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計(jì)時(shí)使用非易失性內(nèi)存和微控制器-Using a Nonvol

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2018-01-04 13:42:221

如何選擇一款“極耐寒”的內(nèi)存

首先想要給燒友們介紹下什么是非內(nèi)存?是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)。 非易失性存儲(chǔ)中,依存儲(chǔ)內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM
2018-06-25 14:11:274108

Mbit靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)nvSRAM系列

包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的 SRAM 存儲(chǔ)。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02933

英睿達(dá)的內(nèi)存單條容量達(dá)32GB 通過(guò)了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的3DX Point存儲(chǔ)技術(shù)正在逐步普及,雙方都發(fā)布了一些SSD固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品(Intel的叫傲騰),現(xiàn)在兩家紛紛將其帶到了內(nèi)存領(lǐng)域。
2018-11-01 16:02:531477

可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實(shí)上,除了這些傳統(tǒng)要求,在前兩代FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上,萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上存儲(chǔ),以及作為FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069

微控制器(MCU)由什么組成

微控制器(MCU)由中央處理(CPU),非易失性存儲(chǔ)(ROM),存儲(chǔ)(RAM),外圍設(shè)備和支持電路組成。
2020-06-29 11:20:0010199

ROHM確立邏輯IC技術(shù)的可靠,已進(jìn)行批量生產(chǎn)

ROHM確立了邏輯IC技術(shù)的可靠,已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了邏輯CMOS同步式的技術(shù)開(kāi)發(fā)了4 Pin邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917

關(guān)于NV-SRAM的簡(jiǎn)介,它的用途是什么

。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下NV-SRAM。 NV-SRAM簡(jiǎn)介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)(RAM)。這個(gè)名稱意義不大,因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問(wèn)的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322232

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ),它有什么優(yōu)點(diǎn)

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)。所謂是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理讀取資料時(shí),不定要從頭開(kāi)始,隨時(shí)都可用相同的速率,從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343892

NVSRAM存儲(chǔ)的詳細(xì)講解

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2020-11-25 11:12:0026

關(guān)于存儲(chǔ)SRAM基礎(chǔ)知識(shí)的介紹

可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。常見(jiàn)的設(shè)備如電腦硬盤(pán)、TF卡、SD卡、U盤(pán)等。 存儲(chǔ) 存儲(chǔ)是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候數(shù)據(jù)丟失。常見(jiàn)的設(shè)備如電腦內(nèi)存、高速緩存、顯示顯存等。 存儲(chǔ)-RAM 存儲(chǔ)主要是指隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)
2020-12-07 14:26:136411

關(guān)于0.13μmFRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫(xiě)入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管?chē)?yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,和低功耗
2020-12-22 15:20:05794

NVDIMM-P內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)公布:斷電不丟數(shù)據(jù)、兼容DDR4

我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒(méi)了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存,做到了,也兼容DDR DIMM,但僅用于數(shù)據(jù)中心
2021-02-19 10:04:022325

NVDIMM-P內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式公布

我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒(méi)了。
2021-02-19 10:18:332201

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)
2021-04-08 15:42:021621

ADM1260:帶芯片間總線和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列

ADM1260:帶芯片間總線和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列
2021-04-16 17:27:200

ADM1169:帶裕度控制故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列

ADM1169:帶裕度控制故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列
2021-04-17 10:06:150

ADM1166:帶余量控制故障記錄的超級(jí)序列

ADM1166:帶余量控制故障記錄的超級(jí)序列
2021-04-24 12:29:412

UG-932:使用芯片間總線和故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列

UG-932:使用芯片間總線和故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列
2021-04-24 14:38:011

面向內(nèi)存文件的NVM模擬與驗(yàn)證

NVM物理設(shè)備上的寫(xiě)性能以及對(duì)NVM造成的磨損情況。現(xiàn)有NVM模擬準(zhǔn)確度不高,且仿真接口不完備,無(wú)法滿足內(nèi)存文件系統(tǒng)對(duì)NVM的仿真需求。對(duì)此,提出一種面向內(nèi)存文件系統(tǒng)的NVM模擬與驗(yàn)誣方法。首先,結(jié)合內(nèi)存文件系統(tǒng)本身的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)特性,提出內(nèi)存文件系
2021-05-07 11:05:2013

64Kbit鐵電存儲(chǔ)FM25640B的功能及特征

低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)和幾乎無(wú)限的耐用,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit鐵電存儲(chǔ)FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413

血液透析機(jī)專用Everspin MRAM芯片

文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的、不需要電池或電容器、無(wú)限的寫(xiě)入耐久寫(xiě)入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793

閃存內(nèi)存模塊VDRF128M16xS54xx2V90用戶手冊(cè)

VDRF128M16XS54XX2V90是一種128Mbit高密度同時(shí)讀/寫(xiě)閃存內(nèi)存模塊組織為8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482

閃存內(nèi)存模塊VDRF64M16xS54xx1V90用戶手冊(cè)

VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫(xiě)閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401

FM18W08SRAM FRAM適配器

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2022-07-12 10:20:410

STM32微控制器系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)模式

STM32微控制器系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)模式
2022-11-21 08:11:170

AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫(xiě)存儲(chǔ)

AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫(xiě)存儲(chǔ)
2022-11-21 17:06:490

STM32 微控制器系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)模式

STM32 微控制器系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)模式
2022-11-21 17:07:180

STT-MRAM存儲(chǔ)特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)是一款像SRAM一樣 高速、高耐久、單字節(jié)訪問(wèn)的工作,也可以像ROM/Flash一樣揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582188

簡(jiǎn)單的門(mén)控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)門(mén)控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門(mén)控信號(hào)(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:521733

Netsol存儲(chǔ)Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有特性和幾乎無(wú)限的耐用。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō),這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和特性。
2023-02-23 14:52:55585

集成NV RAM的微控制器設(shè)計(jì)指南

本應(yīng)用筆記將幫助達(dá)拉斯半導(dǎo)體安全微控制器和高速微控制器的用戶在實(shí)現(xiàn)SRAM時(shí)提高可靠。本筆記適用于安全和高速安全微控制器系列以及DS87C530高速微控制器。超出容差的電壓尖峰、保護(hù)I/O引腳和負(fù)電源瞬變將在本應(yīng)用筆記中討論。
2023-03-01 14:13:121415

基于SRAM的微控制器優(yōu)化了安全

SRAM的,這些傳感將擦除加密密鑰作為響應(yīng)。密碼鍵盤(pán)等金融應(yīng)用依靠自動(dòng)程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)加密功能來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)。DS5250是一款高性能、安全的8051微控制器,利用安全SRAM的獨(dú)特特性來(lái)保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。
2023-03-01 16:16:281570

Netsol MRAM存儲(chǔ)芯片是數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的優(yōu)選

因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久。英尚微提供的存儲(chǔ)芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢(shì)包括:與SRAM不同,無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座;與nvSRAM不同,無(wú)需電容器;寫(xiě)入速度快;近乎無(wú)限的耐用(100兆次的寫(xiě)入次數(shù));斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:071090

使用XOD訪問(wèn)ESP32存儲(chǔ)

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2023-06-15 14:35:410

創(chuàng)新AN014 GD32微控制器在Arduino中的應(yīng)用

創(chuàng)新AN014GD32微控制器在Arduino中的應(yīng)用AN014GD32微控制器在Arduino中的應(yīng)用
2022-10-19 17:26:070

MXD1210RAM控制器技術(shù)手冊(cè)

MXD1210RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)()CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫(xiě)保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16922

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)SF25C20(MB85RS2MT)可用于微控制器領(lǐng)域

嵌入式鐵電存儲(chǔ)可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理,是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的的理想選擇,例如傳感與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22

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