場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

1、場效應管的分類

按結構場效應管分為：結型場效應(簡稱JFET)、絕緣柵場效應(簡稱MOSFET)兩大類。

按溝道材料：結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。

按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。

2、場效應管與雙極性晶體管的比較

(1)場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

(2)場效應管是利用多數載流子導電，而晶體管是既利用多數載流子，也利用少數載流子導電，由于少數載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。

(3)場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負，因此靈活性比晶體管好。

(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。

(5)場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。

(6)晶體管導通電阻大，場效應管導通電阻小，只有幾百mΩ，使用場效應管做電子開關的效率比晶體管高。

3、場效應管使用的注意事項

(1)為了安全地使用場效應管，在線路的設計中不能超過管子的耗散功率。最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

(2)各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結。N溝道管柵極不能加正偏壓，P溝道管柵極不能加負偏壓等等。

(3)MOS場效應管由于輸入阻抗極高，所以，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放入塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內同時也要注意管子的防潮。

(4)為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地，管腳在焊接時，先焊源極;在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài)，焊接完后才把短接材科去掉，從元器件架上取下管子時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等;當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應管是比較方便的，并且可確保安全在未關斷電源時，絕對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應管時必須注意。

(5)在安裝場效應管時。注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防止管件震動，有必要將管殼體緊固起來。

(6)對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用。必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過其額定值。使器件長期、穩(wěn)定、可靠地工作。

審核編輯：湯梓紅