看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機(jī)會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
2670 
UART內(nèi)核保存接收的數(shù)據(jù)時使用的是什么模式
2025-12-25 06:55:09
eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283972 
在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
在電子設(shè)備設(shè)計中，數(shù)據(jù)存儲是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42444 
使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM
下載示例
演示AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的使用方法。
注：本例程對應(yīng)的代碼是基于雅特力提供的V2.x.x 板級支持包
2025-12-03 16:26:37
在鋰電池的生產(chǎn)與應(yīng)用領(lǐng)域，安全始終是重中之重。鋰電池外殼的氣密性直接關(guān)系到電池的性能、壽命以及使用安全。傳統(tǒng)的檢測方法往往存在一定的局限性，而如今，非破壞性檢測新選擇——鋰電池外殼氣密性檢測儀
2025-12-02 14:31:48134 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46868 從SRAM區(qū)域讀取傳輸信息，并將其設(shè)置在其內(nèi)部寄存器中。數(shù)據(jù)傳輸結(jié)束后，內(nèi)部寄存器內(nèi)容作為傳輸信息寫回SRAM區(qū)域。
2025-11-28 15:50:584483 
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35245 在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計，提高了存儲密度，但增加了控制復(fù)雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機(jī)內(nèi)存。
2025-11-18 11:49:00477 存儲解決方案。與傳統(tǒng)的異步SRAM相比，同步SRAM在結(jié)構(gòu)和工作機(jī)制上進(jìn)行了優(yōu)化，能夠更好地適應(yīng)高速數(shù)據(jù)處理場景，因此在通信設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)及高性能計算等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
2025-11-18 11:13:01242 ，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 我目前正在使用EZ-USB? CX3（MIPI CSI-2 到超高速USB橋接控制器）開發(fā)固件。
我想知道如何檢查或估算該設(shè)備的SRAM 使用量。
由于 CX3不支持 JTAG 訪問，我無法使用典
2025-11-11 06:33:59
地上傳至主站。以下是具體實現(xiàn)邏輯： 一、暫態(tài)數(shù)據(jù)的本地存儲機(jī)制 非易失性存儲介質(zhì) 裝置內(nèi)置工業(yè)級存儲模塊（如 SD 卡、eMMC 閃存或固態(tài)硬盤），容量通常為 8GB~64GB，可支持連續(xù)存儲數(shù)周的高頻暫態(tài)數(shù)據(jù)。例如，某高精度裝置以
2025-11-09 16:43:521103 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 在規(guī)范設(shè)計與落地的前提下，電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)保存到云端 是安全的 。云端安全并非 “絕對無風(fēng)險”，而是通過 “傳輸加密、存儲防護(hù)、權(quán)限管控、合規(guī)認(rèn)證、災(zāi)備冗余” 五大核心機(jī)制，將風(fēng)險控制在
2025-10-30 09:37:39133 大家好，本團(tuán)隊此次分享的內(nèi)容為可實現(xiàn)數(shù)據(jù)全復(fù)用高性能池化層設(shè)計思路，核心部分主要由以下3個部分組成；
1.SRAM讀取模塊；——池化使用的存儲為SRAM
基于SRAM讀與寫時序，約束池化模塊讀與寫
2025-10-29 07:10:56
PSRAM全稱為pseudo SRAM，一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議，給出地址，讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不同于DRAM需要用到memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新
2025-10-27 16:04:47450 非揮發(fā)性存儲器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。
2025-10-27 15:14:39310 在存儲解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 /45納秒的訪問速度，結(jié)合無限次讀寫與20年數(shù)據(jù)保存能力，成為替代傳統(tǒng)SRAM與NOR Flash的理想選擇。
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的測量數(shù)據(jù)保存時間受 設(shè)備配置、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、存儲策略和應(yīng)用場景 等多重因素影響，通?？蓮臄?shù)小時到數(shù)年不等。以下是具體分析： 一、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與法規(guī)要求 基礎(chǔ)國家標(biāo)準(zhǔn) 根據(jù) GB/T
2025-10-23 17:41:33589 、建立讀寫操作、配置地址計數(shù)器、模擬數(shù)據(jù)流、綜合與仿真以及下載到FPGA進(jìn)行硬件測試。通過實踐，掌握SRAM在FPGA中的使用和基本讀寫方法，加深對FPGA工作原理的理解。
2025-10-22 17:21:384118 
一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
具有4096K位低功耗和單電壓讀寫操作。23AA04M和23LCV04M支持串行雙接口 (SDI) 和串行四路接口 (SQI)，可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)速率和143MHz高速時鐘頻率。SRAM具有內(nèi)置糾錯碼
2025-10-09 11:16:59540 具有2048K位低功耗和單電壓讀/寫操作功能。該器件支持雙路串行接口 (SDI) 和四路串行接口 (SQI)，可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率和143MHz高速時鐘頻率。該SRAM提供內(nèi)置糾錯碼 (ECC
2025-10-09 11:12:55559 。將這些數(shù)據(jù)可靠、高效地保存到數(shù)據(jù)庫，能夠為企業(yè)搭建數(shù)據(jù)平臺，支撐后續(xù)的數(shù)據(jù)分析、報表生成以及決策支持等應(yīng)用。 在實際應(yīng)用場景中，面對到多源異構(gòu)的PLC品牌，往往對數(shù)據(jù)采集通信造成困擾，比如西門子的MPI、Profinet，三菱
2025-09-30 16:50:041404 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速訪問設(shè)計，為VR設(shè)備提供高性能非易失性存儲解決方案，顯著提升圖像處理與數(shù)據(jù)讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00525 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
2025-09-08 09:51:206272 
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”，守護(hù)芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟(jì)
2025-09-05 10:46:161152 ：
M2354 系列框圖：
新唐 M2354 系列具有引人注目的功能，使其成為 RTU 應(yīng)用的最佳選擇：
1. 安全性高
NuMicro? M2354系列微控制器基于Arm? Cortex-M23
2025-09-05 08:25:02
ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00534 
使用 NUC505 時如何將代碼放入 SRAM 中執(zhí)行？
2025-08-28 08:25:40
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時不初始化？
2025-08-25 06:09:44
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時不初始化？
2025-08-21 07:17:17
如何在Keil開發(fā)環(huán)境中查看代碼大小和SRAM使用情況？
2025-08-20 06:38:41
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592247 ，需通過現(xiàn)有資源實現(xiàn)類似功能。
技術(shù)可行性：利用FLASH的非易失性特性，通過軟件算法模擬EEPROM的字節(jié)級讀寫能力。
核心差異與挑戰(zhàn)
物理限制：FLASH需按扇區(qū)/頁擦除且寫入前必須全擦除為
2025-08-14 06:13:45
兩個總線能不能同時使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點和應(yīng)用場景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲：以電信號形式長期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 數(shù)據(jù)保存”模式和“存儲”模式將通過差異化功能設(shè)定滿足用戶多樣化的數(shù)據(jù)存儲需求：當(dāng)您僅需保存一組數(shù)據(jù)時可選擇“數(shù)據(jù)保存”模式；而當(dāng)您需要連續(xù)記錄數(shù)據(jù)時則可選擇“存儲”模式。
2025-07-23 17:51:03830 
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運(yùn)行SRAM中的Flash driver
我應(yīng)該如何實現(xiàn)這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
。 ? 半導(dǎo)體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
，代表不同數(shù)據(jù)狀態(tài)（如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits）。數(shù)據(jù)以“塊”為單位擦除和寫入。
特點：
優(yōu)點：非易失性，容量大（單位成本低），抗震抗摔（無機(jī)
2025-06-24 09:09:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，Marvell 美滿電子當(dāng)?shù)貢r間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM，可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上緩存。Marvell
2025-06-21 00:57:007264 國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域取得的一項重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071062 在電子工程與科研實驗中，示波器作為信號分析的核心工具，其波形數(shù)據(jù)的存儲與后續(xù)處理至關(guān)重要。泰克示波器憑借其卓越的性能與豐富的功能，為用戶提供了多種波形保存方式，其中CSV格式因兼容性強(qiáng)、數(shù)據(jù)開放度高
2025-06-07 15:31:28992 
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認(rèn)上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45861 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
我對 PMG1 閃光燈有疑問。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？ 是 SRAM 嗎？
2.微控制器加載軟件時，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位？
2025-05-23 06:22:31
你好。我是CYUSB3的初學(xué)者。
我想創(chuàng)建一個使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 訪問 SRAM 的應(yīng)用程序。
目前我已經(jīng)在我的電腦上安裝了SDK，但是有什么參考資料嗎？
2025-05-14 06:51:40
DeepCover 嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級的密鑰存儲安全保護(hù)。
DeepCover安全管理器(DS3640)是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全
2025-05-13 11:22:05617 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
與指令執(zhí)行，速度最快（納秒級），但容量極小（通常為KB級）。 功能?： 存儲臨時操作數(shù)、地址指針及狀態(tài)標(biāo)志。 支持低延遲的數(shù)據(jù)處理，確保實時控制類任務(wù)的高效執(zhí)行。 二、片上SRAM層（高速易失存儲） 定位?：CPU主內(nèi)存，用于存儲運(yùn)行時變量、
2025-05-09 10:21:09618 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
我有 NXP S32G3 板。我有 .map 文件。有沒有辦法從 .map 文件確定 SRAM 使用情況。
非常感謝幫助。
2025-04-08 06:00:58
如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數(shù)據(jù)放入 SRAM 中以進(jìn)行S32K146？
2025-04-01 08:27:32
（主）
int_sram_no_cacheable
int_sram_shareable
由于我超出了 RAM 使用量 （int_sram），我能夠?qū)⒁恍?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)
2025-03-27 07:16:12
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機(jī)訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809 NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點。
2025-03-12 10:21:145318 
采用STM32F427+FPGA+Flash。
STM32通過FMC總線訪問FPGA內(nèi)部SRAM，起始地址為0x60000000；
Flash中存儲FPGA的配置數(shù)據(jù)，STM32和FPGA均可
2025-03-12 07:59:54
特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）即時啟動，非易失性架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時鐘到輸出時間提供四個全局時鐘，每個邏輯陣列塊（LAB）有兩個時鐘可用高達(dá) 8 千
2025-03-07 15:19:03
兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當(dāng)成一塊使用
2025-03-07 08:59:10
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機(jī)，專為Wi-Fi /藍(lán)牙通信控制而設(shè)計；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，可應(yīng)用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應(yīng)用。
2025-03-04 09:27:09759 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43994 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45744 
DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58890 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41747 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:38:17905 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:23:11836 
DS3232是低成本溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)，內(nèi)置精度極高的溫度補(bǔ)償實時時鐘(RTC)以及236字節(jié)電池備份SRAM。此外，DS3232還具有電池輸入，可在器件主電源掉電時保持精確計時。集成晶
2025-02-26 15:05:231006 
可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
需要2個單片機(jī)同時都能訪問SRAM,需要把2個單片機(jī)的總線通過開關(guān)進(jìn)行切換，查了SN74CBTLV16292 芯片，是屬于FET multiplexer/demultiplexer ，頭一次用這個
2025-01-09 08:24:26
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工商網(wǎng)監(jiān)
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