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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>德州儀器推出面向高密度開關(guān)電源設(shè)計(jì)的高速單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

德州儀器推出面向高密度開關(guān)電源設(shè)計(jì)的高速單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

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SiLM27524NCA-DG雙通道門極驅(qū)動(dòng)器:18ns極速驅(qū)動(dòng)的性能解析

響應(yīng)控制 新能源領(lǐng)域:太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)等高效能轉(zhuǎn)換場(chǎng)景 GaN功率器件驅(qū)動(dòng):完美匹配氮化鎵器件的高速開關(guān)特性 在雙通道驅(qū)動(dòng)器的選型中,通道間匹配精度與單通道驅(qū)動(dòng)能力哪個(gè)更為重要? #SiLM27524 #門極驅(qū)動(dòng)器 #低邊驅(qū)動(dòng) #門極驅(qū)動(dòng)
2025-11-17 08:25:27

SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

有沒(méi)有在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)中被隔離驅(qū)動(dòng)問(wèn)題而困擾許久的,直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器能同時(shí)駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。 一、特性: 驅(qū)動(dòng)
2025-11-15 10:00:15

SiLM27531HAC-AQ 30V, 5A/5A單通道高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器

、能源等多個(gè)領(lǐng)域,如開關(guān)電源模塊、直流-直流轉(zhuǎn)換、光伏逆變器及UPS、電機(jī)控制、充電模塊以及充電樁等多種領(lǐng)域。 #SiLM27531 #高欠壓保護(hù)閾值 #高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器
2025-11-04 08:48:24

中微愛芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4421/AiP4422

柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無(wú)論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,,還是工業(yè)變頻,其核心都離不開柵極驅(qū)動(dòng)器的精準(zhǔn)控制。
2025-10-21 11:50:041972

STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動(dòng)器非常適合用于風(fēng)扇、泵
2025-10-20 13:55:53348

德州儀器推出全新電源管理解決方案,支持可擴(kuò)展的 AI 基礎(chǔ)設(shè)施

德州儀器的新設(shè)計(jì)資源和電源管理芯片幫助數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)人員實(shí)施高效安全的電源管理綜合方法。 德州儀器 (TI) 近日推出 新的設(shè)計(jì)資源和電源管理芯片 , 助力各公司滿足日益增長(zhǎng)的人工智能 (AI) 計(jì)算
2025-10-19 10:36:4041428

?UCC23313 光耦兼容型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57494

?MCT8329A 高轉(zhuǎn)速無(wú)傳感梯形控制三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

MCT8329A是德州儀器(TI)推出的集成無(wú)傳感梯形控制算法的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
2025-10-13 11:29:23736

高密度配線架和中密度的區(qū)別有哪些

光纖)。 中密度配線架:1U高度通常容納24-48個(gè)端口(如24口RJ45銅纜模塊)。 二、結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)差異 高密度配線架 緊湊設(shè)計(jì):采用模塊化或集成化結(jié)構(gòu),減少線纜彎曲半徑,優(yōu)化空間布局。 散熱需求:因端口密集,需配合機(jī)柜散熱系統(tǒng)(如風(fēng)扇、冷通道)。
2025-10-11 09:56:16261

中微愛芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4427

柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無(wú)論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器、工業(yè)變頻,其核心都離不開柵極驅(qū)動(dòng)器的精準(zhǔn)控制。
2025-09-26 11:45:202366

UCC27624雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動(dòng)器的典型峰值驅(qū)動(dòng)
2025-09-18 14:47:59757

基于UCC27614的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1單通道柵極驅(qū)動(dòng)器高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器系列,可驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率開關(guān)。此系列驅(qū)動(dòng)器的典型峰值驅(qū)動(dòng)
2025-09-18 10:48:38715

德州儀器推出業(yè)界靈敏度領(lǐng)先的面內(nèi)霍爾效應(yīng)開關(guān)TMAG5134,助力降低設(shè)計(jì)成本

的磁場(chǎng)。 ? 前沿 動(dòng)態(tài) 德州儀器 (TI) 推出了一款業(yè)界領(lǐng)先、具備高靈敏度的面內(nèi)霍爾效應(yīng)開關(guān),專為位置傳感應(yīng)用設(shè)計(jì),為工程師提供了一種經(jīng)濟(jì)高效、用戶友好的磁阻傳感替代品。TI 的 TMAG5134?霍爾效應(yīng)開關(guān)帶有集成磁集中,可以在門窗傳感、個(gè)人
2025-09-12 16:43:1145746

?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供三個(gè)器件,每個(gè)器件均能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8329驅(qū)動(dòng)器使用內(nèi)部電荷泵生成
2025-09-08 10:38:542666

德州儀器UCC5871-Q1汽車級(jí)IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22740

德州儀器UCC28781EVM-053評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

直接驅(qū)動(dòng)一次側(cè)硅MOSFET,并通過(guò)UCC5304隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)二次側(cè)同步整流,以提高效率并實(shí)現(xiàn)ZVS。UCC28781EVM-053 EVM用于高壓汽車牽引逆變器偏置電源、高壓汽車冗余電源以及高密度交流-直流或直流-直流輔助電源。
2025-08-28 15:42:45722

SLM27511AC-7G 緊湊高效的SOT23-6單通道低邊柵極驅(qū)動(dòng)器

在追求高密度布板與高效驅(qū)動(dòng)的功率電子設(shè)計(jì)中,一款性能卓越、封裝緊湊的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。SLM27511AC-7G 正是為此而生,它是一款高性能單通道低邊柵極驅(qū)動(dòng)器,采用超小的 SOT23-6 封裝
2025-08-22 08:32:15

德州儀器UCC21717-Q1隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級(jí)集成保護(hù)、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-18 10:32:021585

專業(yè)解析SiLM8263BAHB-DG 高性能雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

深度解析一款在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能隔離驅(qū)動(dòng)芯片:SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器專為應(yīng)對(duì)高功率密度、高可靠性應(yīng)用的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。核心亮點(diǎn)與關(guān)鍵特性: 強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)
2025-08-16 09:18:54

中微愛芯推出低側(cè)單通道柵極驅(qū)動(dòng)電路AiP44273L

AiP44273L是一款低側(cè)單通道柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)低壓功率MODFET和IGBT。輸入兼容CMOS和TTL電平,輸入電壓范圍能兼容-5V~15V。
2025-08-13 11:36:201847

UCC27332-Q1高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC27332-Q1單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和GaN電源開關(guān)。UCC27332-Q1具有9A的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,這減少了電源開關(guān)的上升
2025-08-13 10:54:18837

Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器在12V~DD~ 下提供4A源和4A匯(對(duì)稱驅(qū)動(dòng))峰值
2025-08-11 14:49:441823

德州儀器UCC21550-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21550/UCC21550-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是隔離型驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和-40°C至150°C的寬溫度范圍。這些柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)有4A峰值拉電流
2025-08-11 14:36:401136

德州儀器LP5810 4通道RGBW LED驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments LP5810 4通道RGBW LED驅(qū)動(dòng)器具有超低常規(guī)工作電流,點(diǎn)亮LED時(shí)的典型電流為0.4mA。這些驅(qū)動(dòng)器與1.8V、3.3V和5V電壓范圍邏輯引腳兼容
2025-08-11 10:29:20795

德州儀器LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

SiLM27531HAC-7G車規(guī)級(jí)單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)解析

在追求高效率、高功率密度開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換、逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中(尤其汽車電子領(lǐng)域),驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。針對(duì)GaN、SiC等寬帶隙器件對(duì)高速、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力和高驅(qū)動(dòng)電壓的需求
2025-08-09 09:18:36

德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)深度解析

。LMG3526R050集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁┏?/div>
2025-08-06 11:29:38770

德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

。LMG3522R050集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比,TI的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁┏?/div>
2025-08-06 11:20:47820

德州儀器TPS92621-Q1單通道LED驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instrument TPS92621-Q1單通道LED驅(qū)動(dòng)器采用獨(dú)特的熱管理設(shè)計(jì),可降低器件溫升。TPS92621-Q1是由汽車電池直接供電的線性驅(qū)動(dòng)器,具有寬電壓范圍,可輸出高達(dá)
2025-08-06 10:55:35958

德州儀器UCC21738-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instrument UCC21738-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá)2121V的IGBT和SiC MOSFET。這些器件具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健
2025-08-06 10:45:08777

SiLM27519AD-7G 20V, 4A/5A 靈活雙輸入,高速強(qiáng)驅(qū)的低邊門極驅(qū)動(dòng)器

封裝中。其優(yōu)化的內(nèi)部設(shè)計(jì)有效抑制直通電流,提供軌到軌驅(qū)動(dòng)。無(wú)論是需要同相/反相驅(qū)動(dòng)的半橋應(yīng)用、高頻開關(guān)電源、電機(jī)控制,還是對(duì)空間和成本敏感的設(shè)計(jì),這款驅(qū)動(dòng)器都能提供高性能、高可靠性且設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便的方案。 #SiLM27519AD-7G #SiLM27519 #門極驅(qū)動(dòng)器 #低邊驅(qū)動(dòng)器 #非隔離驅(qū)動(dòng)
2025-07-26 09:13:52

Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一款單通道高速器件,可驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器采用可最大限度地減小擊穿電流和拉電流的設(shè)計(jì),并將高峰值電流脈沖
2025-07-14 14:18:35595

PC7517高速低側(cè)單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

PC7517?單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,絕緣柵雙極型晶體管電源開關(guān)。為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖,同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力以及短的傳播延遲
2025-07-09 14:59:330

Analog Devices Inc. ADGS2414D高密度開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

擴(kuò)展的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的通道密度。ADGS2414D高密度開關(guān)的連續(xù)電流高達(dá)768mA,典型導(dǎo)通電阻為0.56?。這些開關(guān)包括集成的無(wú)源元件和具有錯(cuò)誤檢測(cè)功能的SPI接口。ADGS2414D開關(guān)的最大
2025-06-16 10:51:13671

高密度配線架和中密度的區(qū)別

高度)可集成數(shù)百個(gè)光纖或銅纜端口(如MPO高密度配線架支持1U/96芯以上)。 空間利用率:通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)(如MPO連接集成多芯光纖)和緊湊結(jié)構(gòu),顯著提升機(jī)柜空間利用率,適合數(shù)據(jù)中心等對(duì)空間敏感的場(chǎng)景。 中密度配線架 端口密度:每單位空間
2025-06-13 10:18:58696

士蘭微電子單通道H橋柵極驅(qū)動(dòng)器SQ9702/3T介紹

SQ9702/3T是一款單通道 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)四個(gè)外部 NMOS,用于驅(qū)動(dòng)雙向刷式直流電機(jī)。
2025-06-11 17:39:59829

德州儀器與長(zhǎng)城電源深入合作 共同研發(fā)服務(wù)PSU產(chǎn)品

在數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮的推動(dòng)下,為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及人工智能 (AI),服務(wù)的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),對(duì)電源在效率和功率密度方面的技術(shù)要求也逐漸提高。 德州儀器 (TI) ?與 長(zhǎng)城電源
2025-06-07 18:45:121741

ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)與輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離
2025-06-04 09:52:241083

ADuM4138具有隔離式反激控制的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4138 是一款已針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)和輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。
2025-05-30 14:14:441382

UCC23513 5.7kVrms,4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級(jí)。33V 的高
2025-05-24 14:43:00793

TPS2819-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 2A/2A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS28xx 單通道高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器能夠向高電容負(fù)載提供高達(dá) 2A 的峰值電流。高開關(guān)速度 (t~r~和 t ~f~ = 14 ns(典型值)通過(guò)使用 BiCMOS 輸出獲得。典型閾值開關(guān)電壓為 2/3 和 1/3 V ~抄送~ .該設(shè)計(jì)本身就最大限度地減少了擊穿電流。
2025-05-21 09:51:35562

UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27518 和 UCC27519 可以將高峰值電流脈沖源出和吸收到 電容性負(fù)載提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播延遲 通常為 17 ns。
2025-05-20 14:54:57682

UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27516 和 UCC27517 可以
2025-05-20 14:39:15826

UCC27512 采用 SON 封裝的具有 5V UVLO 和分離輸出的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27511 和 UCC27512 能夠拉出和吸收高峰值電流 脈沖進(jìn)入電容性負(fù)載,提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播 延遲,通常為 13 ns。
2025-05-20 14:19:11615

UCC27517A 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27517A 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC27517A 能夠拉出和吸收高峰值電流脈沖 轉(zhuǎn)換為電容負(fù)載
2025-05-20 10:00:38960

UCC27519A-Q1 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的汽車類 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2751xA-Q1 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。憑借本質(zhì)上最小化擊穿電流的設(shè)計(jì), UCC2751xA-Q1 系列器件可向容性負(fù)載提供和吸收高峰值電流脈沖 提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播延遲(通常為 17 ns)。
2025-05-20 09:17:27494

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET,包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換。LMG1020
2025-05-19 09:47:33910

UCC5390-Q1 汽車級(jí) 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn),這有利于雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。
2025-05-17 11:36:49897

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628

UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC44273 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC44273 采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流的設(shè)計(jì),能夠?qū)⒏叻逯惦娏髅}沖源出和吸收到容性負(fù)載中,從而提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播延遲(通常為 13 ns)。
2025-05-16 09:37:04669

新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板——SiC MOSFET半橋電路

新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板——SiCMOSFET半橋電路該評(píng)估板用于評(píng)估半橋電路中的1ED314xMC12H隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該電路板包括兩個(gè)
2025-04-15 17:03:45950

光纖高密度odf是怎么樣的

光纖高密度ODF(Optical Distribution Frame,光纖配線架) 是一種用于光纖通信系統(tǒng)中,專門設(shè)計(jì)用于高效管理和分配大量光纖線路的設(shè)備。它通過(guò)高密度設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了光纖線路的集中化
2025-04-14 11:08:001581

Leadway電源模塊和TI(德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢(shì)?

Leadway電源模塊和TI(德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢(shì)?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國(guó)產(chǎn)電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點(diǎn)。擅長(zhǎng)替代TI
2025-04-14 10:17:47

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無(wú)引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。 中國(guó)上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工
2025-04-09 14:38:46516

33V單通道數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 拉/灌6A電流驅(qū)動(dòng)SIC MOSFET及IGBT

概述:PC2899X 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品,提供符合UL1577 標(biāo)準(zhǔn)的隔離電3.75kVrms 和5.0kVrms 兩種類型。 PC2899 A 可單獨(dú)控制輸出信號(hào)的上升和下降時(shí)間,方便
2025-04-03 14:23:02

新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12H

新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有6.5A峰值灌電流和6A峰值拉電流能力,采用8引腳LDSO
2025-03-27 17:03:50880

PC1703單通道H橋柵極驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PC1703單通道H橋柵極驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-14 17:59:190

PC1702單通道H橋柵極驅(qū)動(dòng)器中文手冊(cè)

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:?PC1702 是一款小型單通道 H?橋柵極驅(qū)動(dòng)器。它使用四個(gè)外部?N?通道?MOSFET,驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向刷式直流電機(jī)。PH/EN、獨(dú)立半橋或?PWM 允許輕松連接到控制電路。內(nèi)部傳感
2025-03-14 17:57:570

AI革命的高密度電源

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:03:321

川土微電子發(fā)布CA-IS3212單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布,該系列產(chǎn)品為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2025-01-10 18:08:421602

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