(SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車
2022-05-17 11:55:24
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美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產(chǎn)品。
2019-03-20 09:19:282282 點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:573039 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:191074 
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
，我這暴脾氣......。從最初應(yīng)用算起，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展了三代，第一代是四五十年代開始以鍺、硅為代表的IV族半導(dǎo)體材料逐步發(fā)展起來(lái)，推動(dòng)人類進(jìn)入電子時(shí)代晶體管收音機(jī)就是那個(gè)時(shí)代的產(chǎn)物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評(píng)估板是第三代完全集成的3端口開關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個(gè)PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過(guò)一個(gè)透鏡來(lái)進(jìn)行光傳遞，是通過(guò)將幾十個(gè)高效率和高功率的晶元通過(guò)高科技封裝在一個(gè)平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術(shù)，紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場(chǎng)場(chǎng)紅外技術(shù)新革命，引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠(yuǎn)的方向發(fā)展，給安防市場(chǎng)制造著一個(gè)又一個(gè)亮點(diǎn)。紅外技術(shù)早在60年代初期由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無(wú)限技術(shù)，無(wú)限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語(yǔ)音幫車主解決很多行車問(wèn)題。行車
2019-01-08 15:44:58
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺(tái)，專為電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時(shí)
2023-02-28 17:13:35
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(
3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的
3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵
技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù):第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)詳細(xì)資料。文章對(duì)第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)及國(guó)際電聯(lián)提出的IMT-2000發(fā)展過(guò)程及研究現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹
2009-05-20 11:19:05
40 TD-SCDMA-第三代移動(dòng)通信技術(shù):
2009-05-21 14:45:5320 第三代移動(dòng)通信WCDMA無(wú)線傳輸?shù)闹饕?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù):
2009-05-27 17:22:2532 文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 00904774第三代通信網(wǎng)管構(gòu)架:
2009-06-18 16:53:1422 第三代移動(dòng)通信技術(shù)與業(yè)務(wù):蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的演進(jìn)，第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)化格局，技術(shù)不斷進(jìn)步背后的苦干問(wèn)題。
2009-08-02 14:35:4612 第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)全面討論了第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線傳輸技術(shù)等新技術(shù)，內(nèi)容涵蓋了第三代移動(dòng)通信的基本概念、CDMA技術(shù)的基本原理、無(wú)線傳播環(huán)境的相關(guān)知識(shí)、UTRA FDD、UT
2009-08-21 10:33:530 第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線接:WCDMA技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)是專門介紹第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)中WCDMA無(wú)線傳輸技術(shù)的專著。《WCDMA 技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線接入（第２版）
2009-08-21 10:38:3932 第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)
2010-03-18 09:55:0417 Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
第三代無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)
今天，我們正在進(jìn)入第三代無(wú)線通信階段。或者說(shuō)“互聯(lián)網(wǎng)包含一切”的階段，這個(gè)階段用無(wú)線傳感器和控制技術(shù)來(lái)連接人類世界與虛擬電子世界。
2009-03-24 08:40:432066 第三代移動(dòng)通信常識(shí)
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫，指第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)
2009-06-01 21:03:572976 什么是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)
第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系
2009-06-13 22:20:551326 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP內(nèi)核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘數(shù)累加器）VLIW（超長(zhǎng)指令字）DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）
2010-04-24 12:05:451926 萊迪思半導(dǎo)體公司日前宣布推出其第三代混合信號(hào)器件，Platform Manager系列。通過(guò)整合可編程模擬電路和邏輯，以支持許
2010-10-18 08:49:241017 LatticeECP3系列是來(lái)自萊迪思半導(dǎo)體公司的第三代高價(jià)值的FPGA，在業(yè)界擁有SERDES功能的FPGA器件中，它具有最低的功耗和價(jià)格
2011-03-23 10:41:361465 消防中第三代移動(dòng)通信技術(shù)的應(yīng)用介紹了第三代數(shù)字移動(dòng)通信（3G）技術(shù),車輛定位與監(jiān)控，中國(guó)的3G等等，對(duì) 3G 在消防工作中的應(yīng)用領(lǐng)域與方法進(jìn)行論述,并針對(duì)可能存在的技術(shù)問(wèn)題做了
2011-07-21 16:03:5740 據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16724 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:004266 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:507154 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:554538 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:004371 3 月 26 日，美的集團(tuán)宣布與三安光電全資子公司三安集成電路戰(zhàn)略合作，雙方將共同成立“第三代半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體功率器件的創(chuàng)新發(fā)展，加快國(guó)產(chǎn)芯片導(dǎo)入白色家電行業(yè)。
2019-03-29 11:08:165113 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:022246 根據(jù)今年3月份曝光的AMD產(chǎn)品線路圖來(lái)看，第三代線程撕裂者有望在今年年內(nèi)發(fā)布，但隨后在6月舉行的臺(tái)北電腦展上，新的AMD線路圖顯示第三代線程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代銳龍
2019-09-02 13:08:005845 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”將于9月19日上午在深圳五洲賓館舉行。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英將圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討和交流。
2019-09-11 14:23:185428 。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:375552 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1292797 招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問(wèn)題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0314626 1月22日，高德地圖正式發(fā)布第三代車載導(dǎo)航，小鵬汽車成為首款搭載第三代車載導(dǎo)航的企業(yè)。 第三代車載導(dǎo)航能力從“導(dǎo)人”升級(jí)為“人車共導(dǎo)”，利用AI視覺(jué)技術(shù)和高精地圖，實(shí)現(xiàn)車道導(dǎo)航，讓道路規(guī)劃以及引導(dǎo)
2021-01-22 18:05:144757 深圳愛(ài)仕特科技公司第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品宣傳冊(cè)
2021-03-16 16:18:5934 第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇，論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:103594 EE-230：第三代SHARC?系列處理器上的代碼覆蓋
2021-05-25 15:18:417 UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1318 MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測(cè)技術(shù)可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是第三代半導(dǎo)體器件SiC 或GaN的技術(shù)卻大大擴(kuò)展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)的高壓高速區(qū)域，這就對(duì)器件的測(cè)試
2021-12-29 17:11:061577 
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出第三代STPOWER碳化硅 （SiC） MOSFET晶體管 ，推進(jìn)在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場(chǎng)景應(yīng)用。
2022-03-14 10:25:522007 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:575970 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。
2022-07-20 15:16:352379 表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:351200 
被Qorvo收購(gòu)）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子，氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視，且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 17:13:06970 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:071642 
－進(jìn)入主題之前請(qǐng)您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請(qǐng)您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:071790 
、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 日前，在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露：國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向，現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 仿真器可以提供許多信息，但無(wú)法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計(jì)，也無(wú)法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會(huì)損壞。這就是在線 FET-Jet 計(jì)算器的優(yōu)勢(shì)所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡(jiǎn)化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:021039 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:362109 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:233689 
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:281254 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:062239 2021年第三代半導(dǎo)體系列報(bào)告之二
2023-01-13 09:05:554 UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:241153 
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716 近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944 
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:122319 
7月17日，TCL隆重推出了其第三代藝術(shù)電視A300系列，該系列以融合前沿科技與藝術(shù)創(chuàng)作為核心亮點(diǎn)，特別引入了Ai繪畫大模型技術(shù)，用戶僅需簡(jiǎn)單設(shè)定三個(gè)關(guān)鍵詞，系統(tǒng)便能在短短3秒內(nèi)自動(dòng)生成一幅個(gè)性化的藝術(shù)畫作，展現(xiàn)了科技與藝術(shù)的無(wú)縫對(duì)接。
2024-07-18 16:36:531308 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件?lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551390 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051954 基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22500 
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