2022年4月29日?– 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo
2022-04-29 16:36:30
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(SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:242852 
車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。 ? 貿澤電子分銷的UF4C/SC?SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝
2022-06-09 16:44:432393 
在功率半導體領域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產品相比，英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關UF3C FAST產品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項。
2019-07-25 11:44:322164 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應用。
2019-12-10 13:45:242491 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。
2020-10-15 14:17:121219 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Qorvo?的 QPL181x系列CATV 放大器。
2021-06-04 15:43:592114 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結構，其內部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:191074 
貿澤電子即日起開售Skyworks Solutions的高科技陶瓷帶通濾波器。
2021-11-10 15:15:363012 
貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Sensirion的SFM全系列數字流量計，包括SFM3003和SFM3013流量計。
2021-12-21 14:05:102403 
選擇。 ? 貿澤電子供應的Renesas RZ/V2L微處理器搭載Renesas獨有的AI動態(tài)可配置處理器? (DRP-AI)，因此能夠支持各種圖像處理用途，包括輸入
2022-07-05 10:15:341510 
D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60m
2024-01-31 15:19:343083 
至關重要。 UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導
2024-06-14 15:29:581291 
2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2
2024-07-25 16:14:17946 40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
系列傳感器為設計工程師提供了適用于工業(yè)機器視覺應用的2D和3D解決方案，如移動面部識別、智能家居和家電、QR掃描器、AR/VR、無人機、智能可穿戴設備、結構化光視覺等。貿澤電子備貨的Mira220
2023-02-28 09:31:06
業(yè)內先進的 AC/DC轉換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優(yōu)化的控制電路內置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
在L7812c2t d^2pak封裝上，經常能看到三行標識，分別是l7812c2tgkodj v6chn 327請問第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
柵極驅動特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出
2023-05-11 15:28:08
柵極驅動特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出
2023-05-11 15:41:16
市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合開關電感
2023-05-11 16:55:02
市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封裝，非常適合開關
2023-05-11 17:09:34
Qorvo 的 UJ4C075023B7S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:39:53
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075033B7S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:50:43
Qorvo 的 UJ4C075044B7S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:23:36
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075060B7S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:35:54
Qorvo 的 UJ4SC075005L8S 是一款 750 V、5.4 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 09:58:02
Qorvo 的 UJ4SC075006K4S 是一款 750 V、5.9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 10:14:25
Qorvo 的 UJ4SC075008L8S 是一款 750 V、8.6 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:22:05
Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 10:27:07
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 10:31:25
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:39:28
Qorvo 的 UJ4SC075011K4S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:55:29
Qorvo 的 UJ4SC075018L8S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:58:10
MOSFET 共同封裝，以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
UJ3C065030T3S產品簡介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產品，將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
UJ4SC075018B7S 產品簡介Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 16:16:38
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
750V、33 mΩ的SiC FET，采用新一代技術設計，專為高密度電路板和高溫應用而優(yōu)化，成為服務器和通信電源供應的理想選擇。產品概述UJ4C075033L8S具有以
2024-11-10 08:38:06
深入解析UJ4C075060L8S：高性能750V SiC FET的技術優(yōu)勢與應用在當今高效電力電子設備的設計中，選擇合適的功率半導體器件至關重要。UJ4C075060L8S作為一款750V、58
2024-11-10 08:43:55
深入解析UJ4C075044L8S：高性能750V SiC FET的技術優(yōu)勢與應用在現(xiàn)代電力電子設備中，功率半導體器件的性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。UJ4C075044L8S作為一款750V
2024-11-10 08:44:13
UJ4C075023L8S：高效能750V SiC FET助力服務器和通信電源在現(xiàn)代電源設計中，隨著對高效率、低功耗和高密度組件的需求不斷增加，碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）逐漸成為電力電子
2024-11-10 08:49:33
功率因數校正（PFC）、主動前端整流器、LLC轉換器和相移全橋轉換器的設計人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結型場效應晶體管（JFET）共源共柵
2018-05-25 16:42:001767 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:004371 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:022246 全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項，有助于選擇應對設計挑戰(zhàn)的理想功率器件。
2020-05-14 09:03:591360 貿澤將開售采用英特爾?和Xilinx? FPGA技術的BittWare高端板卡級解決方案。
2020-10-14 14:44:003352 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:13
18 晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:333576 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時，它與650V第三代器件的比較結果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質因數RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復能量，動態(tài)損耗也降了近一半。關閉
2022-05-23 17:31:291802 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。
2022-06-06 09:33:575970 
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強大，導通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:201232 
450/750V及以下橡皮絕緣電纜，實驗方法和標準
2022-07-31 09:15:122 UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 許多人選擇“七”這個數字是因為它的“幸運”屬性，而UnitedSiC選擇它則當然是因為七個引腳非常適合D2PAK半導體封裝。
2022-08-01 14:42:361548 UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設計選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設計工程師只需：
2022-10-11 09:03:281322 被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11 毫歐的部件，這是對已經推出的 18 和 60
2023-02-21 09:29:46399 
采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3 mOhm 標準電平 FET-PSMN2R8-80BS
2023-03-03 18:57:110 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 2 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS
2023-03-03 18:58:270 來源：Qorvo 近日，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:201191 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:091329 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
2023-05-17 12:05:021039 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:271227 進行功率設計時，如何選擇合適的部件可能非常棘手，有時還讓人極度煩惱。對于 SiC FET 和 SiC 肖特基二極管，利用 FET-Jet 計算器（第 2 版）可以幫您免除盲目猜測的煩惱。閱讀本博文
2023-05-19 13:45:021006 
新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產品型號
2023-05-18 09:41:312383 
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能地位，并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產品組合
2023-08-07 14:47:171137 
（GaN）等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。 與傳統(tǒng)硅基產品相比，這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方面都有了質的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴大了其領先優(yōu)勢。
2023-08-29 18:10:011062 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:241153 
深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:171702 Qorvo，全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實現(xiàn)了業(yè)界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 在產品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導體技術（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52646 貿澤電子即日起開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件為厘米級精度的定位應用（如自主機器人、資產跟蹤和互聯(lián)健康）提供了一個緊湊的開發(fā)和原型設計平臺。
2024-04-17 10:25:241124 至關重要。 UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導
2024-06-12 14:04:44950 新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統(tǒng)設計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444 
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為
2024-11-29 01:03:07830 750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性
2024-12-20 17:04:511010 近日，全球電子元器件和工業(yè)自動化產品的領先授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics)正式宣布開售Raspberry Pi的Hailo 8L AI套件。這一創(chuàng)新產品的推出，標志著貿澤
2025-01-15 14:25:18850 新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性
2025-01-17 17:03:271225 電子發(fā)燒友網站提供《D2PAK-7L,SMD卷盤包裝.pdf》資料免費下載
2025-02-12 16:11:310 電子發(fā)燒友網站提供《71 FCO-7L-UJ√.pdf》資料免費下載
2025-03-03 16:53:570 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
汽車應用場景，例如電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉換器、暖通空調系統(tǒng)(HVAC)等。這些器件采用愈發(fā)流行的D2PAK-7表面貼裝封裝，相
2025-05-09 19:42:5351644 貿澤電子開售Nordic Semiconductor的全新nRF54L低功耗藍牙SoC解決方案。nRF54L系列結構緊湊、功耗低，適用于醫(yī)療和智能家居設備、工業(yè)物聯(lián)網、游戲控制器和其他物聯(lián)網應用。
2025-06-03 14:37:281016 新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優(yōu)勢和應用領域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優(yōu)勢 頂面散熱設計 熱管理優(yōu)化
2025-08-10 15:11:061222 
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率開關器件至關重要。今天，我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能為我們的設計帶來哪些驚喜。
2025-12-02 11:19:40431 
在電子工程領域，功率MOSFET一直是電源設計中的關鍵元件。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V、44mΩ、47A的N溝道SiC功率MOSFET，采用TO247 - 4L封裝。
2025-12-08 15:02:32326 
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工商網監(jiān)
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