探索ACPL - M75N高速數(shù)字CMOS光耦合器：設(shè)計與應(yīng)用指南 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，光耦合器是實現(xiàn)電氣隔離的關(guān)鍵元件。今天，我們聚焦于博通（Broadcom）的ACPL - M75N
2025-12-30 16:10:06
92 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動光耦合器 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其可靠驅(qū)動至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-30 15:40:03279 探索GD3162：先進IGBT/SiC柵極驅(qū)動器的卓越性能 作為電子工程師，在設(shè)計xEV牽引逆變器時，選擇合適的柵極驅(qū)動器至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進的單通道
2025-12-24 14:25:02222 科技的迅猛發(fā)展，Broadcom/Avago將繼續(xù)不斷推動半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新，為連接世界打造更加美好的未來。
制造商:Broadcom Limited
產(chǎn)品種類:高速光耦合器
RoHS:
封裝
2025-12-22 17:59:18
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02655 在電力電子設(shè)計領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動電路的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器。
2025-12-01 14:29:16466 
傾佳電子光伏與儲能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-12-01 09:49:522168 
安森美FODM291直流檢測輸入光耦合器是單通道光電晶體管光耦合器，采用半間距迷你扁平4引腳封裝，引線間距為1.27 mm。這些光耦合器由驅(qū)動光電晶體管的砷化鎵紅外發(fā)光二極管組成。FODM291光
2025-11-26 11:00:51327 
安森美4N35光耦合器是通用型光耦合器，由驅(qū)動硅光電晶體管的砷化鎵紅外發(fā)光二極管組成。這些光耦合器采用6引腳雙列直插式封裝 (DIP)。4N35光耦合器在I~F~ = 10mA、V~CE
2025-11-26 10:47:40444 
安森美HCPL2601M邏輯門光耦合器是一款單通道、10Mb/s高速光耦合器，由850nm鋁砷化鎵 (AlGaAs) LED組成。此光耦合器與極高速的集成光電探測器邏輯門進行光電耦合，該邏輯門帶開
2025-11-25 11:31:50446 
安森美 (onsemi) HCPL2x高速10MBit/s邏輯門光耦合器設(shè)計用于需要電氣隔離和快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪壿嬮T應(yīng)用。這些安森美 (onsemi) 光耦合器由一個850nm的AlGaAs LED
2025-11-21 16:16:58788 
Vishay VOH260A高速光耦合器單通道10MBd光耦合器采用8引腳SMD封裝。該高速光耦合器采用高效輸入LED，耦合到具有可頻閃輸出的高速 集成光檢測器邏輯門。VOH260A光耦合器
2025-11-13 09:32:17349 
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:481436 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于光耦合器的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器相比，關(guān)鍵特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設(shè)計中保持引腳到引腳的兼容性。
2025-10-15 15:22:57494 
~增強的隔離額定值。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511-Q1 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于光耦合器的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器相比
2025-10-14 14:44:27493 
SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動IGBT和MOSFET設(shè)計。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定（UVLO）功能，在共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進的保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22740 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。
2025-08-27 15:17:201656 
在電力電子行業(yè)，隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率
2025-08-12 14:42:491876 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光伏光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光伏光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光伏光耦合器真值表，密封光伏光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-09 18:32:10
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2025-07-08 18:29:59
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2025-07-07 18:33:59
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2025-07-04 18:37:03
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2025-07-04 18:36:09
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2025-07-02 18:35:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QCPL-329J 0.6 安培輸出電流IGBT門級驅(qū)動器光電耦合器數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2025-06-24 15:30:52
15 IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動電路來產(chǎn)生。這些驅(qū)動電路設(shè)計的優(yōu)劣對IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長期運行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態(tài)損耗，同時還要限制短路電流和功率應(yīng)力，正向柵極電壓必須控制在適當(dāng)范圍內(nèi)。
2025-06-12 09:55:42862 
AduM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動器，采用ADI公司**i**Coupler?技術(shù)，提供獨立且隔離的高端和低端輸出。這款隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器
2025-06-05 11:44:31802 
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581135 ICPL-074L（雙通道）是采用SOIC-8封裝的25兆位CMOS光耦合器。這些光耦合器采用較新的CMOS集成電路技術(shù)，不僅性能卓越，而且功耗極低。ICPL-074L的核心組件包括高速LED和CMOS檢測器集成電路。
2025-05-30 10:12:37554 
在隔離式電源中，光耦合器會跨越隔離邊界傳遞反饋信號。光耦合器包含發(fā)光二極管 (LED) 和光電探測器。電流流經(jīng) LED 會導(dǎo)致成比例的電流流經(jīng)光電探測器。電流傳輸比 (CTR) 是從 LED 到光電
2025-05-29 16:40:481578 
電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET?？梢?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅(qū)動器相比，F(xiàn)ET 帶來了顯著的性能和可靠性升級，同時在原理圖和布局設(shè)計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-24 14:43:00793 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 的隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于標(biāo)準(zhǔn)光耦合器的柵極驅(qū)動器相比，主要特性和特性帶來
2025-05-17 11:44:581038 
在現(xiàn)代電子技術(shù)的洪流中，光耦合器就像一位默默無聞的守護者，憑借其卓越的電氣隔離能力，悄然確保著各種設(shè)備的穩(wěn)定運行。從工業(yè)自動化到通信網(wǎng)絡(luò)，從汽車電子到消費電子，它的身影無處不在，支撐著我們?nèi)粘Ｉ钪械臒o數(shù)應(yīng)用。今天，就讓我們一起走進光耦合器的世界，看看它如何在不同領(lǐng)域大展身手。
2025-05-16 17:09:48493 ~RMS~基本隔離等級。33 V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于標(biāo)準(zhǔn)光耦合器的柵極驅(qū)動器
2025-05-16 15:40:54682 
~RMS~隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23513-Q1 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET，與基于光耦合器的柵極驅(qū)動器相比，性能
2025-05-16 14:53:21718 
額定值。30V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23525 可以驅(qū)動低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于標(biāo)準(zhǔn)光耦合器的柵極驅(qū)動器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時在原理圖和布局設(shè)計中保持了引腳對引腳的兼容性。
2025-05-15 16:43:47892 
5kVRMS 的隔離電壓。輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，隔離柵使用壽命超過 40 年。UCC5350L-Q1 非常適合在高壓牽引逆變器和車載充電器等應(yīng)用中驅(qū)動 IGBT 或 MOSFET。與光耦合器相比，該器件具有更低的器件間偏移、更低的傳播延遲、更高的工作溫度和更高的 CMTI。
2025-05-15 11:00:09865 
AiP4422是一款9A高速柵極驅(qū)動器。該電路主要用于驅(qū)動低側(cè)功率器件，如N型MOSFET或IGBT等。該電路主要功能是將單路兼容TTL輸入轉(zhuǎn)換為單路大電流高壓輸出，輸出有一定的驅(qū)動能力，輸入輸出同相。
2025-05-14 17:23:59925 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管非密封
2025-05-12 18:34:41
同時抑制EMI干擾。5：保護柵極，防止異常高壓條件下柵極擊穿。6：增加驅(qū)動能力，在較小的信號下，可以驅(qū)動MOSFET。
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2025-05-06 17:13:58
在電力電子行業(yè)，隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率
2025-04-27 15:45:02693 IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
光隔離探頭在SiC MOSFET測試中的應(yīng)用不僅解決了單點測量難題，更通過高精度數(shù)據(jù)鏈打通了“芯片設(shè)計-封裝-系統(tǒng)應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵使能技術(shù)。其價值已超越傳統(tǒng)測試工具范疇，向
2025-04-08 16:00:57
33V，適合驅(qū)動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)數(shù)字控制器
2025-04-03 14:23:02
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器。浮動溝道驅(qū)動器可用于獨立驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 芯片簡介
SS6200 是一款經(jīng)過優(yōu)化的單相 MOSFET 柵極驅(qū)動器，可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET的柵極。
集成的自舉二極管減少了外部元件數(shù)量。具有較寬的工作電壓范圍，可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)
2025-03-17 16:10:59
關(guān)于接地和高邊柵極驅(qū)動電路、AC 耦合和變壓器隔離的解決方案。其中一個章節(jié)專門來解決同步整流器應(yīng)用中柵極驅(qū)動對 MOSFET 的要求。
另外，文章中還有一些一步一步的參數(shù)分析設(shè)計實例。*附件：高速MOS驅(qū)動電路設(shè)計和應(yīng)用指南.pdf
2025-03-14 14:53:16
東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-11 15:11:55512 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-06 19:24:014001 
光電耦合器，簡稱光耦，是一種利用光進行信號傳輸和處理的半導(dǎo)體器件。它主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或其他光敏元件，如光敏二極管）組成。當(dāng)輸入電信號加到輸入端的發(fā)光二極管上時，發(fā)光二極管會發(fā)
2025-02-06 16:03:352568 柵極驅(qū)動器（Gate Driver）是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件，主要用于增強場效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)
2025-02-02 13:47:001718 1 光耦合器（Opto-isolator），又稱光電耦合器，是一種常見的電子元器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。其主要功能是實現(xiàn)信號的傳輸和電氣隔離，確保高壓和低壓電路之間的安全性。隨著電子技術(shù)
2025-01-24 09:54:351381 
群芯微 QX341 是一款性能出色的柵極驅(qū)動光電耦合器 電氣特性 輸出電流：峰值輸出電流可達 3.0A，最小峰值輸出電流為 2.5A。如此高的輸出電流，使其能夠為功率 IGBT 和 MOSFET
2025-01-23 14:59:01840 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 
描述ACPL-P302 內(nèi)含一個 GaAsP LED，可與一個功率輸出級集成電路進行光電耦合。這些光電耦合器非常適合在電機控制變頻器應(yīng)用中驅(qū)動功率型 IGBT 和 MOSFET。輸出級的高工作電壓
2025-01-13 15:59:00
AT6N135、AT6N136 是一種用于單通道的高速光耦合器， 由一個 850nm 的 AlGaAs LED 光學(xué)耦合到一個高速光電檢測器組成。光電二極管偏極和輸出晶體管集電極的單獨連接， 可以
2025-01-13 09:54:310 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331278 描述HCPL-314J 系列門驅(qū)動光電耦合器包含一個 AlGaAs LED， 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。這些光電耦合器可作為電機控制變頻器應(yīng)用中驅(qū)動功率 IGBT 和 MOSFET
2025-01-08 17:13:24
描述HCPL-J314 系列門驅(qū)動光電耦合器包含一個 AlGaAs LED， 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。這些光電耦合器可作為電機控制變頻器應(yīng)用中驅(qū)動功率 IGBT 和 MOSFET
2025-01-08 11:17:42
和 MOSFET 的理想選擇。 輸出級電路的高工作電壓范圍提供了門控器件所需的驅(qū)動電壓。該光電耦合器的電壓和電流非常適合用來直接驅(qū)動低功率或中等功率的 IGBT。
2025-01-06 15:51:28
描述HCPL-3150 門驅(qū)動光電耦合器包含一個 LED， 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。此光電耦合器可完美適用于電機控制變頻器應(yīng)用中使用的驅(qū)動功率 IGBT 和 MOSFET。輸出級
2025-01-06 11:48:22
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