Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09
1246 淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:473390 
已經(jīng)成為全球智能手機市場的中流砥柱。射頻芯片產(chǎn)業(yè)在中國已然高速增長?！?b class="flag-6" style="color: red">Qorvo在未來的5G 射頻市場將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機
2016-08-26 10:20:52
就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對比不同半導(dǎo)體工藝技術(shù)，就會發(fā)現(xiàn)功率通常會如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺(SiGe)技術(shù)采用相對較低的工作電壓（2 V至3 V），但其集成
2018-10-17 10:35:37
就是層壓，層壓品質(zhì)的控制在多層板制造中顯得愈來愈重要。因此要保證多層板層壓品質(zhì)，需要對多層板層壓工藝有一個比較好的了解．為此就多年的層壓實踐，對如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)上作如下總結(jié)： 一
2018-11-22 16:05:32
`CHA6652-QXG是一款三級單片GaAs大功率電路，可產(chǎn)生2瓦輸出功率。它是高度線性的，可以進行增益控制，并集成了功率檢測器。包括ESD保護。它是專為點對點廣播而設(shè)計的。該電路采用pHEMT
2021-01-21 15:56:15
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
的GaAs芯片采用0.25μmpHEMTGaAs工藝，該工藝針對RF功率，低噪聲和RF信號控制應(yīng)用進行了優(yōu)化，非常適合單個IC的高集成度。該GaAs MMIC包括一個“公共路徑”電路，其中包含一個4位數(shù)
2019-04-23 20:04:11
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工藝技術(shù)的頁面閃存
2023-03-25 03:30:11
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動貼裝設(shè)備的設(shè)計制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
環(huán)保更廣泛的普及，達到既盈利又環(huán)保的雙贏目標。無鉛工藝的現(xiàn)狀當(dāng)前國內(nèi)許多大公司也沒有完全采用無鉛工藝而是采取有鉛工藝技術(shù)來提高可靠性，在機車行業(yè)中西門子和龐巴迪等國際知名公司也沒有完全采用無鉛工藝進行
2016-05-25 10:08:40
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競成----無鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提下，能達到多高的集成度？
工藝技術(shù)仍然限定某些重要的功能部件必需運用特殊的
工藝來制造：在射頻 （RF） 領(lǐng)域
采用 GaAs 和 SiGe、高速 ADC
采用細線 CMOS，而高品質(zhì)因數(shù)濾波器則無法使用半導(dǎo)體材料得以很好地實現(xiàn)。此外，市場還需要更高的密度?！ ?/div>
2019-08-15 08:25:15
和日趨完善?！ ∪詣淤N裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對設(shè)備依賴性最強的一個工序，整個SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動貼裝中貼片機設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
的路要走，但Qorvo 已在開發(fā)相應(yīng)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以推動客戶的5G 應(yīng)用。GaN 必將在5G 格局中發(fā)揮激動人心的關(guān)鍵作用。
2017-07-28 19:38:38
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
本文所介紹的各種方法與技巧有利于提高PCB的EMC特性，當(dāng)然這些只是EMC設(shè)計中的一部分，通常還要考慮反射噪聲，輻射發(fā)射噪聲，以及其他工藝技術(shù)問題引起的干擾。
2021-04-27 06:20:32
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計原理，設(shè)計制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路（ MMIC）。采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
及結(jié)構(gòu)設(shè)計等措施。為節(jié)省芯片面積普遍采用了多層布線結(jié)構(gòu)，現(xiàn)已達到7層布線。晶片集成(Wafer Scale Integration-WSI)和三維集成技術(shù)也正在研究開發(fā)。自IC問世以來，集成度不斷提高
2018-08-24 16:30:28
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點。其中金線柱焊接凸點和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
，Agilent 最早采用帶寬增強技術(shù)僅是把其 12GHz 帶寬的示波器提高到 13GHz。反過來，用數(shù)字處理技術(shù)還可以根據(jù)需要來壓縮帶寬。帶寬壓縮的同時有一部分頻率成分的噪聲也被濾掉，所以在不需要高帶寬時可以
2018-04-03 10:34:04
，Agilent 最早采用帶寬增強技術(shù)僅是把其 12GHz 帶寬的示波器提高到 13GHz。反過來，用數(shù)字處理技術(shù)還可以根據(jù)需要來壓縮帶寬。帶寬壓縮的同時有一部分頻率成分的噪聲也被濾掉，所以在不需要高帶寬時可以
2018-04-04 09:17:01
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
請詳細敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術(shù)還在哪些高速通信領(lǐng)域應(yīng)用呢？
2019-07-30 07:56:50
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項目名稱：高壓0.18μm 先進工藝技術(shù)，該項目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點、分類和使用工藝要點。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1767 無鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:531063 IC工藝技術(shù)問題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級
2009-08-27 23:13:381012 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:121272 IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認識
2009-12-18 10:39:011051 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進，目的是
2009-12-24 08:44:23952 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們常可以在CPU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項，其中有“
2010-02-04 10:41:53961 創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹
表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機電傳感器及激勵器系統(tǒng)，它能夠通過高適應(yīng)度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49931 超細線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351684 Achronix半導(dǎo)體公司宣布：該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán)，并計劃開發(fā)最先進的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29793 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52153 隨著芯片微縮，開發(fā)先進工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進工藝技術(shù)節(jié)點的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:302301 本文重點描述運用MEMS微機械加工工藝技術(shù)設(shè)計、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:268619 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:423455 業(yè)界對哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦
2017-11-25 02:35:02918 業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13840 Synopsys設(shè)計平臺用于高性能、高密度芯片設(shè)計 重點： Synopsys設(shè)計平臺獲得TSMC工藝認證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個設(shè)計項目。 針對
2018-05-17 06:59:005639 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細過孔和埋孔設(shè)計，印制電路圖形導(dǎo)線細、微孔化窄間距化，加工中所采用的機械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細孔加工。
2018-07-06 14:11:064407 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進汽車設(shè)計規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運行要求。
2018-10-18 14:57:217323 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0077 多層印製板的層壓工藝技術(shù)按所采用的定位系統(tǒng)的不同，可分爲(wèi)前定位系統(tǒng)層壓技術(shù)（PIN-LAN)和后定位系統(tǒng)層壓技術(shù)(MASS-LAM)。前者定位精度高,但效率低、成本高,只適用于高層數(shù)、高精度的多層
2019-07-24 14:54:268853 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細介紹這兩種工藝的加工特點及加工原理。
2019-04-28 15:10:5236634 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073 在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實現(xiàn)EDA框架和設(shè)計流程的平滑過渡。該工藝技術(shù)層實際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個屬性對象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項等等。
2019-10-08 15:17:412756 
使用Qorvo工藝技術(shù)的各種各樣性能指標。Qorvo的通用性增益模塊在內(nèi)部匹配，在各種各樣封裝類型中提供各種各樣增益和線性，Qorvo為用戶提供了諸多系統(tǒng)設(shè)計方案。 Qorvo增益塊放大器的主要特性： 完整的產(chǎn)品組合，包括各種部件；高級別OIP 3；寬帶寬度；內(nèi)部零件匹配設(shè)
2020-09-03 10:51:57789 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費下載。
2020-12-09 08:00:000 最大的RISC-V架構(gòu)廠商SiFive近日宣布，其OpenFive部門已成功采用臺積電（TSMC）的N5工藝技術(shù)流片公司首個SoC，采用2.5D封裝HBM3存儲單元，帶寬7.2Gbps。在半導(dǎo)體行業(yè)中，流片意味著芯片設(shè)計大功告成，一般會在一年內(nèi)投入商用。
2021-05-01 09:33:003547 
QORVO Omnia 診斷測試平臺采用創(chuàng)新射頻技術(shù)，旨在快速獲取特異的 COVID-19 抗原檢測結(jié)果 中國，北京，2021 年 5 月 11 日——移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF
2021-05-13 14:57:572186 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 電子工藝技術(shù)論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:511455 Qorvo的RFPA0133是款3V至5V高效率可編程增益值放大器IC。RFPA0133選用領(lǐng)先的GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)工藝技術(shù)。RFPA0133設(shè)計適用于在380MHz至960MHz
2022-12-07 13:58:424283 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:481591 GaAs工藝中也可以像傳統(tǒng)的Si工藝一樣集成無源和有源器件，但GaAs在某些方面會比Si工藝有優(yōu)勢，尤其是高頻應(yīng)用。
2023-07-11 10:42:345932 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:036 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:222031 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:236 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:331934 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結(jié)了不同封帽工藝的特點以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:281975 
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)用需求發(fā)展出特色工藝技術(shù)的。
2024-07-17 10:09:503052 
近日，安森美（onsemi，納斯達克股票代號：ON）宣布推出Treo平臺，這是一個采用先進的65nm節(jié)點的BCD（Bipolar–CMOS-DMOS）工藝技術(shù)構(gòu)建的模擬和混合信號平臺。該平臺為安森美
2024-11-12 11:03:211375 ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成，未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542208 
一、技術(shù)定義與核心特性 BiCMOS（Bipolar-CMOS）?是一種將?雙極型晶體管（BJT）?與?CMOS晶體管?集成在同一芯片上的混合工藝技術(shù)，通過結(jié)合兩者的優(yōu)勢實現(xiàn)高性能與低功耗的平衡
2025-04-17 14:13:541535 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）宣布拓展其QPG6200產(chǎn)品組合，全新推出三款Matter系統(tǒng)級芯片（SoC）。此次擴展的產(chǎn)品系列具有超低的功耗，并采用
2025-05-15 11:53:35977 
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點。無論是智能手機、自動駕駛汽車，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181337 
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