k 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 1.3k 0

一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換...

2024-06-21 標簽：半導體 MOS SiC 1.3k 0

SiC與功率器件半導體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標簽：晶閘管 MOS 功率器件 1.3k 0

SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢在哪里

在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯(lián)。但在特...

2023-12-16 標簽：MOSFET 電機驅動 IGBT 1.3k 0

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