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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

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2023-02-07 10:50:02

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

FF450R17ME3英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT模塊是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加
2023-02-07 13:46:10

英飛凌IGBT模塊

FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個
2023-02-07 13:52:10

英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3

FZ400R17KE3 英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層
2023-02-07 14:31:30

英飛凌IGBT模塊

FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加
2023-02-07 14:36:09

英飛凌IGBT模塊

FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為
2023-02-07 14:38:49

英飛凌IGBT模塊

英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08

英飛凌IGBT模塊

FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47

英飛凌IGBT模塊FF300R06KE3

FF300R06KE3英飛凌igbt模塊FF300R06KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n摻雜附加層,這個
2023-02-24 15:28:34

英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMA

英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro 英飛凌(Infineon Technology)宣布推出具備最高傳輸速率的第二代LTE射頻收發(fā)器樣片──SMARTi
2009-01-27 17:52:511888

導(dǎo)晶閘管(RCT)

導(dǎo)晶閘管(RCT)
2009-07-16 22:40:541647

導(dǎo)晶閘管(RCT),導(dǎo)晶閘管(RCT)是什么意思

導(dǎo)晶閘管(RCT),導(dǎo)晶閘管(RCT)是什么意思 導(dǎo)晶閘管(RCT)
2010-03-02 17:14:411119

導(dǎo)晶閘管(RCT)是什么?

導(dǎo)晶閘管(RCT)是什么?
2010-03-03 11:42:192301

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)

創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù) 英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT
2010-05-11 17:32:473227

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101342

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并且減小了永磁電機驅(qū)
2011-05-31 09:00:422070

英飛凌推出可信平臺模塊(TPM)芯片

英飛凌科技推出可信平臺模塊(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架構(gòu)不可或缺的組成部分。英飛凌成為適合與面向網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的全新操作系統(tǒng)結(jié)合使用的TPM芯片的首家供應(yīng)商
2011-08-04 08:45:343939

英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代導(dǎo)IGBT

英飛凌科技股份公司推出單片集成導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴充導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴展,重點關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:251110

英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT

英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361744

IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動器應(yīng)用

IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:223

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級換代了?

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化,實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4413292

IGCT的導(dǎo)技術(shù)_IGCT的透明陽極

GCT大都制成導(dǎo),與非對稱結(jié)構(gòu)不同,它可與優(yōu)化的續(xù)流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通GCT的最小基區(qū)厚度與二極管相同,可承受相同的阻斷電壓。
2019-12-22 10:20:245570

英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高,在設(shè)計靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級,適用于
2023-02-16 16:30:582132

英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT

英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:271227

新品 | 采用650V導(dǎo)R6系列IGBT3千瓦半橋感應(yīng)加熱評估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V導(dǎo)R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器,產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:401608

igbt可控硅有什么區(qū)別?

igbt可控硅有什么區(qū)別?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)與可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:3113932

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號

Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門型號:1
2023-08-25 16:58:534679

igbt變電路工作原理

igbt變電路工作原理? IGBT變電路是一種用于變換直流信號轉(zhuǎn)換為交流信號的電路。它們常用于電力電子設(shè)備中,例如交流驅(qū)動電機,太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)以及電機驅(qū)動設(shè)備。IGBT變電
2023-08-29 10:25:518671

IGBT變電路詳解

路原理 IGBT變電路是由IGBT管、反并聯(lián)二極管、電感、電容等組成的電路。在正常工作時,IGBT管的門級隔離驅(qū)動,控制IGBT管的導(dǎo)通和截止,使電路中的電感儲存電能,當(dāng)IGBT管截止時,電感產(chǎn)生的反電動勢將使反并聯(lián)二極管導(dǎo)通,將儲存在電感中的電能傳遞到負(fù)載中
2023-08-29 10:25:548511

igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt導(dǎo)通和關(guān)斷條件

igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開關(guān)。IGBT由P注入?yún)^(qū)、N襯底、N漏源
2023-10-19 17:08:0226499

IGBT單相電壓全橋無源變電路

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT單相電壓全橋無源變電路.pdf》資料免費下載
2023-11-01 10:06:0744

為什么導(dǎo)IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

為什么導(dǎo)IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
2023-12-01 16:42:021217

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則

英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:352305

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:363093

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業(yè)自動化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌IGBT模塊
2023-12-07 16:45:212367

英飛凌推出全新SSI系列固態(tài)隔離器

英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離柵極驅(qū)動電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動MOS電壓驅(qū)動功率晶體管,如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?,無需額外的專用電源來驅(qū)動功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228

igbt能直接代替可控硅嗎

可以。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種絕緣柵雙極晶體管,它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管(BJT)的優(yōu)點,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)
2024-07-25 10:52:543564

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212265

新潔能導(dǎo)IGBT NCE15ER135LP概述

本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的導(dǎo)IGBT:NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。
2025-07-17 09:20:291681

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