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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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SRAM與DRAM究竟有何區(qū)別？誰能成為存儲技術(shù)殺手锏

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM 逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不...

2022-12-09 標(biāo)簽：DRAM sram 2.6k 0

低功耗SRAM存儲器的簡單描述及特征介紹

低功耗SRAM存儲器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲器，廣泛...

2021-06-08 標(biāo)簽：存儲器 sram 2.6k 0

賽普拉斯針對掉電數(shù)據(jù)保存推出1Mb nvSRAM

非易失性RAM解決方案簡化了設(shè)計，無需電池并減少了管腳數(shù) 用于RAID存儲、工業(yè)自動化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用

2015-08-04 標(biāo)簽：賽普拉斯 SRAM nvSRAM 2.6k 1

只需1-Wire即可操作I2C/SPI端點

　　DS28E18 的 GPIO、I 2 C 和 SPI 接口在四個引腳上復(fù)用，如圖 5所示。I 2 C 接口可配置為以 100kHz、400kHz 或...

2022-05-30 標(biāo)簽：傳感器 sram SPI 2.6k 0

京微雅格新一代金山系列FPGA：低成本應(yīng)用的理想選擇

本文核心議題：京微雅格開始發(fā)售其新一代全新架構(gòu)的CME-M5-C （金山） FPGA器件----該系列FPGA通過集成片上MCU處理器、SRAM存儲器...

2012-08-17 標(biāo)簽：FPGA MCU SRAM 2.6k 0

Microchip微芯SRAM芯片23LC1024規(guī)格資料

Microchip微芯23LC1024是一款容量為1Mbit串行Serial SRAM器件。存儲器通過簡單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問。所需...

2022-06-23 標(biāo)簽：存儲器 microchip sram 2.6k 0

真正非易失性FPGA的優(yōu)勢

并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時間、無與倫比的可靠性和不折不...

2022-11-14 標(biāo)簽：fpga sram 2.5k 0

XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM

XRAM是一種新的內(nèi)存架構(gòu)，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新架構(gòu)來顯著提高內(nèi)存密度，性能并簡化用戶...

2020-09-09 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 2.5k 0

MRAM接班主流存儲器指日可待

　　存儲產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲（SRAM）的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲...

2016-03-09 標(biāo)簽：SRAM 存儲技術(shù)MRAM 2.5k 1

國產(chǎn)SPI SRAM存儲器EMI7064MSMI介紹

介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號處理過程的緩沖，MCU遠(yuǎn)程升級的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國產(chǎn)SPI SRAM存儲器，EMI7064MSMI是一款具有SPI 接口...

2021-08-24 標(biāo)簽：芯片存儲器 sram 2.5k 0

Cypress異步SRAM系列又添新丁低功耗MoBL器件橫空出世

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。

2014-09-11 標(biāo)簽：SRAM 賽普拉斯公司 MoBL 2.5k 0

在運(yùn)行時檢測SRAM故障的挑戰(zhàn)

　　在設(shè)計安全關(guān)鍵系統(tǒng)時，國際安全標(biāo)準(zhǔn)對我們選擇適當(dāng)?shù)牧鞒毯瓦m當(dāng)?shù)募夹g(shù)來檢測和避免最終產(chǎn)品中的危險故障至關(guān)重要。這些標(biāo)準(zhǔn)確保我們不會像我們之前的安全工程...

2022-10-25 標(biāo)簽：微控制器存儲器 SRAM 2.4k 0

業(yè)界最快QDR SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)

QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633...

2011-04-27 標(biāo)簽：存儲器 SRAM QDR 2.4k 0

這種技術(shù)可能會成為處理器高級高速緩存中使用的SRAM的替代產(chǎn)品

但是CeRAM的速度可以使其很好地替代SRAM。迄今為止，他們已經(jīng)使CeRAM具有2納秒的脈沖寬度來寫入數(shù)據(jù)，這與處理器的L3高速緩存所需的速度相當(dāng)；Y...

2020-11-04 標(biāo)簽：處理器 sram 存儲技術(shù) 2.4k 0

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EE...

2021-01-11 標(biāo)簽：存儲器 sram 2.4k 0

SRAM如何克服其擴(kuò)展問題？有哪些方法呢？

在高級節(jié)點使用 SRAM 需要新的方法。

2024-02-25 標(biāo)簽：CMOS 電容器存儲器 2.4k 0

Arm Ethos-U85：滿足物聯(lián)網(wǎng)面向AI時代的高性能需求

隨著人工智能 (AI) 不斷對我們的日常生活產(chǎn)生越來越大的影響，其推理任務(wù)也逐漸從云端遷移到邊緣側(cè)和端側(cè)。

2024-04-09 標(biāo)簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)人工智能 2.4k 0

Microchip微芯串行SPI SRAM芯片簡述

串行SRAM是一種獨立的易失性存儲器，它提供了一種簡單且便宜的方式來為您的應(yīng)用程序添加更多RAM。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和...

2022-05-30 標(biāo)簽：microchip sram 2.4k 0

芯片設(shè)計挑戰(zhàn)：SRAM縮放速度變慢

臺積電在今年早些時候正式推出其 N3 制造技術(shù)時表示，與其 N5（5 納米級）工藝相比，新節(jié)點的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是...

2022-12-22 標(biāo)簽：臺積電 cpu gpu 2.3k 0

國產(chǎn)串行SRAM存儲芯片EMI7008LSMI的介紹

EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問的SRAM存儲芯片，內(nèi)部組織為1024K字，每個8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計和制造，以提供高速...

2021-03-18 標(biāo)簽：芯片 sram 2.3k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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