2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:28
2441 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:1311509 
帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:074576 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191910 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004808 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）今年對于存儲廠商而言，可謂是重新梳理市場需求的一年，不少企業(yè)對 NAND和DRAM 的業(yè)務(wù)進行了大幅調(diào)整，有的就選擇了將重心放在下一代 DRAM 上，尤其是在 AI
2023-12-13 01:27:002390 
和連接LPDDR DRAM來增加內(nèi)存帶寬，它與HBM類似，通過將常規(guī)DRAM堆疊8層或12層來提高數(shù)據(jù)吞吐量，并具有低功耗的優(yōu)勢。 ? 以LPDDR為代表的移動DRAM芯片由于其較小的尺寸，并不適用于與HBM相同的TSV連接方案。同時，HBM制造工藝的高成本及低良率特性也無法滿足高產(chǎn)能移
2024-09-06 00:21:005572 
特征表現(xiàn)為標準程度高、市場規(guī)模龐大、下游應(yīng)用集中、 周期性顯著且技術(shù)迭代迅速。相比之下，利基DRAM與主流產(chǎn)品相比性能要求不那么嚴格，依賴成熟工藝技術(shù)。盡管市場規(guī)模較小，但它在滿足汽車、通訊、工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備等行業(yè)的多樣化需求中扮
2025-06-07 00:01:004209 
，HBM是采用多層DRAM芯片通過硅通孔（TVS）垂直堆疊，比如HBM3E就是8層或12層；而這些DRAM芯片通
2025-07-13 06:09:006878 價格迅速下跌。IC Insights預(yù)測，隨著更多的產(chǎn)能上線，供應(yīng)限制開始緩解，DRAM市場增長將會降溫。值得一提的是，據(jù)報道，三星和SK海力士已推遲了部分擴張計劃，原因是預(yù)計客戶需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個外部傳感器的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長的需求，其提供一個利用藍牙的擴展集線器功能的多功能通信環(huán)境。
2020-05-18 06:20:47
開發(fā)一個鑰匙柜管理項目，市場上現(xiàn)有的不能滿足需求。要求實現(xiàn)對鑰匙的精準管理，不能使用鑰匙扣等輔助工具，因為用鑰匙扣上的鑰匙并不一定是你要管理的鑰匙，如果固定好了，鑰匙要取出不方便。尋找有實力的軟件開發(fā)商，硬件供應(yīng)商共同合作。870087187@qq.com
2016-09-09 19:08:15
DRAM市場觸底，Q3出貨成長有望超過30%
市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費市場需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場報價在這半年
2009-08-17 09:47:14521 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003713 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。第一季度DDR3模組出貨量達到1.507億個，占全球總體DRAM模組市場的87
2012-05-03 09:19:121144 
AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511840 作為先進內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計算）、更先進的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認為是極限，因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:002315 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:375224 算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上，卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341959 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 點擊藍字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認為是一種“慢而寬
2021-11-01 14:30:509532 
不太能滿足日益增加的帶寬了。與此同時，在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中，HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。
2022-03-31 11:42:233592 HBM2E標準的每個裸片的最大容量為2GB，每個堆?？梢苑胖?2層裸片，從而可實現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標準是允許的，但我們尚未看到市場上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:346794 由于傳統(tǒng)的HBM測試，電壓最高測試至8kV，但有些IC會更進行高電壓的測試，比如隔離器件、驅(qū)動器件等。季豐電子為了滿足客戶對于ESD HBM測試更高電壓的需求，更好地服務(wù)客戶，特引進了ES612，它的HBM測試電壓范圍更大，最高測試電壓可達到0~20kV。
2022-09-07 10:44:403283 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 那么，R-IN32M3工業(yè)以太網(wǎng)模塊解決方案如何滿足市場需求，并提供一個讓您“一石三鳥”的解決方案呢？
2022-11-17 14:52:031394 需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價格上漲了五倍。” ? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:446124 
據(jù)韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:031257 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道，英偉達正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱，這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:021360 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:401471 業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3，帶寬超過1.2TB/s，先進的1β制程節(jié)點提供卓越能效。 2023年7月27日，中國上海?——?Micron Technology Inc.（美光
2023-08-01 15:38:211539 
在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663 在人工智能（ai）時代引領(lǐng)世界市場的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上，因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個dram芯片垂直堆積，可以適用于為ai處理而特別設(shè)計的圖像處理裝置（gpu）等機器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:501218 來源：半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:071470 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版
hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器
市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 目前，hbm在整個dram市場中所占比重不到1%，但隨著人工智能和ai半導(dǎo)體市場的迅速增長，對hbm的需求正在增加。市場調(diào)查機構(gòu)預(yù)測說，到2023年全世界hbm需求將達到2.9億gb，比前一年增加60%，到2024年將增長30%。
2023-09-01 14:25:151279 來源：EE Times 先進ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:501188 
)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。而HBM3E 是 HBM3 的擴展(Extended)版本。 ? 美光科技日前宣稱新款HBM3E同樣可以達到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:461636 SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲芯片（如DDR5和HBM）的需求持續(xù)增長，第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度，DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品，如HBM3等。
2023-11-02 17:17:321483 omdia首席研究員Jung Sung-kong表示：“dram產(chǎn)業(yè)正在充分享受生成式AI帶來的好處。今后dram產(chǎn)業(yè)的地形圖將發(fā)生巨大變化?！痹谏尚蚢i蓬勃發(fā)展的情況下，ai和機器學(xué)習技術(shù)將成為中長期牽引d內(nèi)存需求的要素，hbm市場目前正在顯示出較大的增長趨勢。
2023-11-24 11:29:321232 英偉達的圖形處理器（gpu）是高附加值產(chǎn)品，特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元（約4.65萬美元）。英偉達將在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營銷的領(lǐng)先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達供應(yīng)hbm3，領(lǐng)先于三星電子。
2023-11-29 14:37:001418 當前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關(guān)鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術(shù)不斷演進，HBM將成為數(shù)據(jù)中心的標準配置，而以企業(yè)應(yīng)用為重點場景的存儲卡供應(yīng)商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:321087 
為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:061362 控制器產(chǎn)品，應(yīng)對這一需求的到來。 ? Rambus?HBM3控制器 ? Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP可提供高
2023-12-13 15:33:482458 
據(jù)最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預(yù)計至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:421391 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機。他還強調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42841 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進行了重新設(shè)計。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051327 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:051030 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536003 
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:421516 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:502320 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行，實現(xiàn)了高達819 Gb/s的帶寬，為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:103381 
據(jù)業(yè)界觀察，由于無法存在一款能滿足所有人工智能應(yīng)用的通用芯片，因此對包括DRAM在內(nèi)的各類產(chǎn)品的需求必將劇增。三星電子和Naver聯(lián)合研發(fā)的人工智能芯片未采納HBM，轉(zhuǎn)而采用低功耗（LP） DDR5 DRAM。
2024-04-01 09:26:39837 TC鍵合機作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069 至于為何供應(yīng)商提前議價，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品質(zhì)穩(wěn)定的貨源；
2024-05-07 09:33:191068 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量以應(yīng)對日益增長的市場需求。
2024-05-14 17:15:191047 全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭，但在英偉達主導(dǎo)的HBM市場，三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商，且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風起云涌的當下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對當前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 據(jù)韓國媒體報道，為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品，同時進一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084 的先進制造基地加大投入，提升DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）及高帶寬存儲器（HBM）的產(chǎn)量，力求在AI市場的浪潮中占據(jù)更有利的位置。
2024-07-08 12:54:091248 近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)?；a(chǎn)階段，預(yù)計在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 據(jù)集邦咨詢最新報告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)興起的共同驅(qū)動，兩大存儲芯片行業(yè)預(yù)計在2024年將實現(xiàn)爆炸性增長。
2024-08-01 17:45:581290 據(jù)市場研究公司TrendForce預(yù)測，2024年第四季度DRAM市場將呈現(xiàn)出一絲暖意，但僅限于高帶寬存儲器（HBM）領(lǐng)域。預(yù)計HBM價格將實現(xiàn)環(huán)比上漲，而通用DRAM的價格則將停滯不前。
2024-10-14 16:34:14979 AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升，近期消息顯示，不僅HBM（高帶寬存儲器）出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴產(chǎn)的情況，英偉達Blackwell架構(gòu)的GPU也面臨市場需求遠超供應(yīng)的局面。
2024-10-15 14:25:351451 三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競爭力，三星可能會著手重新設(shè)計部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 ，HBM的出貨量將實現(xiàn)同比70%的顯著增長。這一增長主要歸因于數(shù)據(jù)中心和AI處理器對HBM的依賴程度日益加深。為了處理低延遲的大量數(shù)據(jù)，這些高性能計算平臺越來越傾向于采用HBM作為首選存儲器。 HBM需求的激增預(yù)計將對DRAM市場產(chǎn)生深遠影響。隨著市場對HBM的需求不斷增加，制
2024-12-26 15:07:461012 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動對服務(wù)器DRAM需求，PC和移動需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯，此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補庫存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，全球DRAM市場規(guī)模同比
2025-05-06 15:50:231221 
AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉達供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 
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