日前，中國臺灣“內(nèi)政部 ”公布歸化高級專業(yè)人才審查會審查結(jié)果，美國籍的曹敏通過審查，歸化成為臺灣人，這受到各界矚目。

據(jù)報道，曹敏畢業(yè)于上海復旦大學電子工程學系，之后赴美留學，取得美國斯坦福大學物理系博士學位。

臺灣方面的報道指出 ，美國籍的曹敏專長是半導體研發(fā)設計，曾帶領臺灣積體電路制造股份有限公司團隊，開發(fā)20納米及10納米制程技術。最值得一提的是，他帶領臺積電1400人團隊，進行跨部門合作，歷經(jīng)3年的堅持努力，突破高介電材料/金屬閘技術，并創(chuàng)新采用雙重曝光技術，成功開發(fā)20納米制程技術。

20納米能順利投產(chǎn)的另一個關鍵技術是雙重曝光（double patterning）技術，這也是臺積電首次采用這項技術。曹敏團隊開發(fā)出智能圖案拆解技術及創(chuàng)新的多層蝕刻保護膜，能克服光罩對準問題的限制，使雙曝雙蝕刻制程達到可控制量產(chǎn)的要求。曹敏強調(diào)，「在雙重曝光領域，臺積電有大量創(chuàng)新，業(yè)界只有我們能成功運用，遙遙領先競爭對手。」

這項成果讓臺積電的晶圓密度能夠超越全球芯片巨擘英特爾（Intel），技術大幅領先國際，增強臺積電的競爭力，確保在晶圓代工領域的領先地位，并于2013年獲得經(jīng)濟部產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新獎的年度創(chuàng)新突破獎肯定。

據(jù)臺積電官網(wǎng)介紹，曹敏博士于2018年2月起擔任臺積公司技術發(fā)展Pathfinding副總經(jīng)理。在此之前，曹敏博士自2016年起擔任Pathfinding處資深處長。曹敏博士于2002年加入臺積公司，成功協(xié)助開發(fā)多項先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）制程技術，包括90納米、65納米、40納米、28納米、20納米以及10納米。

自2006年至2008年，曹敏博士帶領了40納米泛用型制程技術的開發(fā)，此項技術也是臺積公司首款利用超密度微縮的納米制程。2009年，首次利用高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）技術，成功帶領了28納米高效能制程的開發(fā)。曹敏博士其后亦帶領研發(fā)團隊開發(fā)20納米及10納米制程技術。

在加入臺積公司之前，曹敏博士自1994年至1999年任職于惠普實驗室（Hewlett-Packard Laboratories），1999年至2000年任職于PDF解決方案公司（PDF Solutions），2000年至2002年任職于百利通半導體公司（Pericom Semiconductor）。

曹敏博士在集成電路技術領域共擁有36項專利。曹博士曾在許多委員會擔任重要職務，包括國際電子元件會議（IEDM）和國際VLSI技術和電路專題研討會。曹敏博士畢業(yè)于上海復旦大學電子工程學系，于舊金山州立大學物理學系取得碩士學位，并于美國斯坦福大學物理學系取得博士學位。

現(xiàn)在，曹敏擔任研究發(fā)展／技術發(fā)展／Pathfinding副總經(jīng)理。接下來，臺積電在3納米后，技術藍圖要如何發(fā)展，是否要用新方法提高價值，就要靠他研究。
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