在未來(lái)十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:04
1901 “PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共迎來(lái)了近8000名參觀者。在本屆展會(huì)上，開(kāi)發(fā)
2013-07-09 09:46:494103 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷(xiāo)售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開(kāi)始
2016-03-24 08:26:111846 納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號(hào)到6號(hào)在上海舉辦的中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:4814245 大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對(duì)比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標(biāo)示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0027189 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013830 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:534300 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:411404 
在PCIM Asia展上，英飛凌展示了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率電子產(chǎn)品組合，其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者現(xiàn)場(chǎng)探館，和大家分享一下現(xiàn)場(chǎng)所見(jiàn)。
2024-09-04 23:07:394696 
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502392 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車(chē)廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:025396 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將
2021-05-21 14:57:182771 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒(méi)有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來(lái)簡(jiǎn)單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來(lái)看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:366224 2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會(huì)上羅姆重點(diǎn)展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812444 
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
近日納微半導(dǎo)體宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設(shè)計(jì)。這種高頻及高效的AllGaN?功率IC相比傳統(tǒng)硅IC可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕
2017-09-25 10:44:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
有限公司（以下簡(jiǎn)稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢(shì)力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
有限公司（以下簡(jiǎn)稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢(shì)力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，全方位展示宇陽(yáng)科技高品質(zhì)MLCC產(chǎn)品及技術(shù)實(shí)力。
?
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體新銳品牌安森德（展位號(hào)1F35）攜功率器件、模擬IC及SIP系統(tǒng)級(jí)芯片與行業(yè)解決方案重磅亮相，邀您共商“芯”機(jī)遇，共謀“芯”發(fā)展
2023-08-24 11:49:00
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
，以支持在整個(gè)低、中和高功率范圍的多樣化應(yīng)用。從用于車(chē)載媒體應(yīng)用到空調(diào)的器件，到用于內(nèi)燃機(jī)(ICE)、混合動(dòng)力和純電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導(dǎo)體正在不斷開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車(chē)技術(shù)
2018-10-30 09:06:50
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
)/SIC2143BER(B)/SIC2144BER(B)
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體授權(quán)代理，需求請(qǐng)聯(lián)系
深圳市芯美力科技有限公司 楊生 13250262776微信同號(hào)
2025-07-23 14:36:03
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331846 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 本文主要介紹了納微半導(dǎo)體英文手冊(cè).
2018-06-26 08:00:0037 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)
2020-11-16 10:19:322918 納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 新能源和軌道交通等市場(chǎng)的快速發(fā)展，對(duì)電力電子產(chǎn)品的要求也越來(lái)越高，除了傳統(tǒng)主流的IGBT，第三代半導(dǎo)體材料，GaN和SiC，由于其更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率等特性也越來(lái)越得到市場(chǎng)的認(rèn)可。一年一度
2021-09-22 16:14:152717 氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專(zhuān)有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類(lèi)型的快充市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:562302 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布，正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:112763 PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是全球最大的功率半導(dǎo)體展會(huì)。今年5月，瑞能半導(dǎo)體攜多款旗艦產(chǎn)品亮相展會(huì)，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，以及在家用電器、可再生能源、汽車(chē)、通訊等領(lǐng)域卓越的功率器件產(chǎn)品組合產(chǎn)品。
2022-08-04 11:45:252075 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC，成為唯一專(zhuān)注下一代功率半導(dǎo)體公司 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 8 月 15日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:062747 
氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱，合并后的公司將在下一代功率半導(dǎo)體（GaN和SiC）領(lǐng)域創(chuàng)建一個(gè)全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合，到2026年，其總市場(chǎng)機(jī)會(huì)估計(jì)每年超過(guò)200億美元。
2022-09-06 16:15:151469 極具戰(zhàn)略意義的硅控制器技術(shù)，加速GaN和SiC市場(chǎng)推進(jìn)，搶奪傳統(tǒng)硅功率器件在多元化市場(chǎng)中的份額。 加利福尼亞州托倫斯，2023年1月19日訊：唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-02-02 16:17:44813 
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:181355 
領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將參加于5月9日至11日在德國(guó)紐倫堡舉辦的2023PCIM歐洲展會(huì)。PCIM歐洲是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)。屆時(shí)，羅姆將展示其推進(jìn)可持續(xù)技術(shù)的新型功率半導(dǎo)體，包括
2023-05-09 14:25:121295 當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月9日，全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商瑞能半導(dǎo)體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國(guó)紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:301708 
憑借下一代高成長(zhǎng)性，高功率半導(dǎo)體 氮化鎵和碳化硅，樹(shù)立新興市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯，2023年5月15日訊：下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式宣布
2023-05-23 14:15:34926 2023年7月13-14日，第三屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨IC應(yīng)用博覽會(huì)（ICDIA 2023）在無(wú)錫太湖國(guó)際博覽中心召開(kāi)。國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先高性能通用MCU廠商——上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司
2023-07-14 17:07:351268 科技攜多款全球首發(fā)頂尖量子點(diǎn)顯示技術(shù)與產(chǎn)品，驚艷亮相第四屆國(guó)際半導(dǎo)體顯示博覽會(huì)，充分向全球展示了自身行業(yè)領(lǐng)先的創(chuàng)新實(shí)力及技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。 全球首發(fā)最高分辨率300PPI噴墨打印AM-QLED樣機(jī) 納晶發(fā)布的首款300 PPI噴墨打印AM-QLED顯示屏，采用了新型氧化物TFT和噴墨打印技術(shù)，頂發(fā)射器件結(jié)
2023-07-19 14:09:091656 
）攜其HPM6700/6400、HPM6300和HPM6200系列產(chǎn)品EVK及產(chǎn)品解決方案亮相滴水湖論壇RISC-V國(guó)產(chǎn)芯片展區(qū)。ICDIA2023聯(lián)合滴水湖中國(guó)
2023-07-31 23:03:191016 
）。 本次展會(huì)聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)， 羅姆工程師還將在明日（8月30日）現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“第三代半導(dǎo)體論壇”以及“電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享
2023-08-29 12:10:061014 
的最新技術(shù)與產(chǎn)品。? ? ? ? 揚(yáng)杰科技攜帶晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相國(guó)內(nèi)PCIM Asia展，詳細(xì)全面介紹了在汽車(chē)電子、工控、清潔能源等高"信賴性"需
2023-08-31 17:55:021435 
【 2023 年 8 月 29 日 ， 中國(guó)上海訊】 英飛凌（Infineon）今日攜廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品，亮相于上海新國(guó)際博覽中心舉辦的?“2023上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下
2023-09-01 18:39:371367 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:302069 ? ?納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后，公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。納微半導(dǎo)體管理層將召開(kāi)電話會(huì)議、網(wǎng)絡(luò)直播介紹納微半導(dǎo)體的財(cái)務(wù)狀況以及
2023-11-08 10:20:05939 2023年10月30—11月1日，極海半導(dǎo)體攜多款芯片產(chǎn)品亮相慕尼黑華南電子展，展會(huì)期間，珠海半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)工程師王衍緒接受了《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》采訪。
2023-11-09 10:11:241265 近日，納微半導(dǎo)體在第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”上大放異彩，不僅展出了多款大小功率的杰出展品，還發(fā)表了以電動(dòng)汽車(chē)充電為主題的重磅演講。更令人矚目的是，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的技術(shù)和產(chǎn)品實(shí)力，一舉斬獲了三項(xiàng)行業(yè)重磅大獎(jiǎng)！
2024-01-03 16:01:541094 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷(xiāo)售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:562212 在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來(lái)的輝煌歷程，并對(duì)未來(lái)展望了無(wú)限期待。
2024-02-21 10:50:321467 功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者，納微半導(dǎo)體在此次展會(huì)上大放異彩，向觀眾展示了其搭載GaNFast?和GeneSiC?技術(shù)的全系列應(yīng)用和解決方案。
2024-03-12 09:30:241123 納微半導(dǎo)體，作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí)，納微半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來(lái)感的“納微芯球”展臺(tái)，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)，引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來(lái)世界。
2024-03-16 09:40:581412 加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）誠(chéng)邀觀眾參加6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺(tái)，
2024-05-24 15:37:331347 在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171 近日，安建半導(dǎo)體作為在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)的高技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，成功登陸歐洲最高質(zhì)量的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)——PCIM Europe，在德國(guó)紐倫堡向世界展示了其最新的創(chuàng)新成果。
2024-06-14 16:47:431398 享譽(yù)業(yè)界。來(lái)自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專(zhuān)家、廠商在這里發(fā)布和展示最新的研究成果和產(chǎn)品，內(nèi)容從半導(dǎo)體、元器件、封裝技術(shù)到終端系統(tǒng)，涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。? ? 作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，宏微科技攜全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品組合及解決方案精彩亮相，全方位展示
2024-06-17 16:03:531016 8月28日至30日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商安世半導(dǎo)體在PCIM Asia 2024展會(huì)上大放異彩，展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。此次參展，安世半導(dǎo)體精心籌備，攜四大產(chǎn)品線共23款先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案震撼亮相，為工程師的設(shè)計(jì)創(chuàng)新注入新活力。
2024-09-03 14:40:561642 8月28日至30日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌，在深圳盛大亮相“2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia）”，以“數(shù)字低碳，共創(chuàng)未來(lái)”為核心愿景，全面展示了其在硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）功率電子領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力與創(chuàng)新成果。
2024-09-03 15:02:481023 納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)和客戶對(duì)先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求愈發(fā)強(qiáng)烈，這一背景下納微實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收的持續(xù)增長(zhǎng)，連續(xù)三年成功入榜。
2024-11-22 17:22:531471 近日， 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435 近日，唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381786 近日，唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-02-26 17:05:131250 納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39981 納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 09:31:571008 近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門(mén)極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
近日，全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開(kāi)幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案亮相，產(chǎn)品覆蓋汽車(chē)、工業(yè)、新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-05-14 17:09:291455 此前，6月11日至13日，第十八屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)（SNEC 2025）在上海國(guó)家會(huì)展中心隆重舉辦。宏微科技攜風(fēng)光儲(chǔ)功率半導(dǎo)體器件及解決方案精彩亮相，吸引了眾多國(guó)內(nèi)外客戶駐足、觀看和交流。
2025-06-18 10:29:141072 PCIM Asia開(kāi)展在即，安世半導(dǎo)體攜多領(lǐng)域“芯”動(dòng)力重磅亮相！我們現(xiàn)場(chǎng)將帶來(lái)一系列高性能功率與IC產(chǎn)品解決方案，助力客戶攻堅(jiān)工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子、消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)挑戰(zhàn)，為工程師破解設(shè)計(jì)難題。
2025-09-17 16:31:361366 行業(yè)精英與前沿技術(shù)的展會(huì)上，奧芯明公司攜其創(chuàng)新的功率半導(dǎo)體封裝解決方案驚艷亮相，為綠色能源轉(zhuǎn)型與新能源汽車(chē)發(fā)展注入新動(dòng)力。 隨著新能源汽車(chē)滲透率的持續(xù)攀升以及光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，功率半導(dǎo)體作為綠色能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支撐，其重要性愈發(fā)凸顯。功率半
2025-09-28 17:45:22611 
2025年9月24日至26日，為期三天的2025上海PCIM Asia展在上海新國(guó)際博覽中心圓滿落下帷幕。作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，宏微科技在展會(huì)中精彩亮相，攜最新產(chǎn)品陣容與解決方案成為全場(chǎng)焦點(diǎn)。
2025-10-11 11:47:14712 自我正式擔(dān)任納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）首席執(zhí)行官至今，已有 60 天時(shí)間。今天，我們迎來(lái)了關(guān)鍵時(shí)刻：納微正加速轉(zhuǎn)型，成為一家以高功率為核心、聚焦“從電網(wǎng)到GPU”全鏈路解決方案的功率半導(dǎo)體公司。
2025-11-21 17:05:121217
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