有源OR-ing

　　最簡單形式的OR-ing器件是一種二極管。當(dāng)OR-ing二極管失效時，將通過不允許電流流入輸入電源來對其進(jìn)行保護(hù)。OR-ing二極管允許電流僅以一個方向流動。它們用于隔離冗余電源，因而一個電源的失效不會影響整個系統(tǒng)。消除單點失效，允許系統(tǒng)使用剩余的冗余電源來保持運(yùn)行。然而，實現(xiàn)這種隔離卻有難題。一旦該OR-ing二極管插入到電流路徑中，則會產(chǎn)生額外的功率損耗和效率降低。該功率損耗會導(dǎo)致OR-ing二極管發(fā)熱，因而需要增加散熱器，降低系統(tǒng)的功率密度。當(dāng)二極管關(guān)斷時，其反向恢復(fù)會成為一個問題——該二極管必須具有軟開關(guān)特性。為克服其中的一些問題，已使用了肖特基二極管。這些二極管和p-n二極管之間的一個重要差異，就是減小的正向壓降和可忽略的反向恢復(fù)。普通硅二極管的壓降介于0.7至1.7V之間；肖特基二極管的正向電壓降在0.2至0.55V之間。雖然肖特基二極管在用作OR-ing二極管時，系統(tǒng)的傳導(dǎo)損耗降低，但肖特基二極管卻具有較大漏電流——這將帶來傳導(dǎo)損耗。該損耗低于硅二極管。

　　這個問題的替代解決方案是使用功率MOSFET替代肖特基二極管。這引入了額外的MOSFET柵極驅(qū)動器，增加了復(fù)雜性。MOSFET的RDSON必須非常小，從而該MOSFET的壓降比肖特基二極管的正向壓降低很多，這可稱為有源OR-ing。現(xiàn)代低壓MOSFET的RDSON非常低——即便采用TO-220或D2PAK封裝，它也可以低至幾毫歐。飛兆半導(dǎo)體采用PQFN56封裝的FDS7650，對于30V MOSFET可以小到低于1毫歐。當(dāng)OR-ing MOSFET導(dǎo)通時，它允許電流以任一方向流動。在失效情況下，冗余電源將產(chǎn)生大電流，因而OR-ing MOSFET必須快速關(guān)斷。飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)MOSFET也適用于這種應(yīng)用。