近日，臺積電在北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，2nm工藝全球即將首發(fā)，臺積電公開承諾到2025年生產(chǎn)先進(jìn)的2nm芯片。

據(jù)悉，三星公司也在上周對外正式官宣，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，3納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積，三星已經(jīng)宣布計(jì)劃在2025年之前交付2nm處理器。

2021年，臺積電公司就已經(jīng)獲得了建造專門用于2nm工藝的新設(shè)施的批準(zhǔn)，與目前的5nm工藝相比，這是一種完全不同的技術(shù)，需要相當(dāng)大的投資。另外在2022下半年即將量產(chǎn)的3nm制程中，臺積電或?qū)⑷匀谎赜肍inFET架構(gòu)。

不僅僅是2nm芯片，臺積電還將引入ASML最強(qiáng)光刻機(jī)，2025年就會開始用來制造2nm工藝芯片。
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