導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線(xiàn)性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過(guò)的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
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國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車(chē)用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083399 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開(kāi)發(fā)第三代車(chē)載SJ-MOSFET，計(jì)劃1～2年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)。該器件降低了導(dǎo)通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201805 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成；開(kāi)關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開(kāi)關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET 沒(méi)有即時(shí)開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:331207 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見(jiàn)方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開(kāi)關(guān)
2019-03-08 15:06:392742 最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:371464 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國(guó)慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
通電阻降低0.4 mΩ，同時(shí)大幅改進(jìn)了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導(dǎo)通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
。問(wèn)題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動(dòng)通用驅(qū)動(dòng)電壓的功率MOSFET，有什么問(wèn)題？問(wèn)題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導(dǎo)通電阻，發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時(shí)系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時(shí)候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開(kāi)通。
2016-12-21 11:39:07
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖 1—降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè) FET和低側(cè)
2019-11-30 18:41:39
使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身
2017-01-09 18:00:06
的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響此前的傳遞函數(shù)推導(dǎo)中，并沒(méi)有考慮過(guò)開(kāi)關(guān)（開(kāi)關(guān)晶體管）導(dǎo)通電阻的影響。但是眾所周知，實(shí)際上是肯定存在開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻的，而且對(duì)實(shí)際運(yùn)行也是有影響的。所以本次將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
轉(zhuǎn)換，負(fù)載開(kāi)關(guān)，電機(jī)控制，背光，電池保護(hù)，電池充電器，音頻電路和汽車(chē)。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng)點(diǎn)擊此處前往特征：低導(dǎo)通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開(kāi)啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
忽略輸入開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開(kāi)發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開(kāi)關(guān)速度也非?？臁＿@將大大改善開(kāi)關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動(dòng)很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過(guò)，SiC功率元器件的開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)?！O低的門(mén)極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
` 功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注
2011-09-27 11:25:34
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電阻
2023-02-27 10:02:15
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄...
2021-10-28 06:56:14
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和反向恢復(fù)電荷（Qrr）的函數(shù)。柵極驅(qū)動(dòng)損耗由MOSFET的柵電荷（Qg）決定。因此,寄生電容和導(dǎo)通電阻（RDS(on)）決定了器件在特定應(yīng)用中的性能。在現(xiàn)今的低壓MOSFET中最普遍使用的技術(shù)
2012-12-06 14:32:55
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
下降0.5%。PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的高效率也是通過(guò)通道而不是體二極管升壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的?！ 」ぷ鳒囟认碌?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻與硅相當(dāng) 一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS（on）。硅 MOSFET 在紙面上看起來(lái)比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
作為開(kāi)關(guān)模式電源的核心器件，MOSFET在對(duì)電源的優(yōu)化中承擔(dān)著十分重要的角色。采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)提高工作效率固然必不可少，但封裝技術(shù)本身對(duì)提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換
2018-12-07 10:23:12
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進(jìn)SGT（屏蔽柵極槽）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適合用于高效電源管理和高速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)
2024-10-14 09:40:16
通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應(yīng)用受到極大限制?！ 〗档透邏?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法 1、不同耐壓的MOSFET的導(dǎo)通電阻分布 不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)
2009-12-18 09:26:061007 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開(kāi)關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專(zhuān)
2010-03-01 11:00:181883 IR智能電源開(kāi)關(guān)為24V汽車(chē)應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551514 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車(chē)電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41898 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車(chē)應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 消除模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:15
1 不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開(kāi)關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 電源系統(tǒng)中的主開(kāi)關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過(guò)降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0213589 
MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01728 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導(dǎo)通電阻的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿(mǎn)足高性能的需求；加入增強(qiáng)模式，可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513853 
安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:121262 產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434612 
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念， 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類(lèi)產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381562 導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬(wàn)用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法以及專(zhuān)用儀器測(cè)量法。
2022-01-29 15:49:0029360 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一，特別是在汽車(chē)
2022-08-19 15:05:056087 比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:171750 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:214033 )(統(tǒng)稱(chēng)“東芝”)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:531669 
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021477 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱(chēng)為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:561060 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻汽車(chē)負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2295x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:47:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、3A、19mΩ 導(dǎo)通電阻汽車(chē)類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22995H-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 16:18:150 全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專(zhuān)為滿(mǎn)足汽車(chē)電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合設(shè)計(jì)。
2024-04-15 15:49:331566 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓，也稱(chēng)為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的電壓值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552997 近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場(chǎng)帶來(lái)了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)支持可配置上升時(shí)間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49638 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開(kāi)關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶(hù)調(diào)試或可靠性
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來(lái)越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188
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