瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 基于最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:121699 基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-25 14:36:2038560 
ROHM獨有的超級結MOSFET產品PrestoMOS，運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術優(yōu)勢，實現了極快*的反向恢復時間（trr），非常有助于降低空調和逆變器等應用穩(wěn)定運行時的功耗，因而
2021-01-07 16:27:504016 
IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結的耐壓，主要取決于PN結的摻雜濃度。
2023-12-01 15:23:094751 
下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結與平面結所承受電壓分布的差異。
2023-12-01 15:26:271669 
回顧《平面結和柱面結的耐壓差異1》中柱面結的示意圖，在三維結構中，PN結的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散，那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結。
2023-12-01 16:22:452469 
下面我們再分析一下球面結的雪崩電壓。首先對（7-17）從PN結邊界到耗盡區(qū)圖片積分，結果如下，
2023-12-01 16:25:281605 
繼上一篇超級結MOSFET技術簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
“超結”技術憑借其優(yōu)異的性能指標，長期主導著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應用超結功率器件時需關注的關鍵問題，并提出了一種優(yōu)化解決方案，可顯著提升電源應用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144474 
為主的高新技術企業(yè)，主要有高壓產品線超級結MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產品線SGT MOSFET，產品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應用領域。 ? 在超級結MOSFET細分領域，2022年其超級結MOSFET產品銷售收入突破5億元，根據芯謀
2023-06-07 00:10:004320 
超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統(tǒng)性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461618 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
（1）產品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數，在實際的應用中要結合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個尖峰
2025-12-23 08:37:26
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發(fā)現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結構的高耐壓和溝槽型結構低電阻的特性。內建橫向
2018-10-17 16:43:26
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
MOSFET－開關特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ?同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS發(fā)揮其特征
2018-11-27 16:38:39
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
分類和特性肖特基勢壘二極管快速恢復二極管Si晶體管分類和特性高耐壓MOSFET晶體管的選擇方法選擇流程SOA、額定、溫度發(fā)揮其特征的應用事例Si二極管和MOSFET的種類非常多，耐壓和電流變動幅度也很大
2018-11-28 14:34:33
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
x 6.0 x 1.0mm）－我曾認為既然稱作高耐壓產品是不是因為有什么特別之處，但其實它的構成非常簡單啊。一般高耐壓的DC/DC轉換器多采用外置高耐壓MOSFET的電路結構來實現高耐壓，但
2018-12-05 10:00:48
/DC轉換器用IC等，500V以上的高耐壓品有很多。例如，ROHM內置MOSFET的AC/DC轉換器用IC的內置MOSFET的耐壓是650V。此外，通過將功率MOSFET外置的DC/DC轉換器控制器
2019-04-08 08:48:17
轉換器用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多?！ D9G341AEFJ是作為功率開關內置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構建高性能的高耐壓
2018-10-19 16:47:06
用IC的制造商有限，而且種類也并不是很多。BD9G341AEFJ是作為功率開關內置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構建高性能的高耐壓DC
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優(yōu)異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復合結構。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點而開發(fā)的晶體管。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。 工作上與MOSFET相同，通過
2020-06-09 07:34:33
、化學、機械方面穩(wěn)定熱穩(wěn)定性 ：常壓狀態(tài)下無液層，2000℃升華機械穩(wěn)定性：莫氏硬度（9.3），可以媲美鉆石（10）化學穩(wěn)定性 ：對大部分酸和堿具有惰性SiC功率元器件的特征SiC比Si的絕緣擊穿場強高約
2018-11-29 14:43:52
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
芯源MOSFET采用超級結技術，主要有以下幾種應用：
1）電腦、服務器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉換效率；
4）消費類電子產品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業(yè)界頂級水平，在ROHM的目前產品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
超結理論的產生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設計的影響:對超結理論的產生背景及其發(fā)展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 功率MOSFET的種類
按導電溝道可分為P溝道和N溝道 耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道 增強型—
2009-04-14 22:08:474404 
新型高耐壓功率場效應晶體管
摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導通電阻間的矛盾，介紹了內建橫向電場的高壓MOSFE
2009-07-16 09:01:321896 
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 眾所周知，超級結MOSFET的高開關速度自然有利于減少開關損耗，但它也帶來了負面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅動設計中，一個關鍵的控制參數就是外部串聯柵電阻（Rg）。這會抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾（EMI）、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分
2017-11-10 15:40:039 利用仿真技術驗證了由于源極LSource生成反電動勢VLS，通過MOSFET的電壓并不等于全部的驅動電壓VDRV。MOSFET導通時3引腳封裝的反電動勢VLS、柵極-源極VGS波形如下圖所示。圖中用圓圈突出顯示的部分是LSource的實際電壓。
2018-03-30 16:21:3412487 
）燈而言也非常重要。功率MOSFET是針對所有這些設計的典型首選開關技術，因為它可提供簡單的驅動選項，可在高電壓和高頻率條件下進行高效切換。在大多數此類應用中，額定值600V通常是作為保證安全處理高電壓瞬變的充分上限范圍。
2018-04-08 09:18:455512 為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
AEC車規(guī)認證的超級結MOSFET、IGBT、門極驅動器、碳化硅（SiC）器件、電壓檢測、控制產品乃至電源模塊等，支持設計人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動汽車直流充電樁的超級結MOSFET和具成本優(yōu)勢的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:009515 
電容的參數包括電容的容值、耐壓、工作溫度、公差、尺寸等等。我們選擇電容不單止考慮電容的種類，還需要關注電容的各種參數，如果僅僅是耐壓不一樣，高耐壓替代低耐壓是沒有問題的。
2020-02-12 19:26:5913639 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
交流耐壓是在比運行條件更加嚴格的試驗。是一種破壞性試驗，是鑒定電力絕緣強度最有效和最直接的方法。因此，在進行耐壓之前，必須先 進行絕緣電阻、泄漏電流、介損試驗、絕緣油等非破壞性試驗。合格后才可進
2021-09-26 10:05:313947 ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:513305 超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 NGTB20N60L2TF1G 應用筆記 [與超級結 MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:270 維安高壓超結MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
放眼國內外，現階段1000V及以上超高耐壓大電流MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，且存在價格高，交付周期長等弊端。對此維安(WAYON)面向全球市場，對800V及以上超高壓MOS產品進行了大量
2023-01-06 12:43:451962 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:001280 
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴展為系列化產品，現已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:061660 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051192 
ROHM推出內置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉換器產品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:051265 
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業(yè)界頂級水平，在ROHM的目前產品陣容中，也是耐壓最高的DC/DC轉換器IC。
2023-02-17 12:06:401955 
－ 您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內置超級結MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super
2023-02-23 11:26:581326 
安森德歷經多年的技術積累，攻克了多層外延超結（SJ）MOSFET技術，成功研發(fā)出具備自主知識產權的超結（SJ）MOSFET系列產品
2023-06-02 10:23:101909 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:362503 功率器件業(yè)務為主的高新技術企業(yè)，主要有高壓產品線超級結MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產品線SGT MOSFET，產品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應用領域。 在超級結MOSFET細分領域，2022年其超級結MOSFET產品銷售收入突破5億元，根據芯
2023-06-08 07:45:023111 
MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:562019 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:551297 
根據Global Market Insights的調查，超級結MOSFET在去年在能源和電力領域中的市場份額超過30%，覆蓋了電動車充電樁、服務器和數據中心電源、LED驅動、太陽能逆變器、家電控制等多個領域。預計到2032年，全球超級結MOSFET市場的年復合增長率將超過11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
在電子電路設計中，MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種常用的功率器件，具有高速開關、低導通電阻、低驅動功耗等優(yōu)點。然而，如果MOSFET超過其耐壓值，可能會導致器件損壞或性能下降
2024-08-01 09:26:062592 作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來，超結功率 MOSFET 在高電壓開關應用中一直占據主導地位，以至于人們很容易認為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進入超結MOSFET的細節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 14:47:482578 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
AW2K21是一款同時實現了超小型封裝和超低導通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實現雙向電路保護，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
超結MOS采用垂直結構設計，在漂移區(qū)內交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結”單元，通過電荷補償技術突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件，其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現低導通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
瑞能G3 超結MOSFET Analyzation 瑞能超結MOSFET “表現力”十足 可靠性表現 ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴謹執(zhí)行三批次可靠性測試，確保產品品質。? ?瑞能超級結 MOSFET
2025-05-22 13:59:30491 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉換場景的N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數校正（PFC）、開關模式電源（SMPS
2025-10-29 10:31:10192 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結技術的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數校正（PFC）、開關模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級結技術的N溝道功率MOSFET，憑借700V級耐壓、超低導通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數校正（PFC）、開關模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25205 ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40377 
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