圣邦微電子推出低靜態(tài)電流車規(guī)級理想二極管控制器
圣邦微電子推出 SGM25733Q,一款耐反向電壓輸入的低靜態(tài)電流車規(guī)級理想二極管控制器。該器件可應用于汽車信息娛樂系統(tǒng)(數(shù)字儀表盤和主機)、冗余電源系統(tǒng)的有源“或”電路、汽車 ADAS 系統(tǒng)(攝像頭集成)、企業(yè)電源和工業(yè)工廠自動化中的 PLC 集成。
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SGM25733Q 是一款專為汽車應用設(shè)計的理想二極管控制器,可作為理想二極管整流器使用。它搭配外部 NMOS 管,能夠提供低損耗的反極性保護,其正向壓降僅為 20mV。該器件擁有 3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍,能夠輕松應對汽車電池系統(tǒng)中常見的各種直流總線電壓,如 12V、24V 和 48V。它支持低至 3.2V 的輸入電壓,非常適合對冷啟動條件要求嚴苛的汽車系統(tǒng)。此外,它還能保護連接的負載免受低至 -65V 的反向電源電壓的影響。
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通過控制 MOSFET 的柵極,該器件可調(diào)節(jié) 20mV 的正向壓降。這種控制架構(gòu)可確保外部 MOSFET 在出現(xiàn)反向電流時關(guān)閉,從而有效防止任何穩(wěn)態(tài)反向電流。該器件具有小于 0.88μs 的快速反向電流阻斷響應時間,非常適合在 ISO7637 脈沖測試以及輸入微短路和電源故障情況下需要保持輸出電壓的應用。
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宇樹科技將在四季度提交IPO申請
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近日,宇樹科技在社交媒體平臺X上發(fā)帖稱,預計將在10月至12月向中國證券交易所提交IPO申請,運營數(shù)據(jù)將正式披露。
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宇樹科技表示以2024年為例,四足機器人、人形機器人和組件產(chǎn)品銷售額分別占約65%、30%和5%。
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其中約80%的四足機器人被應用于研究、教育和消費領(lǐng)域,而剩余的20%則被用于工業(yè)領(lǐng)域,如檢查與消防。人形機器人完全用于研究、教育和消費領(lǐng)域。
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美國再次對中國產(chǎn)GPU/主板等半導體關(guān)稅豁免
美國貿(mào)易代表辦公室(USTR)再次推遲對從中國進口的顯卡及相關(guān)PC硬件恢復25%關(guān)稅的計劃。該豁免原定于8月31日到期,現(xiàn)已延長至2025年11月29日。
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這意味著在中國組裝的顯卡、主板和固態(tài)硬盤(SSD)至少可以在三個月內(nèi)繼續(xù)免征高額進口稅運往美國。美國貿(mào)易代表辦公室援引公眾意見和持續(xù)的供應鏈限制作為理由,同時也承認中國以外的其他供應商仍未準備好承擔這一負擔。
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關(guān)稅風波始于2018年,當時特朗普政府根據(jù)301條款對大量中國電子產(chǎn)品征收25%的關(guān)稅。顯卡和主板曾一度受困,最終在2019年通過臨時豁免得以脫身。此后,這項豁免在兩屆政府的領(lǐng)導下屢屢被延長——通常是在最后一刻。
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這項豁免原定于2025年6月1日到期。然而,美國貿(mào)易代表辦公室卻將其延長至8月31日。如今,臨近截止日期,該機構(gòu)再次將截止日期推遲到11月底。官方通知還指出,美國貿(mào)易代表辦公室“可能會繼續(xù)考慮進一步延期或酌情進行其他修改?!?br /> ?
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馬斯克投資的飛行汽車在機場試運營:售價200余萬人民幣
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據(jù)外媒9月2日報道,美國加州圣馬特奧一家公司研發(fā)的飛行汽車,已經(jīng)與兩家機場簽約,開始試運營。這是一輛黑色純電動汽車,沒有外露螺旋槳,可垂直起降,能在普通道路上使用,飛行續(xù)航為170公里。
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另據(jù)《紐約郵報》早前報道,馬斯克的SpaceX也是這家公司的投資人。該車售價30萬美元,約合人民幣214萬元,已獲得3300份預訂單。Alef官網(wǎng)顯示,有押金150美元和押金1500美元兩種選項可供選擇,二者的區(qū)別就在于前者是普通等候隊伍,后者可以享受優(yōu)先提車的VIP待遇。
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英特爾25年資深高管將跳槽ADI
在英特爾擁有25年經(jīng)驗的資深人士、前先進封裝技術(shù)開發(fā)總監(jiān)Narahari Ramanuja即將離職,轉(zhuǎn)而執(zhí)掌亞德諾半導體(ADI)新擴建的俄勒岡晶圓廠。資料顯示,Narahari Ramanuja將于9月底出任ADI公司比弗頓晶圓廠的董事總經(jīng)理兼總經(jīng)理。
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全球領(lǐng)先的模擬芯片公司ADI保持了與英特爾截然不同的產(chǎn)品線,最近斥資10億美元對比弗頓工廠進行升級,這是其最大的生產(chǎn)線。該公司還在華盛頓州卡馬斯附近設(shè)有一家工廠,這加強了其在太平洋西北地區(qū)制造業(yè)的發(fā)展承諾。
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近幾個月,英特爾多名高級技術(shù)人員和管理人員離職或退休。曾負責英特爾制造業(yè)務的Ann Kelleher于今年3月退休。另外英特爾半導體封裝技術(shù)首席工程師段罡(Gang Duan)已離職,加入三星電機,預計將監(jiān)督三星電機美國子公司的技術(shù)營銷與應用工程業(yè)務。其他備受矚目的離職人員包括英特爾院士Matt Prince和Glenn Hinton,兩人均將于2025年退休,以及工廠技術(shù)研究副總裁Sanjay Natarajan,后者于今年6月卸任。另外,英特爾副總裁Kaizad Mistry和Ryan Russell也計劃退休。
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SK海力士引進存儲器業(yè)界首臺量產(chǎn)型High NA EUV設(shè)備
SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)3日宣布,已將業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(High NA EUV*)引進韓國利川M16工廠,并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。
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當日舉行的設(shè)備入廠慶祝儀式上,ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦社長、SK海力士未來技術(shù)研究院長兼技術(shù)總管(CTO,Chief Technology Officer)車宣龍副社長、SK海力士制造技術(shù)擔當李秉起副社長等領(lǐng)導共同出席,慶祝下一代DRAM生產(chǎn)設(shè)備的引進。
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SK海力士表示:“在全球半導體市場競爭愈發(fā)激烈的背景下,公司已成功構(gòu)建起快速研發(fā)并供應高端產(chǎn)品以滿足客戶需求的堅實基礎(chǔ)。通過與合作伙伴的密切協(xié)作,公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩(wěn)定性?!?br /> ?
SK海力士自2021年首次在第四代10納米級(1a)DRAM中引入EUV技術(shù)以來,持續(xù)將EUV應用擴展至先進DRAM制造領(lǐng)域。然而,為了滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求,引進超越現(xiàn)有EUV的下一代技術(shù)設(shè)備必不可少。
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此次引進的設(shè)備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B,它是首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。與現(xiàn)有的EUV設(shè)備(NA 0.33)相比,其光學性能(NA 0.55)提升了40%,這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案,并將集成度提升2.9倍。
圣邦微電子推出 SGM25733Q,一款耐反向電壓輸入的低靜態(tài)電流車規(guī)級理想二極管控制器。該器件可應用于汽車信息娛樂系統(tǒng)(數(shù)字儀表盤和主機)、冗余電源系統(tǒng)的有源“或”電路、汽車 ADAS 系統(tǒng)(攝像頭集成)、企業(yè)電源和工業(yè)工廠自動化中的 PLC 集成。
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SGM25733Q 是一款專為汽車應用設(shè)計的理想二極管控制器,可作為理想二極管整流器使用。它搭配外部 NMOS 管,能夠提供低損耗的反極性保護,其正向壓降僅為 20mV。該器件擁有 3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍,能夠輕松應對汽車電池系統(tǒng)中常見的各種直流總線電壓,如 12V、24V 和 48V。它支持低至 3.2V 的輸入電壓,非常適合對冷啟動條件要求嚴苛的汽車系統(tǒng)。此外,它還能保護連接的負載免受低至 -65V 的反向電源電壓的影響。
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通過控制 MOSFET 的柵極,該器件可調(diào)節(jié) 20mV 的正向壓降。這種控制架構(gòu)可確保外部 MOSFET 在出現(xiàn)反向電流時關(guān)閉,從而有效防止任何穩(wěn)態(tài)反向電流。該器件具有小于 0.88μs 的快速反向電流阻斷響應時間,非常適合在 ISO7637 脈沖測試以及輸入微短路和電源故障情況下需要保持輸出電壓的應用。
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宇樹科技將在四季度提交IPO申請
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近日,宇樹科技在社交媒體平臺X上發(fā)帖稱,預計將在10月至12月向中國證券交易所提交IPO申請,運營數(shù)據(jù)將正式披露。
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宇樹科技表示以2024年為例,四足機器人、人形機器人和組件產(chǎn)品銷售額分別占約65%、30%和5%。
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其中約80%的四足機器人被應用于研究、教育和消費領(lǐng)域,而剩余的20%則被用于工業(yè)領(lǐng)域,如檢查與消防。人形機器人完全用于研究、教育和消費領(lǐng)域。
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美國再次對中國產(chǎn)GPU/主板等半導體關(guān)稅豁免
美國貿(mào)易代表辦公室(USTR)再次推遲對從中國進口的顯卡及相關(guān)PC硬件恢復25%關(guān)稅的計劃。該豁免原定于8月31日到期,現(xiàn)已延長至2025年11月29日。
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這意味著在中國組裝的顯卡、主板和固態(tài)硬盤(SSD)至少可以在三個月內(nèi)繼續(xù)免征高額進口稅運往美國。美國貿(mào)易代表辦公室援引公眾意見和持續(xù)的供應鏈限制作為理由,同時也承認中國以外的其他供應商仍未準備好承擔這一負擔。
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關(guān)稅風波始于2018年,當時特朗普政府根據(jù)301條款對大量中國電子產(chǎn)品征收25%的關(guān)稅。顯卡和主板曾一度受困,最終在2019年通過臨時豁免得以脫身。此后,這項豁免在兩屆政府的領(lǐng)導下屢屢被延長——通常是在最后一刻。
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這項豁免原定于2025年6月1日到期。然而,美國貿(mào)易代表辦公室卻將其延長至8月31日。如今,臨近截止日期,該機構(gòu)再次將截止日期推遲到11月底。官方通知還指出,美國貿(mào)易代表辦公室“可能會繼續(xù)考慮進一步延期或酌情進行其他修改?!?br /> ?
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馬斯克投資的飛行汽車在機場試運營:售價200余萬人民幣
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據(jù)外媒9月2日報道,美國加州圣馬特奧一家公司研發(fā)的飛行汽車,已經(jīng)與兩家機場簽約,開始試運營。這是一輛黑色純電動汽車,沒有外露螺旋槳,可垂直起降,能在普通道路上使用,飛行續(xù)航為170公里。
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另據(jù)《紐約郵報》早前報道,馬斯克的SpaceX也是這家公司的投資人。該車售價30萬美元,約合人民幣214萬元,已獲得3300份預訂單。Alef官網(wǎng)顯示,有押金150美元和押金1500美元兩種選項可供選擇,二者的區(qū)別就在于前者是普通等候隊伍,后者可以享受優(yōu)先提車的VIP待遇。
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英特爾25年資深高管將跳槽ADI
在英特爾擁有25年經(jīng)驗的資深人士、前先進封裝技術(shù)開發(fā)總監(jiān)Narahari Ramanuja即將離職,轉(zhuǎn)而執(zhí)掌亞德諾半導體(ADI)新擴建的俄勒岡晶圓廠。資料顯示,Narahari Ramanuja將于9月底出任ADI公司比弗頓晶圓廠的董事總經(jīng)理兼總經(jīng)理。
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全球領(lǐng)先的模擬芯片公司ADI保持了與英特爾截然不同的產(chǎn)品線,最近斥資10億美元對比弗頓工廠進行升級,這是其最大的生產(chǎn)線。該公司還在華盛頓州卡馬斯附近設(shè)有一家工廠,這加強了其在太平洋西北地區(qū)制造業(yè)的發(fā)展承諾。
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近幾個月,英特爾多名高級技術(shù)人員和管理人員離職或退休。曾負責英特爾制造業(yè)務的Ann Kelleher于今年3月退休。另外英特爾半導體封裝技術(shù)首席工程師段罡(Gang Duan)已離職,加入三星電機,預計將監(jiān)督三星電機美國子公司的技術(shù)營銷與應用工程業(yè)務。其他備受矚目的離職人員包括英特爾院士Matt Prince和Glenn Hinton,兩人均將于2025年退休,以及工廠技術(shù)研究副總裁Sanjay Natarajan,后者于今年6月卸任。另外,英特爾副總裁Kaizad Mistry和Ryan Russell也計劃退休。
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SK海力士引進存儲器業(yè)界首臺量產(chǎn)型High NA EUV設(shè)備
SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)3日宣布,已將業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(High NA EUV*)引進韓國利川M16工廠,并舉行了設(shè)備入廠慶祝儀式。
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當日舉行的設(shè)備入廠慶祝儀式上,ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦社長、SK海力士未來技術(shù)研究院長兼技術(shù)總管(CTO,Chief Technology Officer)車宣龍副社長、SK海力士制造技術(shù)擔當李秉起副社長等領(lǐng)導共同出席,慶祝下一代DRAM生產(chǎn)設(shè)備的引進。
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SK海力士表示:“在全球半導體市場競爭愈發(fā)激烈的背景下,公司已成功構(gòu)建起快速研發(fā)并供應高端產(chǎn)品以滿足客戶需求的堅實基礎(chǔ)。通過與合作伙伴的密切協(xié)作,公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩(wěn)定性?!?br /> ?
SK海力士自2021年首次在第四代10納米級(1a)DRAM中引入EUV技術(shù)以來,持續(xù)將EUV應用擴展至先進DRAM制造領(lǐng)域。然而,為了滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求,引進超越現(xiàn)有EUV的下一代技術(shù)設(shè)備必不可少。
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此次引進的設(shè)備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B,它是首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。與現(xiàn)有的EUV設(shè)備(NA 0.33)相比,其光學性能(NA 0.55)提升了40%,這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案,并將集成度提升2.9倍。
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