傾佳電子功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè)：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2026-01-04 07:36:23
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半導(dǎo)體玻璃基板劃片切割技術(shù)：博捷芯劃片機(jī)深度解析半導(dǎo)體玻璃基板作為下一代先進(jìn)封裝的關(guān)鍵材料，其劃片切割技術(shù)正成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在眾多國(guó)產(chǎn)劃片機(jī)品牌中，博捷芯憑借其技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)表現(xiàn)脫穎而出，為
2025-12-22 16:24:39659 
下，全球能源結(jié)構(gòu)正經(jīng)歷著從化石能源向以電力為中心的可再生能源體系的根本性轉(zhuǎn)變。作為電力電子系統(tǒng)的核心“心臟”，功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)迭代直接決定了電能轉(zhuǎn)換的效率、體積與可靠性。傾佳電子（Changer Tech）作為中國(guó)工業(yè)電源、新能源汽車及電力電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心分銷商，
2025-12-22 08:17:35170 
市面上現(xiàn)有的GaN電源適配器和充電器能夠?yàn)楣P記本電腦提供功率充足的電能，還能解決USB-C快充對(duì)功率的需求，而且能效很高，能夠滿足即將到來(lái)的環(huán)保要求嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體最新的GaN芯片讓這項(xiàng)技術(shù)能夠惠及洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具、工廠自動(dòng)化設(shè)備內(nèi)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置。
2025-12-19 16:01:04873 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 小米公布GaN射頻器件研發(fā)新進(jìn)展！在近期舉行的第 71 屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM 2025）上，小米集團(tuán)手機(jī)部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文
2025-12-18 10:08:201760 
創(chuàng)新：GaN（氮化鎵）技術(shù)突破材料特性：GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件，開(kāi)關(guān)速度可達(dá)硅基的10倍。這一特性使得GaN
2025-12-17 09:35:07
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無(wú)需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
日前，由21世紀(jì)電源網(wǎng)、電子研習(xí)社聯(lián)合主辦的“第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳隆重舉行。在活動(dòng)同期舉辦的“2025第四屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”中，瑞能半導(dǎo)體憑借在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮膺“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。
2025-12-15 15:38:28302 ）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢(shì)GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠(yuǎn)高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應(yīng)用。高
2025-12-12 09:40:25
和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直GaN創(chuàng)新：vGaN支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠
2025-12-04 17:13:20471 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281692 
半導(dǎo)體的芯片制造超過(guò)1000道工序，每步良率99.9%最終良率也只有36.8%，半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備是實(shí)現(xiàn)芯片制程亞納米級(jí)精度管控的核心裝備，面臨多物理場(chǎng)合干擾、吞吐效率與精度互斥、高維護(hù)成本等挑戰(zhàn)，直
2025-12-02 10:35:10265 
在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中，器件性能的精確測(cè)試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測(cè)試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 CPO量產(chǎn)繼續(xù)加速，最近Tower Semiconductor 高塔半導(dǎo)體宣布，將其成熟的 300mm 晶圓鍵合技術(shù)拓展至硅光子（SiPho）與硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
2025-11-21 08:46:004242 隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573097 ），在發(fā)動(dòng)機(jī)艙內(nèi)+93℃的高溫下，模塊支持20分鐘快充，功率密度達(dá)10kW/L，效率96.8%。數(shù)據(jù)中心
英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后，PUE（能源使用效率）降至1.08。在高溫?cái)?shù)據(jù)中心環(huán)境中
2025-11-12 09:19:03
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21302 
云鎵半導(dǎo)體雙向創(chuàng)“芯”—云鎵半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)首發(fā)高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長(zhǎng)期以來(lái)，器件工程師都在追求一種可雙向?qū)ㄇ译p向耐壓的開(kāi)關(guān)元件，該類器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC變換的應(yīng)用場(chǎng)
2025-11-11 13:43:51852 云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)橋圖騰柱GaNPFC評(píng)估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云鎵半導(dǎo)體650VGaN器件的3kW無(wú)
2025-11-11 13:43:26816 GaN-on-GaN 功率半導(dǎo)體能夠使電流垂直流過(guò)化合物半導(dǎo)體，能實(shí)現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開(kāi)關(guān)頻率，助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)更節(jié)能、更輕量緊湊的系統(tǒng)。?? 要點(diǎn)： 專有的GaN-on-GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高壓垂直電流導(dǎo)
2025-10-31 13:56:161980 一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor，SiC/GaN）憑借優(yōu)越節(jié)能效果，已成為未來(lái)功率半導(dǎo)體發(fā)展焦點(diǎn)，預(yù)期今后幾年年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá)35%以上。然而，盡管其從磊晶成長(zhǎng)
2025-10-26 17:36:53988 
在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對(duì)封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號(hào)
2025-10-22 18:13:11243 
場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國(guó)產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
自從氮化鎵（GaN）器件問(wèn)世以來(lái)，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442575 
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車、服務(wù)器電源、光伏儲(chǔ)能、高密度電源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。10月14日，正值
2025-10-21 14:28:572221 合作將支持快速增長(zhǎng)的應(yīng)用市場(chǎng)，共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術(shù) 英國(guó)劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices
2025-10-15 09:39:57860 “芯”生態(tài)，“圳”綻放！優(yōu)可測(cè)攜半導(dǎo)體領(lǐng)域亞納米級(jí)精度測(cè)量產(chǎn)品亮相“灣芯展”！
2025-10-11 17:35:231183 
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-10-08 10:04:18589 
，在器件選型、拓?fù)浼軜?gòu)等都需要有新的改進(jìn)。 ? 最近英飛凌推出了一款12kW高功率密度AI數(shù)據(jù)中心與服務(wù)器電源（PSU）參考設(shè)計(jì)，值得關(guān)注的是，這款PSU參考設(shè)計(jì)中充分利用了Si、SiC、GaN等多種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)98.5%的超高峰值效率。 ? 為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)性
2025-09-22 02:40:007768 
傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-14 22:59:12920 
今天下午，“第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨頒獎(jiǎng)典禮”在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大舉行。瑞能半導(dǎo)體憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場(chǎng)表現(xiàn)，成功摘得“2025年度硬核功率器件獎(jiǎng)”的桂冠。這一殊榮不僅彰顯了公司在功率半導(dǎo)體賽道的領(lǐng)先地位，更是對(duì)其持續(xù)創(chuàng)新能力的權(quán)威認(rèn)可。
2025-09-11 17:42:53879 近年來(lái)，氮化鎵(GaN)技術(shù)憑借其相較于傳統(tǒng)硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)，包括更低的寄生電容、無(wú)體二極管、出色的熱效率和緊湊的尺寸，極大地改變了半導(dǎo)體行業(yè)。GaN器件變得越來(lái)越可靠，并且能夠在很寬的電壓范圍內(nèi)工作?，F(xiàn)在，GaN器件已被廣泛用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車電源系統(tǒng)等眾多應(yīng)用，有效提升了效率和功率密度。
2025-09-05 16:53:4210116 
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場(chǎng)地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用
2025-09-01 16:20:25
1 8月29日，2025誠(chéng)邁SuperBrain線上研討會(huì)成功舉辦。本次活動(dòng)以“當(dāng)艙駕一體擁有‘SuperBrain’：一個(gè)開(kāi)放的生態(tài)系統(tǒng)平臺(tái)”為主題，匯聚恩智浦半導(dǎo)體、大陸集團(tuán)汽車
2025-08-30 17:53:16566 
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20650 
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長(zhǎng)期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍(lán)寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
2025-08-11 14:27:241615 
在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測(cè)量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
突破性的 SuperQ 技術(shù)標(biāo)志著自 25 年前 Super Junction 以來(lái) 硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)展。 ? 美國(guó)賓州利哈伊谷，2025年7月24日?– iDEAL半導(dǎo)體，一家
2025-07-28 16:18:19880 深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實(shí)現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)具有垂直2DEG的常開(kāi)器件(D-mode HEMT)和全球首個(gè)垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過(guò)去除生長(zhǎng)用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
開(kāi)關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個(gè)電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開(kāi)關(guān)頻率從傳統(tǒng)的 kHz 級(jí)躍升至 MHz 級(jí)，以及碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體器件
2025-07-02 11:22:49
生態(tài)系統(tǒng)，富士通將助力企業(yè)在應(yīng)對(duì)復(fù)雜社會(huì)挑戰(zhàn)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，并為環(huán)境、經(jīng)濟(jì)和人類福祉創(chuàng)造凈積極影響的(Net Positive)價(jià)值。
2025-06-28 10:15:081235 【導(dǎo)讀】高功率密度 (100W/立方英寸) 如何實(shí)現(xiàn)？48V供電系統(tǒng)升級(jí)如何破局？國(guó)產(chǎn)核心器件能否完成替代？答案就在這場(chǎng)頂尖峰會(huì)！ ? AI電源是2025-2026年AI硬件確定的增量，英偉達(dá)超級(jí)
2025-06-17 10:36:151090 
的“守門人”。關(guān)于光電子器件光電子器件是一類基于半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)等物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當(dāng)光線照射半導(dǎo)體材料時(shí)，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子-
2025-06-12 19:17:281516 
GaN FET支持MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過(guò)減小無(wú)源元件體積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開(kāi)關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源ic U8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM，有利于降低電源尺寸！
2025-05-30 15:43:48798 半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781 
電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15669 
近日，納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。
2025-05-27 16:35:011288 MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場(chǎng)景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開(kāi)關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢(shì) ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開(kāi)關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低（僅為硅
2025-05-21 14:38:45
英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正（PFC）評(píng)估板，展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評(píng)估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管，專為電源電子工程師設(shè)計(jì)，用于評(píng)估4針?lè)庋b在效率和信號(hào)質(zhì)量上的優(yōu)勢(shì)。
2025-05-19 13:49:001208 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
當(dāng)今的
電源設(shè)計(jì)要求高效率和高
功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (
GaN)
器件用于各種
電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/div>
2025-05-19 09:29:571013 
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
（GaN）功率器件生產(chǎn)商，致力于開(kāi)發(fā)節(jié)能高效GaN功率管和IC。該公司專利產(chǎn)品ICeGaN?通過(guò)高度的集成化極大的簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程，加速產(chǎn)品落地。近日，CGD宣布與總部位于上海的碳化硅（SiC）功率器件與IC
2025-05-13 13:52:111298 
燒結(jié)工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應(yīng)用中，這種直接將半導(dǎo)體芯片及傳感器等相關(guān)無(wú)源元件固定于基板的技術(shù)，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結(jié)合碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料的使用，該技術(shù)
2025-05-07 11:15:38773 
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案，支持通過(guò)Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率，最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計(jì)結(jié)合了多種先進(jìn)架構(gòu)與技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應(yīng)用。
2025-04-23 08:02:00803 
電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開(kāi)關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開(kāi)關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開(kāi)關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見(jiàn)證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動(dòng)了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562597 在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415531 
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046931 
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767 富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來(lái)提供具有成本效益、高容量和高能效的無(wú)線電，以滿足不同市場(chǎng)需求。
2025-03-12 17:12:141256 ??氮化鎵功率芯片 進(jìn)入長(zhǎng)城電源供應(yīng)鏈 ，成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢(shì)。小體積、高效率、更獨(dú)立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726 
融資，技術(shù)覆蓋芯片制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
總結(jié)
以上企業(yè)覆蓋了車規(guī)芯片、AI計(jì)算、晶圓制造、存儲(chǔ)技術(shù)等核心領(lǐng)域，展現(xiàn)了北京在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面布局。若需更完整名單或細(xì)分領(lǐng)域分析，可參考相關(guān)來(lái)源
2025-03-05 19:37:43
2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì)：功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長(zhǎng)，SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長(zhǎng)，GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域， 中國(guó)功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級(jí)。
2025-03-04 09:33:412258 
硅基半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334528 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:25999 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
中的未來(lái)前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì)。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開(kāi)關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:50:270 新唐科技開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界最高水平(*)的光輸出1.7 W、波長(zhǎng)420 nm發(fā)光的靛藍(lán)半導(dǎo)體激光器[1]。本產(chǎn)品有助于光學(xué)系統(tǒng)的小型化和運(yùn)行成本的降低。此外，通過(guò)與新唐量產(chǎn)的紫外半導(dǎo)體激光器（378 nm）和紫色半導(dǎo)體激光器（402 nm）組合使用，作為汞燈的替代光源解決方案，有助于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)社會(huì)。
2025-01-24 09:35:49894 我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078 
近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測(cè)試與評(píng)估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問(wèn)題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)
2025-01-14 09:42:281899 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
趨勢(shì)一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長(zhǎng)、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
器件實(shí)現(xiàn)安全可靠的操作。特征：頻率范圍從0.02到18.0 GHz（倍頻程/多倍頻程）高至100w的輸出功率（@Psat單偏壓電源緊湊型薄膜和封裝架構(gòu)經(jīng)濟(jì)實(shí)用應(yīng)用：通用性高功率實(shí)驗(yàn)室射頻源。檢測(cè)設(shè)備中
2025-01-08 09:31:22
近日，株式會(huì)社電裝（以下簡(jiǎn)稱“電裝”）與富士電機(jī)株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“富士電機(jī)”）共同推出的“半導(dǎo)體供應(yīng)保障計(jì)劃”獲得批準(zhǔn)并正式啟動(dòng)。該計(jì)劃總投資規(guī)模達(dá)2,116億日元，其中包含705億日元的專項(xiàng)補(bǔ)助
2025-01-06 17:09:051342 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123 已全部加載完成
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