場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（junctionFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)

（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS（柵源電壓）來(lái)控制ID（漏極電流）；

（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

用通俗易懂的話讓你明白場(chǎng)效應(yīng)管—就是一個(gè)電控開關(guān)！

場(chǎng)效應(yīng)管在mpn中，它的長(zhǎng)相和我們前面講的三極管極像，統(tǒng)一的把這些長(zhǎng)相相同的三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙二極管、還有各種穩(wěn)壓IC統(tǒng)統(tǒng)稱作“三個(gè)腳的管管”。

場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)：

表示，關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類繁多，特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關(guān)使用，所以需要通過(guò)電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來(lái)了增強(qiáng)型的場(chǎng)效應(yīng)管（MOS型），它的電路圖符號(hào)：

仔細(xì)看看你會(huì)發(fā)現(xiàn)，這兩個(gè)圖似乎有差別，對(duì)了，這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，它們的的作用是剛好相反的。前面說(shuō)過(guò)，場(chǎng)效應(yīng)管是用電控制的開關(guān)，那么我們就先講一下怎么使用它來(lái)當(dāng)開關(guān)的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個(gè)腳，這三個(gè)腳分別叫做柵極（G）、源極（S）和漏極（D），mpn中的貼片元件示意圖是這個(gè)樣子：

1腳就是柵極，這個(gè)柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了，去掉電壓就關(guān)斷了，而P溝道的剛好相反，在柵極加上電壓就關(guān)斷（高電位），去掉電壓（低電位）就相通了！