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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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從微積分的視角結(jié)構(gòu)功率電子:碳化硅(SiC)技術(shù)的數(shù)學(xué)原理與工程價值解析報告
從微積分的視角結(jié)構(gòu)功率電子:碳化硅(SiC)技術(shù)的數(shù)學(xué)原理與工程價值解析報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
東芝推出基于SiC MOSFET的3kW電動自行車快速充電器電源參考設(shè)計
隨著碳中和議題升溫,電動自行車保有量迅速攀升,集中式快充站點日均充電頻次呈倍數(shù)增長。傳統(tǒng)方案在快充模塊中已逼近效率與功率密度極限,發(fā)熱、體積與可靠性矛盾...
據(jù)參考消息網(wǎng)報道,美國太空探索技術(shù)公司計劃未來數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運...
深遠海風(fēng)電變流技術(shù)的拓?fù)浼軜?gòu)演進與SiC碳化硅功率模塊的應(yīng)用價值研究報告
深遠海風(fēng)電變流技術(shù)的拓?fù)浼軜?gòu)演進與SiC碳化硅功率模塊的應(yīng)用價值研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
“三個必然”戰(zhàn)略論斷下的SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進與自主可控之路
“三個必然”戰(zhàn)略論斷下的SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進與自主可控之路 在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與“雙碳”目標(biāo)的宏觀背景下,功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的“心臟”...
2026-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 244 0
邁向吉瓦級AI工廠的能源變革:英偉達Rubin平臺電源架構(gòu)解析
隨著人工智能(AI)模型參數(shù)量突破萬億級別,從大語言模型(LLM)的訓(xùn)練向推理、以及更高級的代理型AI(Agentic AI)演進,數(shù)據(jù)中心正在經(jīng)歷一場...
商用車電驅(qū)動SiC功率模塊選型變革報告:從封裝路線的博弈到ED3碳化硅的主宰
全球商用車(Commercial Vehicle, CV)行業(yè)正處于從內(nèi)燃機向電氣化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵十字路口。與乘用車市場追求百公里加速和極致緊湊體積不同,商...
巨霖科技與東南大學(xué)聯(lián)合項目榮獲2025教育部工程技術(shù)獎一等獎
近日,教育部公布了2025年科學(xué)研究優(yōu)秀成果獎(自然科學(xué)和工程技術(shù))的授獎名單。由巨霖科技(上海)有限公司、東南大學(xué)聯(lián)合申報的“寬禁帶功率半導(dǎo)體器件可靠...
2026-01-07 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 573 0
深耕質(zhì)量賽道 鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭妍微電子獲 “全國質(zhì)量檢驗穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證
近日,深圳爭妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn),成功通過中國質(zhì)量檢驗協(xié)會審核,榮獲 “全國質(zhì)量檢驗穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證,并獲頒專用標(biāo)...
當(dāng)時光來到2025年末,我們回望這不平凡的一年,那些并肩奮斗的日與夜,那些值得銘記的瞬間,都清晰如昨。
三菱電機2025年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣回顧
站在 2025 年的歲末回望,三菱電機以覆蓋芯片、模塊至系統(tǒng)級的密集創(chuàng)新成果,交出了一份亮眼的年度答卷。這不僅是一次產(chǎn)品矩陣的迭代升級,更是企業(yè)面向多行...
新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2
新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳...
功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用
傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
2026-01-04 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 2.1k 0
商用車電驅(qū)動SiC模塊選型返璞歸真:從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告
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碳化硅SiC功率模塊深度技術(shù)分析報告:產(chǎn)品力解構(gòu)與固態(tài)斷路器/BDU應(yīng)用
BMZ0D60MR12L3G5 碳化硅SiC功率模塊深度技術(shù)分析報告:產(chǎn)品力解構(gòu)與SSCB固態(tài)斷路器/BDU應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是...
市場趨勢分析:DCM?1000以及類似封裝的SiC模塊在電驅(qū)動領(lǐng)域遭遇淘汰的原因
市場趨勢分析:DCM?1000以及類似封裝的SiC模塊在電驅(qū)動領(lǐng)域遭遇淘汰的原因 在全球汽車工業(yè)向電氣化轉(zhuǎn)型的宏大敘事中,功率模塊作為牽引逆變器的核心心...
SiC碳化硅MOSFET短路過流兩級關(guān)斷(2LTO)保護成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報告
SiC碳化硅MOSFET短路過流耐受時間較短的根本性物理分析與兩級關(guān)斷(2LTO)保護成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報告:兩級關(guān)斷(Two-Level Turn-O...
商用車電驅(qū)動SiC功率模塊選型的結(jié)構(gòu)性分析:HPD封裝的局限與ED3封裝的技術(shù)復(fù)興
全球交通電氣化的浪潮已呈現(xiàn)出兩種截然不同的技術(shù)演進路徑:以高產(chǎn)量、中等電壓架構(gòu)(400V-800V)為特征的乘用車(Passenger Electric...
商用車SiC碳化硅功率模塊電驅(qū)動研究報告:DCM與ED3標(biāo)準(zhǔn)化平臺的對比分析
全球商用汽車(Commercial Vehicles, CV)的電氣化進程正處于從早期試點向大規(guī)模商業(yè)化部署的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點。
AIDC儲能變流器PCS中隔離DC/DC拓?fù)浼軜?gòu)演進與SiC碳化硅功率模塊的應(yīng)用價值
隨著人工智能(AI)大模型訓(xùn)練與推理需求的爆發(fā)式增長,算力基礎(chǔ)設(shè)施正在經(jīng)歷一場前所未有的能源變革。
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