車規(guī)級SiC供應(yīng)商桑德斯，填補(bǔ)國內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白

2021年12月9日，桑德斯微電子器件（南京）有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅（SiC）、二級管等產(chǎn)品代理。

桑德斯擁有核心的晶圓設(shè)計(jì)技術(shù)和獨(dú)立的晶圓廠，在目前全球缺“芯”的情況下，能穩(wěn)定供應(yīng)完整的SiC產(chǎn)品體系，其中SiC二極管交期是有保障的12-14wks，同時(shí)能根據(jù)客戶的需求靈活定制。除此之外，桑德斯擁有一系列車規(guī)認(rèn)證的產(chǎn)品，如：650V與1200V全系列的肖特基二極管等。其中，1200V 25mΩ的SiC MOS預(yù)計(jì)6月可過車規(guī)。桑德斯至今已先后為韓國三星、LG、歐洲空客、松下，國內(nèi)中興通訊等一批國際著名企業(yè)提供大量優(yōu)質(zhì)器件。

桑德斯（SMC）成立于1997年，2000年建成晶圓生產(chǎn)線，并不斷擴(kuò)建改造。是一個(gè)擁有完整SIC產(chǎn)品體系的強(qiáng)大供應(yīng)商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航空航天、家電、通訊、醫(yī)療等尖端領(lǐng)域。桑德斯相關(guān)數(shù)據(jù)手冊、選型指南等免費(fèi)技術(shù)資料已在世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺上線，復(fù)制文末鏈接或掃二維碼即可免費(fèi)獲取，世強(qiáng)提供桑德斯正品保證與供貨保障。

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SiC(68646) SiC(68646)
碳化硅(51891) 碳化硅(51891)

SiC需求增長快于供應(yīng)（內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商）

寬禁帶半導(dǎo)體材料越來越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。譬如，Cree計(jì)劃投資高達(dá)10億美元來擴(kuò)張其SiC晶圓產(chǎn)能。根據(jù)該公司

2019-07-19 16:59:35

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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET

德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術(shù)展會“PCIM Europ

2012-05-17 08:54:48

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SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件，在 1200V SiC MOSFET

2022-07-26 09:10:48

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安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。

2024-03-26 09:57:19

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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

2024-03-28 10:01:09

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三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。

2024-12-04 10:50:43

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多款產(chǎn)品通過車規(guī)認(rèn)證，國產(chǎn)SiC MOSFET加速上車

潮，令800V平臺、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級認(rèn)證，這將繼續(xù)推動SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)

2024-03-13 01:17:00

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1200V GaN又有新玩家入場，已進(jìn)入量產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，又有國內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V，已進(jìn)入

2024-07-31 01:06:00

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華為海思入局碳化硅！推出1200V工規(guī)級SiC單管

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思

2025-07-27 07:12:00

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加速落地主驅(qū)逆變器，三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，三安光電在投資者平臺上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗(yàn)證已完

2025-08-10 03:18:00

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1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！　‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。　　　　1200V碳化硅MOSFET系列選型　　　　

2020-09-24 16:23:17

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價(jià)格，可靠性，堅(jiān)固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價(jià)格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項(xiàng)技術(shù)

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

可以通過在SiC功率器件上運(yùn)行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進(jìn)行了壓力測試，具有

2019-07-30 15:15:17

SiC SBD 晶圓級測試求助

SiC SBD 晶圓級測試求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝

2020-08-24 13:03:34

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片

2018-11-30 11:34:24

SiC-SBD的產(chǎn)品陣容支持車載的650V/1200V、5A～40A

在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A

2018-12-04 10:09:17

SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較

10倍的絕緣擊穿場強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對

2018-11-29 14:35:50

SiC大規(guī)模上車，三原因成加速上車“推手”

多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗(yàn)，另一方面有效緩解了電動汽車的續(xù)航焦慮問題，因此廣受新能源車企的青睞。從功率半導(dǎo)體供應(yīng)商的角度來看，成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個(gè)

2022-12-27 15:05:47

國內(nèi)靠譜性價(jià)比電子元件、IC狗供應(yīng)商有哪些呢？

樓豬就是想了解一下，在這個(gè)魚目混珠的行業(yè)，國內(nèi)靠譜性價(jià)比電子元件、IC狗供應(yīng)商有哪些呢？

2016-06-16 11:45:15

車用SiC元件討論

，新企業(yè)搶占市場的背景下，該專案將提升歐盟工業(yè)、一級和二級供應(yīng)商以及產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)的競爭力。專案組將針對目標(biāo)應(yīng)用開發(fā)新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和架構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)室層面模擬操作環(huán)境，推進(jìn)目前急需的還是空白的技術(shù)、元件和展示產(chǎn)品

2019-06-27 04:20:26

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

阻斷電壓：1200V 連續(xù)漏極電流：450A。電氣特性漏源電阻（RDS(on)）：3.7mΩ 柵源閾值電壓：1.8V 柵電荷：1330nC。熱性能工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C

2025-03-17 09:59:21

GaN和SiC區(qū)別

開來，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET

2022-08-12 09:42:07

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能

2023-06-16 11:42:39

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠

2023-03-29 15:06:13

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】應(yīng)用于電動汽車的基于 SiC 器件雙向諧振型 DC/DC 變換器

電動汽車充電領(lǐng)域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項(xiàng)目的設(shè)計(jì)。項(xiàng)目計(jì)劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時(shí)設(shè)計(jì)SiC管的驅(qū)動策略；3）采用耐壓1200V

2020-04-24 18:11:27

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)

2018-11-29 14:33:47

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖

2018-11-27 16:37:30

具有全SiC MOSFET的10KW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加

2019-05-30 09:07:24

具有溫度不變勢壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子

2023-06-16 06:15:24

基于1200 V C3M SiC MOSFET的60 KW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板

CRD-60DD12N，60 kW交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個(gè)15 kW交錯(cuò)升壓級組成，每個(gè)級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅(qū)動板

2019-04-29 09:18:26

如何添加供應(yīng)商命令？

設(shè)計(jì)中”，它說“在本例中添加對供應(yīng)商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在設(shè)計(jì)中添加供應(yīng)商命令的支持？？？PNG70.1 K

2019-09-29 12:09:21

實(shí)現(xiàn)大容量存儲和供應(yīng)商級之間的區(qū)別是什么？

你好，實(shí)現(xiàn)大容量存儲和供應(yīng)商級之間的區(qū)別是什么？有什么相關(guān)的文件嗎？請?zhí)峁┙o我。謝謝您。以上來自于百度翻譯以下為原文Hi,what is the difference between

2018-10-10 14:57:15

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)

2019-09-17 09:05:05

深愛一級代理SIC953xD系列 /SIC全系列支持

深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B

2021-11-13 14:58:25

緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商

緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商

2021-03-11 08:01:56

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗

2019-03-18 23:16:12

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron

2018-12-04 10:11:50

Fairchild針對高速光伏逆變器和苛刻工業(yè)應(yīng)用發(fā)布1200V SiC二極管

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS）發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。

2016-03-22 11:12:16

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英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

2018-04-23 16:18:00

4336

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品

工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件。

2021-11-05 16:18:34

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車規(guī)級SiC供應(yīng)商桑德斯與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺達(dá)成協(xié)議

桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。

2022-02-24 16:14:14

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比亞迪半導(dǎo)體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。

2022-06-21 14:40:57

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瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認(rèn)證

值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。

2022-11-08 14:45:16

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未來五到十年供應(yīng)都會緊缺？國產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎？

當(dāng)前從目前的供應(yīng)情況來看，車規(guī)級SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應(yīng)，供不應(yīng)求現(xiàn)象較為嚴(yán)重。另一方面來說，國內(nèi)也有不少SiC器件廠商推出了車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品

2023-01-30 16:18:27

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中國SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報(bào)告

公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達(dá)作為國內(nèi)車規(guī)級SiC模塊的重要供應(yīng)商，車規(guī)級SiC模塊已獲得了國內(nèi)外多家車企和Tier1的項(xiàng)目定點(diǎn)，有較強(qiáng)

2023-02-17 14:13:38

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大普通信被評為蓋世汽車「2023車規(guī)級通信類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」

2023年2月22日，蓋世汽車在上海舉辦「2023車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」證書授予儀式，綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，為汽車?b class="flag-6" style="color: red">規(guī)級芯片細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)頒發(fā)「2023車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)

2023-02-22 18:25:42

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量產(chǎn)為王！芯馳榮獲車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商大獎(jiǎng)

2月22日，在蓋世汽車舉辦的第二屆汽車芯片產(chǎn)業(yè)大會上，芯馳科技憑借領(lǐng)先的產(chǎn)品實(shí)力和量產(chǎn)進(jìn)度榮獲蓋世汽車“車規(guī)級計(jì)算類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”與“車規(guī)級控制類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”兩項(xiàng)大獎(jiǎng)。

2023-02-23 09:26:02

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先積集成榮獲“車規(guī)級模擬類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”稱號

共創(chuàng)“芯”未來日前，在蓋世汽車在上海舉辦的第二屆汽車芯片產(chǎn)業(yè)大會-「2023車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」授予儀式上，從綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，先積集成獲得「2023車規(guī)級芯片

2023-02-26 12:08:11

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大普通信被評為蓋世汽車2023車規(guī)級通信類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商

日前，蓋世汽車在上海舉辦「2023車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」證書授予儀式，綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，為汽車?b class="flag-6" style="color: red">規(guī)級芯片細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)頒發(fā)「2023車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」證書，并

2023-02-27 11:19:26

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大唐恩智浦榮獲“車規(guī)級模擬類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”榮譽(yù)稱號

日前，在蓋世汽車舉辦的第二屆汽車芯片產(chǎn)業(yè)大會上，大唐恩智浦憑借領(lǐng)先的產(chǎn)品實(shí)力和量產(chǎn)進(jìn)度榮獲蓋世汽車“車規(guī)級模擬類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”稱號。此次獎(jiǎng)項(xiàng)評選綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?/div>

2023-02-27 14:54:07

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高新興物聯(lián)榮獲“車規(guī)級通信類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”證書

日前，由蓋世汽車主辦的2023第二屆汽車芯片產(chǎn)業(yè)大會于上海成功舉辦。大會圍繞車規(guī)級芯片標(biāo)準(zhǔn)及安全認(rèn)證、車規(guī)級MCU、自動駕駛芯片、高算力智能座艙SoC、車規(guī)級功率半導(dǎo)體、SiC功率器件等行業(yè)焦點(diǎn)話題

2023-02-27 18:23:35

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速顯微獲評蓋世汽車“車規(guī)級控制類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”

近日，由蓋世汽車主辦的2023第二屆汽車芯片產(chǎn)業(yè)大會在上海舉行，速顯微獲評“車規(guī)級控制類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”，并被收錄于2023蓋世汽車優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商名錄。蓋世汽車是汽車產(chǎn)業(yè)信息服務(wù)平臺，為汽車產(chǎn)業(yè)上下游

2023-03-07 10:33:22

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國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認(rèn)證

來源：國星光電官微近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代

2023-03-14 17:22:57

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國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認(rèn)證

近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從

2023-03-20 19:16:30

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國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。

2023-03-22 16:47:33

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1700V!這一國產(chǎn)SiC MOS率先上車

前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！

2023-06-14 18:19:55

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先積集成 ▏榮獲“車規(guī)級模擬類芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”稱號

共創(chuàng)“芯”未來2023年2月22日，在蓋世汽車在上海舉辦的第二屆汽車芯片產(chǎn)業(yè)大會-「2023車規(guī)級芯片優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商」授予儀式上，從綜合考慮產(chǎn)品的技術(shù)含量、市場反響與企業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，先積集成獲得

2023-03-06 11:30:20

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瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn)，助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品（IV1Q12160D7Z），該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證(AEC-Q101)。

2023-06-27 11:29:48

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凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。

2023-10-20 09:43:26

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國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應(yīng)管）器件也成功獲得了

2023-10-24 15:52:32

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國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后

2023-10-25 18:28:10

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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 11:00:52

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芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證，成功進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈！

近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V

2023-12-06 14:04:49

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1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-01-03 16:28:29

至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。

2024-01-16 15:45:17

1702

英飛凌再添一家SiC晶圓供應(yīng)商

近日，英飛凌與SiC晶圓供應(yīng)商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項(xiàng)協(xié)議。

2024-01-19 10:00:07

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安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。

2024-01-20 17:54:00

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Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。

2024-03-03 16:02:35

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Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

2024-03-06 11:43:19

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瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證

出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術(shù)的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品，并順利通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AQG324）。

2024-03-07 09:37:27

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蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯

2024-03-12 11:06:30

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蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。

2024-03-12 17:18:21

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瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。

2024-04-07 11:37:32

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納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種

2024-04-17 13:37:49

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納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。

2024-04-17 14:02:49

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納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級的需求。

2024-05-06 15:20:52

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昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。

2024-05-11 10:15:44

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納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列，該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

2024-05-13 15:27:39

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Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。

2024-05-23 11:34:58

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瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證

近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試

2024-06-24 09:13:20

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瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破，車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)

在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）以其卓越的研發(fā)實(shí)力和不懈的創(chuàng)新精神，再次書寫了行業(yè)的新篇章。近日，瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5m

2024-06-24 10:05:43

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SiC MOS卓越性能的材料本源

來源：凌銳半導(dǎo)體 SiC MOS憑借其性能優(yōu)勢為越來越多的行業(yè)，如儲能，充電樁，光伏逆變器所采用。特別是在采用800V電池系統(tǒng)的新能源車中1200V SiC MOS是主驅(qū)逆變器和車載充電的最佳選擇

2024-09-23 15:14:00

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方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片

年底將增至1.4萬片/月，并在2025年具備年產(chǎn)16.8萬片車規(guī)級SiC MOS的生產(chǎn)能力。同時(shí)，GaN（氮化鎵）產(chǎn)能已達(dá)4000片/月。此外，方正微電子還計(jì)劃在2024年底啟動Fab2的8英寸SiC

2024-10-16 15:27:21

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1200V碳化硅sic功率器件測試及建模

隨著電力電力電子技術(shù)逐漸向高壓大電流方向發(fā)展，傳統(tǒng)的 Si 基器件由于損耗大、開關(guān)速度慢、耐壓低等缺點(diǎn)逐漸被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應(yīng)用最為廣泛，小電流器件主要

2024-10-17 13:44:09

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET，為高效、可靠能源變換再添助力！

2024-10-29 13:54:37

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用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平臺的UCC217xx和ISO5x5x半橋EVM用戶指南.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-11-09 14:15:36

東芝推出全新1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。

2024-11-21 18:10:25

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瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動化生產(chǎn)。

2024-11-27 14:58:20

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瞻芯電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，助力高效大功率應(yīng)用

為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要，瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12060T2Z滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)

2024-12-02 09:07:34

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Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

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方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。

2025-04-17 17:06:40

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聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動能。

2025-05-14 17:55:02

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基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。

2025-06-19 17:02:15

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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

2025-07-16 14:08:23

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