ASIC設計服務暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布與英飛凌合作推出SONOS嵌入式閃存（eFlash）平臺于聯電40納米uLP制程。此平臺包含新開發(fā)的eFlash子系統(tǒng)IP及完整的eFlash測試解決方案，具有容易整合、可快速存取閃存數據等優(yōu)勢，更可加速產品開發(fā)時程，協助客戶更輕松地采用該閃存技術；并同時通過內置自檢功能（BIST）來簡化SONOS eFlash測試，為客戶提供扎實的質量優(yōu)勢。

為滿足人工智能、智能電網、物聯網和MCU等應用對40納米低功耗及數據安全的eFlash需求，智原聯手英飛凌合作開發(fā)這套SONOS eFlash平臺，主要包括閃存區(qū)塊、控制器、以及新開發(fā)的eFlash子系統(tǒng)IP。其中子系統(tǒng)IP整合總線接口電路與頻率整合電路等，并提供自動完成eFlash初始化、簡化數據抹除與寫入操作流程、以及對閃存的讀寫保護和模擬隨機寫入緩沖區(qū)等功能，協助客戶輕易整合與使用SONOS eFlash IP。此外，內置BIST的子系統(tǒng)只需采用一般的檢測儀器做測試，確保閃存量產時的質量及可靠性，并可減少檢測時間。

英飛凌內存解決方案部資深總監(jiān)Vineet Agrawal表示：“我們很高興與智原合作，為客戶開發(fā)這套SONOS eFlash平臺。40uLP SONOS eFlash在過去幾年已交付許多量產項目，未來結合智原完善的IP子系統(tǒng)、多元的IP產品和測試解決方案，我們相信可以協助智原的客戶加快拓展高性能和低功耗產品?！?/p>

智原科技營運長林世欽表示：“英飛凌的SONOS eFlash技術已在40納米制程中獲得多項市場應用的驗證。通過英飛凌在聯電40uLP SONOS eFlash的優(yōu)勢，相較其它市面上的eFlash方案可使用更少的光罩層數而縮短生產周期。搭配此新平臺和智原完全兼容于40uLP SONOS eFlash制程的豐富IP資源，可以進一步協助客戶輕松實現新一代芯片設計的成本、功耗和性能需求。”

審核編輯：湯梓紅